【技术实现步骤摘要】
一种中子辐照屏蔽装置所属专利
本技术涉及核辐射屏蔽设备
,特别是涉及到一种中子辐照屏蔽装置。
技术介绍
当前,在核辐射
中,由于放射性装置如核反应堆、放射性同位素以及加速 器等在运行过程中都会产生很强的核辐射,这就需要采用有效的屏蔽防护措施,以确保环 境场所人员的安全。防护的有效措施之一就是采用合适的屏蔽体材料和结构,构成防辐射 屏蔽体。针对中子高穿透性的特点,中子的防护问题越来越受到人们的重视,所以在对中 子屏蔽材料的防护性能测试方面的要求越来越高。而中子束流的大小、形状及其它射线产 生的本底对材料屏蔽性能评价的客观性都会产生不可忽视的影响,于是对中子源屏蔽装置 屏蔽性能和使用的便利性提出了更高的要求。目前的中子辐照屏蔽装置一般为固定装置, 大多采用石蜡或聚乙烯屏蔽材料直接浇铸而成,也有的用石蜡或聚乙烯块拼合而成。浇铸 成一体的屏蔽装置不能进行无损拆装,为屏蔽体的改装和迁移带来诸多不便;拼合而成的 屏蔽体结构松散且难以避免中子辐射方向上存在直缝隙,因为直缝隙会造成中子的大量泄 漏。另外,它们的准直孔形状一般比较单一,使用过程中不能根据样品的外形尺寸选用不同 大小和形状的准直孔,也间接地限制了中子源屏蔽体的使用范围。如何解决中子源屏蔽体 的无损拆卸和重新组装,避免直缝隙造成的中子泄漏,使用灵活方便,扩大中子源屏蔽体的 使用范围是本领域中面临的重要课题。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种能进行无损拆卸和重新组装、避免直缝隙中子泄 露、准直孔外形和大小可变、组装灵活使用方便的中子辐照屏蔽装置。为了达到上述目的,本技术采用以下结构,一种中子辐照屏蔽装 ...
【技术保护点】
一种中子辐照屏蔽装置,包括:聚乙烯屏蔽块(1)、内侧γ屏蔽块(3)、后γ屏蔽块(4)、方形准直孔套(5)、正向γ屏蔽块(6)、圆形准直孔套(7)、走源管(8)、外侧γ屏蔽块(9)及外端γ屏蔽块(10),其特点在于:由多个聚乙烯屏蔽块(1)顺次垒叠搭建成屏蔽体,聚乙烯屏蔽块(1)上下表面上刻有环状牙槽(2)结构,在搭建过程中,使聚乙烯屏蔽块(1)上的环状牙槽(2)相互紧密啮合,同时将内侧γ屏蔽块(3)与后γ屏蔽块(4)组合镶嵌到屏蔽体内部放源处周围,共同构成一个内部具有供走源管(8)插入的竖直通道和放置准直孔套的开口、外观为长方体形的屏蔽体,将方形准直孔套(5)推入由γ屏蔽块围裹形成的开口中,与正向γ屏蔽块(6)共同组成方形的准直孔,再将圆形准直孔套(7)推入方形准直孔中,由外侧γ屏蔽块(9)及外端γ屏蔽块(10)围裹形成圆形准直孔,与从而构成整体中子辐照屏蔽装置。
【技术特征摘要】
一种中子辐照屏蔽装置,包括聚乙烯屏蔽块(1)、内侧γ屏蔽块(3)、后γ屏蔽块(4)、方形准直孔套(5)、正向γ屏蔽块(6)、圆形准直孔套(7)、走源管(8)、外侧γ屏蔽块(9)及外端γ屏蔽块(10),其特点在于由多个聚乙烯屏蔽块(1)顺次垒叠搭建成屏蔽体,聚乙烯屏蔽块(1)上下表面上刻有环状牙槽(2)结构,在搭建过程中,使聚乙烯屏蔽块(1)上的环状牙槽(2)相互紧密啮合,同时将内侧γ屏蔽块(3)与后γ屏蔽块(4)组合镶嵌到屏蔽体内部放源处周围,共同构成一个内部具有供走源管(8)插入的竖直通道和放置准直孔套的开口、外观为长方体形的屏蔽体,将方形准直孔套(5)推入由γ屏蔽块围裹形成的开口中,与正向γ屏蔽块(6)共同组成方形的准直...
【专利技术属性】
技术研发人员:孟宪芳,曾心苗,秦培中,郑金美,许自炎,张龙,徐迪,郭广水,王强,
申请(专利权)人:北京市射线应用研究中心,
类型:实用新型
国别省市:11[中国|北京]
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