半导体装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的实施方式提供一种性能提高的半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明专利技术的实施方式的半导体装置具备第1导电体、第1氧化物半导体、第1绝缘体、第2导电体、第3导电体、及第4导电体。第1氧化物半导体的一端与第1导电体相接，沿与第1导电体的表面交叉的第1方向延伸。第1绝缘体包围第1氧化物半导体的侧面。第2导电体与第1氧化物半导体一起夹住第1绝缘体。第3导电体与第1氧化物半导体的另一端相接。第4导电体沿与第1方向交叉的第2方向延伸，且在第1绝缘体的相反侧与第2导电体相接。第2导电体的材料具有大于第4导电体的材料的功函数。体的材料具有大于第4导电体的材料的功函数。体的材料具有大于第4导电体的材料的功函数。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及半导体装置的制造方法
[0001]相关申请的参考
[0002]本申请享受以日本专利申请2022
‑
094583号(申请日：2022年6月10日)为基础申请的优先权。本申请通过参考所述基础申请而包括基础申请的所有内容。


[0003]实施方式涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0004]半导体装置使用于各种电子机器。

技术实现思路

[0005]本专利技术所要解决的问题在于提供一种使性能提高的半导体装置。
[0006]实施方式的半导体装置具备第1导电体、第1氧化物半导体、第1绝缘体、第2导电体、第3导电体、及第4导电体。第1氧化物半导体的一端与第1导电体相接，沿与第1导电体的表面交叉的第1方向延伸。第1绝缘体包围第1氧化物半导体的侧面。第2导电体与第1氧化物半导体一起夹住第1绝缘体。第3导电体与第1氧化物半导体的另一端相接。第4导电体沿与第1方向交叉的第2方向延伸，且在第1绝缘体的相反侧与第2导电体相接。第2导电体的材料具有大于第4导电体的材料的功函数。
附图说明
[0007]图1表示第1实施方式的半导体装置100的构成例的立体图。
[0008]图2表示第1实施方式的半导体装置100的剖面构造的一例。
[0009]图3是第1实施方式的半导体装置100的剖面构造的一例，表示沿着图2的III
‑
III线的剖视图。
[0010]图4表示第1实施方式的半导体装置100的制造步骤的一例的流程图。
[0011]图5表示第1实施方式的半导体装置100的制造中途的剖面构造的一例。
[0012]图6表示第1实施方式的半导体装置100的制造中途的剖面构造的一例。
[0013]图7是第1实施方式的半导体装置100的制造中途的剖面构造的一例，表示沿着图6的VII
‑
VII线的剖视图。
[0014]图8表示第1实施方式的半导体装置100的制造中途的剖面构造的一例。
[0015]图9表示第1实施方式的半导体装置100的制造中途的剖面构造的一例。
[0016]图10表示第1实施方式的半导体装置100的制造中途的剖面构造的一例。
[0017]图11表示第1实施方式的半导体装置100的制造中途的剖面构造的一例。
[0018]图12表示第1实施方式的半导体装置100的制造中途的剖面构造的一例。
[0019]图13表示第1实施方式的半导体装置100的制造中途的平面布局的一例。
[0020]图14表示第1实施方式的半导体装置100的制造中途的剖面构造的一例。
[0021]图15表示第1实施方式的半导体装置100的制造中途的剖面构造的一例。
[0022]图16表示第1实施方式的半导体装置100的制造中途的剖面构造的一例。
[0023]图17表示第1实施方式的半导体装置100的制造中途的剖面构造的一例。
[0024]图18表示第1实施方式的半导体装置100的制造中途的剖面构造的一例。
[0025]图19表示第1实施方式的半导体装置100的制造中途的剖面构造的一例。
[0026]图20表示第1实施方式的半导体装置100的制造中途的剖面构造的一例。
[0027]图21表示第1实施方式的比较例的半导体装置100r的剖面构造的一例。
[0028]图22表示第1实施方式的比较例的半导体装置100r的剖面构造的一例。
[0029]图23表示第1实施方式的比较例的半导体装置100r的剖面构造的一例。
[0030]图24表示第1实施方式的变化例的半导体装置100b的剖面构造的一例。
[0031]图25表示第1实施方式的变化例的半导体装置100b的制造中途的平面布局的一例。
[0032]图26表示第1实施方式的变化例的半导体装置100b的剖面中途的剖面构造的一例。
[0033]图27表示第2实施方式的半导体装置200的平面布局的一例的俯视图。
[0034]图28是第2实施方式的半导体装置200的剖面构造的一例，表示沿着图27的XXVIII
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XXVIII线的剖视图。
[0035]图29是第2实施方式的半导体装置200的剖面构造的一例，表示沿着图27的XXIX
‑
XXIX线的剖视图。
[0036]图30表示第2实施方式的半导体装置200的制造步骤的一例的流程图。
[0037]图31表示第2实施方式的半导体装置200的制造中途的剖面构造的一例。
