X制造技术

本公开提供了一种

【技术实现步骤摘要】
X射线源及真空系统


[0001]本公开涉及真空电子设备领域，特别涉及一种
X
射线源及真空系统
。

技术介绍

[0002]X
射线光电子能谱仪
(XPS)
中使用电子枪发射的高能电子束轰击阳极靶材，由靶点产生的
X
射线辐照在样品上，从而对样品进行检测
。
随着非均匀样品的测试需求日益旺盛，提高设备的空间分辨率成为了
XPS
的发展趋势，样品上的光斑大小是影响设备的空间分辨率的重要因素
。
[0003]在传统技术中，减小光源尺寸的方法主要有提高电子枪的聚焦性能和物理遮挡部分电子束流两种
。
提高电子枪的聚焦性能对于电子枪的电子光学设计要求较高，且在高束流下聚焦性能会因电子能散和空间电荷效应的增强而降低，最终影响
X
射线的检测效果
。
而物理遮挡部分电子束流则会损失相当部分的束流，造成能量浪费，从而使得设备使用成本高昂，且在大束流下，束流的遮挡物也会被电子束蒸发，影响整体设备真空度，缩短设备使用寿命
。

技术实现思路

[0004]本公开提供了一种
X
射线源，包括：电子束源，用于发射电子束；靶材阵列，包括至少一个靶材区域，至少一个靶材区域包括工作靶材区域，用于接收电子束，并产生
X
射线，其中，电子束的束斑覆盖工作靶材区域
。
[0005]本公开提供了一种真空系统，包括：真空腔；样品，设置在真空腔内；如本公开的一些实施例中任意一项的
X
射线源，设置在真空腔内，用于向样品发射
X
射线
。
附图说明
[0006]为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一种实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图
。
[0007]图1示出根据本公开一些实施例的
X
射线源的工作示意图；
[0008]图2示出根据本公开一些实施例的靶材阵列的结构示意图；
[0009]图3示出根据本公开一些实施例的
X
射线源的部分结构示意图；
[0010]图4示出根据本公开一些实施例的真空系统的工作示意图
。
[0011]在上述附图中，各附图标记分别表示：
[0012]10 电子束源
[0013]20 靶材阵列
[0014]21、21a、21b、21c、21d、21e、21f、21g、21h、21i、21j
靶材区域
22 衬底
[0015]30 移动装置
[0016]31 电机
[0017]32 密封法兰
[0018]33 波纹管
[0019]34 承载架
[0020]40
凹面单色化晶体
具体实施方式
[0021]下面将结合附图对本公开一些实施例进行描述
。
显然，所描述的实施例仅仅是本公开示例性实施例，而不是全部的实施例
。
[0022]在本公开的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”、“顶”、“底”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位
、
以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制
。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性
。
在本公开的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“连接”、“相连”、“耦合”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接连接，也可以通过中间媒介间接连接；可以是两个元件内部的连通
。
在本公开的描述中，远端或远侧是指深入真空环境
(
例如，真空腔
)
的一端或一侧，近端或近侧是与远端或远侧相对的一端或一侧
(
例如，远离真空腔的一端或一侧，或者真空腔内靠近真空腔壁的一端或一侧等等
)。
对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义
。
[0023]图1示出根据本公开一些实施例的
X
射线源
100
的工作示意图
。
图2示出根据本公开一些实施例的靶材阵列
20
的结构示意图
。
[0024]如图1和图2所示，
X
射线源可以包括电子束源
10
和靶材阵列
20。
电子束源
10
能够用于发射电子束，靶材阵列
20
包括至少一个靶材区域
21(
例如，靶材区域
21a、
靶材区域
21b、
靶材区域
21c、
靶材区域
21d、
靶材区域
21e、
靶材区域
21f、
靶材区域
21g、
靶材区域
21h、
靶材区域
21i、
靶材区域
21j)。
至少一个靶材区域
21(
例如，靶材区域
21a、
靶材区域
21b、
靶材区域
21c、
靶材区域
21d、
靶材区域
21e、
靶材区域
21f、
靶材区域
21g、
靶材区域
21h、
靶材区域
21i、
靶材区域
21j)
可以包括工作靶材区域
(
例如，工作靶材区域
21a)
，能够用于接收电子束，并产生
X
射线
。
其中，电子束的束斑覆盖工作靶材区域
(
例如，工作靶材区域
21a)
，可以在无需严格控制电子束束斑大小的情况下，使得电子束轰击工作靶材区域
(
例如，工作靶材区域
21a)
产生
X
射线
。
此外，工作靶材区域
(
例如，工作靶材区域
21a)
的面积与
X
射线在样品检测中照射到样品表面的面积大小成线性关系，因而，本公开提供的
X
射线源能够通过控制工作靶材区域
(
例如，工作靶材区域
21a)本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种
X
射线源，其特征在于，包括：电子束源，用于发射电子束；靶材阵列，包括至少一个靶材区域，所述至少一个靶材区域包括工作靶材区域，用于接收所述电子束，并产生
X
射线，其中，所述电子束的束斑覆盖所述工作靶材区域
。2.
根据权利要求1所述的
X
射线源，其特征在于，还包括：聚焦装置，用于对所述工作靶材区域产生的所述
X
射线进行聚焦
。3.
根据权利要求2所述的
X
射线源，其特征在于，还包括：滤波装置，用于所述工作靶材区域产生的所述
X
射线进行滤波
。4.
根据权利要求3所述的
X
射线源，其特征在于，所述聚焦装置与所述滤波装置集成
。5.
根据权利要求4所述的
X
射线源，其特征在于，集成的所述聚焦装置和滤波装置包括凹面单色化晶体
。6.
根据权利要求1所述的
X
射线源，其特征在于，所述靶材阵列包括衬底，所述至少一个靶材区域设置在在所述衬底上
。7.
根据权利要求6所述的
X
射线源，其特征在于，所述衬底的材料包括铜或钼，所述靶材区域的材料包括镁或铝
。8.
根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵嘉峰，胡鹏，王天邻，周文灿，谢斌平，
申请(专利权)人：费勉仪器科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：