一种无需制冷剂与冷媒的制造技术

本发明专利技术涉及

【技术实现步骤摘要】
一种无需制冷剂与冷媒的DRAM高温低温测试方法


[0001]本专利技术涉及
DRAM
高温低温测试
，具体为一种无需制冷剂与冷媒的
DRAM
高温低温测试方法
。

技术介绍

[0002]目前市场上
DRAM
测试，除了在常温下测试功能正常的消费级产品，还有用于工业级和车规级的宽温产品
。
为了保证宽温产品在相应温度下能工作正常，必须将芯片放置在对应温度的环境中进行测试
。
以车规级的
‑
40℃
到
125℃
为例，如何进行环境降温和环境升温是重点
。
[0003]现有的高温制热做法，通常是使用加热模块进行电加热，使用温度传感器采集温度，通过控制通电时间以使环境温度达到预设值
。
[0004]而低温制冷做法则各不相同，主要分为三类：一类是通过液态氮气制冷
。
缺点是液氮有一定危险性
。
存储上，液氮需要高压罐
。
使用上，液氮温度过低
,
有
‑
200℃
，接触到人具有危险
。
使用过程的温度不易控制，而且使用成本非常高
。
第二类是使用冰箱原理，使用冷媒与压缩机进行制冷
。
虽然解决了成本和使用危险问题，但冷媒与压缩机制冷速率较慢，且低温下测试的芯片会在回到室温条件下出现冷凝水导致电路短路
。
第三类是使用半导体制冷片，但半导体制冷片不仅功耗高，而且制冷仅到
‑
10
度左右，无法进一步降温
。

技术实现思路

[0005](
一
)
解决的技术问题
[0006]针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种无需制冷剂与冷媒的
DRAM
高温低温测试方法，具备使用了涡轮管制冷，在不使用任何制冷剂与冷媒的情况下，仅靠物理原理，在只使用压缩空气的情况下，即可同时实现制冷与制热的优点，解决了上述
技术介绍
中所提出的问题
。
[0007](
二
)
技术方案
[0008]本专利技术提供如下技术方案：一种无需制冷剂与冷媒的
DRAM
高温低温测试方法，包括涡流管
、
散热鳍铜片
、STM32
控制器
、
废气利用模块和自动化机台，涡流管为核心部件，外部与空压机通过气管相连，内部通过散热鳍铜片与测试压块相连，测试压块上有温度传感器，将信号传给
STM32
控制器
。
[0009]使用涡流管作为制冷设备，运用在
DRAM
测试机台上；采用分区测试结构，使得涡流管的两个输出端：输出冷气与输出热气被充分利用；主要使用冷气用于制冷，但排放的热气可以同时用于制热：冷气通过散热鳍铜片将符合测试需求的低温度导至测试压块上，通过压块接触芯片直接制冷；热气也通过另一区域的散热鳍铜片将符合测试需求的高温度导至测试压块上
。
[0010]优选的，通过电磁阀控制进气气流大小从而精确地控制输出温度
。
[0011]优选的，在测试时可以利用气流流动防止低温测试时易发生的冷凝水
。
[0012]优选的，可在同一机台上连续完成低温与高温的测试，整个测试时间段，保持制冷区和制热区相应的温度，无需额外的升降温过程
。
[0013]优选的，压缩空气从顶部输入时，会因为内部的物理螺旋结构，形成螺旋气流；高速旋转的气流流向一个方向，在这股气流运动过程中，外层的空气会发热，与之相反的是，内层的空气会变冷，冷热度与流速成正比，运动至一端时冷气回沿着涡流的中心反向回流，形成制冷源
。
[0014]优选的，螺旋外部是热气流，螺旋内部是冷气流
。
通过两侧的通风口将冷气流和热气流分别导出
。
[0015]优选的，涡流管制冷端为
‑
46℃
，制热端为
127℃
；恰好覆盖宽温产品测试所需的
‑
40℃
到
125℃
；不会出现过低温度导致使用不便，也不会因为温度不达标导致无法覆盖
‑
40℃
的需求
。
[0016]优选的，主要靠气流制热与制冷，在测试过程中自动带走水汽，正好解决低温测试芯片，芯片会有冷凝水的问题
。
[0017]与现有技术相比，本专利技术提供了一种无需制冷剂与冷媒的
DRAM
高温低温测试方法，具备以下有益效果：
[0018]1、
该无需制冷剂与冷媒的
DRAM
高温低温测试方法，首次将涡流原理利用到
DRAM
测试机上
。
不需要任何制冷剂，可连续工作，没有污染源没有旋转部件，不会产生回转效应，没有滑动部件是一种固体片件，工作时没有震动
、
噪音
、
寿命长，安装容易
。
[0019]2、
该无需制冷剂与冷媒的
DRAM
高温低温测试方法，无需供电仅需提供压缩空气即可制冷，而压缩空气是自动化机台均必备的输入资源，故在所有机台上均可顺利安装使用
。
[0020]3、
该无需制冷剂与冷媒的
DRAM
高温低温测试方法，能同时制冷和制热
。
涡流管的两个输出端分别输出热气与冷气，可以同时实现制冷和制热，在进行宽温测试的自动化机台上，正好芯片需要在测完低温后立刻进行高温测试，可以进行冷和热的分区测试，最大化使用能量，大大降低了能量损耗
。
而不用像之前一样测完低温要主动加热到高温进行测试
。
[0021]4、
该无需制冷剂与冷媒的
DRAM
高温低温测试方法，涡流管的温度覆盖范围恰好合适
。
涡流管制冷端为
‑
46℃
，制热端为
127℃。
恰好覆盖宽温产品测试所需的
‑
40℃
到
125℃。
不会出现过低温度导致使用不便，也不会因为温度不达标导致无法覆盖
‑
40℃
的需求
。
[0022]5、
该无需制冷剂与冷媒的
DRAM
高温低温测试方法，由于主要靠气流制热与制冷，在测试过程中自动带走水汽，正好解决低温测试芯片，芯片会有冷凝水的问题
。
具体实施方式
[0023]下面将结合本专利技术的实施例，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚
、
完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例
。
基于本专利技术中的实施例，本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种无需制冷剂与冷媒的
DRAM
高温低温测试方法，其特征在于：包括涡流管
、
散热鳍铜片
、STM32
控制器
、
废气利用模块和自动化机台，涡流管为核心部件，外部与空压机通过气管相连，内部通过散热鳍铜片与测试压块相连，测试压块上有温度传感器，将信号传给
STM32
控制器；使用涡流管作为制冷设备，运用在
DRAM
测试机台上；采用分区测试结构，使得涡流管的两个输出端：输出冷气与输出热气被充分利用；主要使用冷气用于制冷，但排放的热气可以同时用于制热：冷气通过散热鳍铜片将符合测试需求的低温度导至测试压块上，通过压块接触芯片直接制冷；热气也通过另一区域的散热鳍铜片将符合测试需求的高温度导至测试压块上
。2.
根据权利要求1所述的一种无需制冷剂与冷媒的
DRAM
高温低温测试方法，其特征在于：通过电磁阀控制进气气流大小从而精确地控制输出温度
。3.
根据权利要求1所述的一种无需制冷剂与冷媒的
DRAM
高温低温测试方法，其特征在于：在测试时可以利用气流流动防止低温测试时易发生的冷凝水
。4.
根据权利要求1所述的一种无需制冷剂与冷媒的
DRAM
高温低温测试方法，其特征在于：可在同一机台上连续完成低温与高温的测试，整个测试时间段，保持制冷区和制热区相应...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴洋洋，陈宗廷，陈建光，
申请(专利权)人：深圳市耀星微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：