[0038]图32表示第2实施方式的半导体装置200的制造中途的剖面构造的一例。
[0039]图33表示第2实施方式的半导体装置200的制造中途的剖面构造的一例。
[0040]图34表示第2实施方式的半导体装置200的制造中途的剖面构造的一例。
[0041]图35表示第2实施方式的半导体装置200的制造中途的剖面构造的一例。
[0042]图36是第2实施方式的半导体装置200的制造中途的剖面构造的一例，表示沿着图35的XXXVI
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XXXVI线的剖视图。
[0043]图37表示第2实施方式的比较例的半导体装置200r及第2实施方式的半导体装置200的俯视图。
[0044]图38表示第2实施方式的第1变化例的半导体装置200b的剖面构造的一例。
[0045]图39表示第2实施方式的第2变化例的半导体装置200c的剖面构造的一例。
[0046]图40表示第2实施方式的第3变化例的半导体装置200d的剖面构造的一例。
[0047]图41表示第2实施方式的第4变化例的半导体装置200e的剖面构造的一例。
[0048]图42表示第2实施方式的第4变化例的半导体装置200e的制造中途的剖面构造的一例。
具体实施方式
[0049]以下参考附图记述实施方式。在以下记述中，有具有大致同一功能及构成的构成要件标注同一参考符号，省略重复的说明的情况。有为了相互区分具有大致同一功能及构
成的多个构成要件，而在参考符号的末尾还标注数字或文字的情况。
[0050]附图是示意性的，厚度与平面尺寸的关系、各层的厚度的比例等可能与现实不同。因此，应该斟酌以下的说明判断具体的厚度或尺寸。另外，附图彼此间可能包含彼此尺寸关系或比例不同的部分。另外，所有关于某实施方式的记述只要未明示或明确排除，那么也符合作为其它实施方式的记述。各实施方式例示用来将所述实施方式的技术性思想具体化的装置或方法，且实施方式的技术性思想不将构成部件的材质、形状、构造、配置等特定于以下。
[0051]在本说明书中“实质上相同”“大致相同”“大致均一”是指虽然意图相同，但是因受制造技术及(或)测定技术的限制而不完全相同，同时容许误差。
[0052][1]第1实施方式
[0053]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其具备：第1导电体；第1氧化物半导体，一端与所述第1导电体相接，沿与所述第1导电体的表面交叉的第1方向延伸；第1绝缘体，包围所述第1氧化物半导体的侧面；第2导电体，与所述第1氧化物半导体一起夹住所述第1绝缘体；第3导电体，与所述第1氧化物半导体的另一端相接；及第4导电体，沿与所述第1方向交叉的第2方向延伸，且在所述第1绝缘体的相反侧与所述第2导电体相接；且所述第2导电体的材料具有大于所述第4导电体的材料的功函数。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第2导电体俯视下包围所述第1绝缘体的外周全体。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述第2导电体以大致均一的厚度包围所述第1绝缘体。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第4导电体具有高于所述第2导电体的电导率。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第2导电体包含Mo、Ni、Cu、Co、Se、TaC、Pd、Au、Ir、Pt、Re、RuO2、InSnO、SbSnO、WO、RhO、OsO、IrO、SrRuO、LaRhO、SrMoO、LaTiO、P型Si、及P型Ge中的任一个。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第4导电体包含W、Cu、Mo、Ru、Rh、Co、AlCu、NiAl、及RuAl中的任一个。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第2导电体具有大于4.8eV的功函数。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第4导电体还具有俯视下包围所述第2导电体的外周全体的部分。9.一种半导体装置的制造方法，其具备：在第1导电体上依序形成第1绝缘体、第2导电体、及第2绝缘体；形成所述第1导电体的上表面、与所述第1绝缘体、所述第2导电体、及所述第2绝缘体的侧面露出的孔；从所述孔蚀刻所述第2导电体的一部分；在所述蚀刻后的部分形成第3导电体；在所述孔嵌入牺牲部件；去除所述第2绝缘体，在所述第2导电体上涂布保护部件；在涂布所述保护部件后的区域及其下方以外的部分，蚀刻所述第2导电体；在所述第2导电体上形成第3绝缘体；及在去除所述牺牲部件后的区域形成包含氧化物半导体的导柱；且所述第3导电体与所述导柱的侧面相接；所述第2导电体在第1方向延伸，且在所述导柱的相反侧与所述第3导电体相接；所述第3导电体的材料具有大于所述第2导电体的材料的功函数。

【专利技术属性】
技术研发人员：株柳翔一，杉崎刚，藤井章辅，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：