一种一体式碳纤维制造技术

本发明专利技术提供一种一体式碳纤维

【技术实现步骤摘要】
一种一体式碳纤维PEEK保持环的铣槽方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种一体式碳纤维
PEEK
保持环的铣槽方法
。

技术介绍

[0002]保持环在半导体行业中的化学机械研磨工艺中用于固定晶圆，故对其圆度要求十分苛刻，形变量需要控制在
0.01mm
以内
。
保持环的主要成分为
PPS
和
PEEK
等工程塑料
。
[0003]CN113352231A
公开了一种化学机械抛光保持环及其加工方法，所述加工方法包括以下步骤：
(1)
粘结待加工保持环与背板，得到待加工组合件；
(2)
固定步骤
(1)
所得待加工组合件并进行找正处理；
(3)
对步骤
(2)
所得找正处理后的待加工组合件进行铣削处理；其中，步骤
(1)
所述待加工保持环的材质为碳纤维增强聚醚醚酮
。
所述的加工方法避免了保持环在加工过程中发生断裂现象，从而避免了产品的报废，提升了成品率和加工效率
。
[0004]CN114178981A
公开了一种化学机械研磨用保持环及其粘接方法，所述粘接方法包括：将保持环的两部分结构的表面进行喷砂处理，然后进行清洗；将清洗后的保持环的两部分结构的粘接面上涂抹粘接剂，然后将两者的粘接面扣合并固定；将固定后的保持环进行加热固化，得到粘接后的保持环/>。
所述方法通过对保持环的两部分结构进行喷砂
、
清洗等前处理工艺，增加表面粗糙度和比表面积，再经涂抹粘接剂后扣合固定，避免在粘接剂固化前造成两者相对位置的移动，调节粘接工艺参数，可缩短粘接时间，提高生产效率，并保持较高的粘接强度；粘接时间的减少，可减少夹具的占用时间，从而提高夹具的使用效率；所述方法操作简单，节约成本，可有效扩展应用范围
。
[0005]CN113106386A
公开了一种用于制备晶圆的保护环及其加工方法，所述保护环的外周面和一侧圆环面为图案铣削区，所述图案铣削区内遍布吸附槽，所述图案铣削区的粗糙度大于图案铣削区以外的粗糙度
。
本专利技术通过在保护环上设置吸附槽，能够解决保护环吸附能力差的问题，在晶圆制备过程中，能够通过吸附槽将吸附靶材上掉落的薄膜吸附收集，避免薄膜掉入晶圆，影响产品质量；此外，通过图案铣削区的粗糙程度大于其他区域，进一步地强化吸附槽对薄膜的吸附能力，具有对薄膜的吸附能力强
、
结构简单和适应性强等特点
。
[0006]CN105773402A
公开了一种保持环的制作方法，包括：提供受损保持环，所述受损保持环包括环状基盘和与所述环状基盘粘合的受损树脂环，所述受损树脂环的高度有所减小；将所述环状基盘与所述受损树脂环分离；提供非受损树脂环；将所述环状基盘与所述非受损树脂环粘合
。
采用本专利技术的方法能够实现保持环的循环再利用，以节省工艺成本
。
[0007]但上述方法均没有解决保持环铣槽过程中毛边多的问题
。

技术实现思路

[0008]为解决上述技术问题，本专利技术提供一种一体式碳纤维
PEEK
保持环的铣槽方法，通过使用特定的刀具并结合合适的加工参数减少铣槽过程中毛边的产生，最后采用高压水冲
洗将产生的毛边冲洗去除
。
[0009]为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0010]本专利技术提供一种一体式碳纤维
PEEK
保持环的铣槽方法，所述铣槽方法包括采用相同型号的刀具依次进行粗铣和精铣后，进行高压水冲洗
。
[0011]本专利技术所述
PEEK
，中文名叫聚醚醚酮，碳纤维
PEEK
是添加了碳纤维后的聚醚醚酮
。
示例性的，以
30
％碳纤维
PEEK
为例，其是添加了
30wt
％碳纤维后的聚醚醚酮
。
碳纤维
PEEK
，尤其是
30
％碳纤维
PEEK
的材质较硬，耐磨损，但加工困难，在铣槽过程中会产生毛边
。
[0012]本专利技术所述的一体式碳纤维
PEEK
保持环的铣槽方法针对材质较硬的一体式碳纤维
PEEK
保持环，尤其是一体式
30
％碳纤维
PEEK
保持环，采用相同型号的刀具依次进行粗铣和精铣，相较于现有技术中粗铣采用
VNMG 160404
‑
MM
‑
A
，而精铣采用
VNMG 160404
‑
MM
‑
B
而言，本专利技术可以很好地将切槽过程中产生的毛边去除
。
本专利技术在精铣之后采用高压水冲洗，进一步将与一体式
30
％碳纤维
PEEK
粘结牢固的毛边去除
。
[0013]优选地，所述刀具的型号包括
VNMG 160404
‑
MM
‑
A
，该刀具适合切材质较硬的材料
。
[0014]优选地，所述粗铣的槽底铣削量为
0.25
～
0.45mm/
刀，例如可以是
0.25mm/
刀
、0.28mm/
刀
、0.3mm/
刀
、0.33mm/
刀
、0.35mm/
刀
、0.4mm/
刀或
0.45mm/
刀等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用
。
[0015]优选地，所述粗铣的进给速度为
1500
～
3000mm/min
，例如可以是
1500mm/min、1800mm/min、2000mm/min、2300mm/min、2500mm/min、2800mm/min
或
3000mm/min
等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用
。
[0016]优选地，所述粗铣的主轴转速为
4000
～
6000rpm/min
，例如可以是
4000rpm/min、4500rpm/min、4800rpm/min、5000rpm/min、5500rpm/min、5900rpm/min
或
6000rpm/min
等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用
。
[0017]本专利技术针对材质较硬的一体式碳纤维
PEEK...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种一体式碳纤维
PEEK
保持环的铣槽方法，其特征在于，所述铣槽方法包括采用相同型号的刀具依次进行粗铣和精铣后，进行高压水冲洗
。2.
根据权利要求1所述的铣槽方法，其特征在于，所述刀具的型号包括
VNMG 160404
‑
MM
‑
A。3.
根据权利要求1或2所述的铣槽方法，其特征在于，所述粗铣的槽底铣削量为
0.25
～
0.45mm/
刀
。4.
根据权利要求1～3任一项所述的铣槽方法，其特征在于，所述粗铣的进给速度为
1500
～
3000mm/min
；优选地，所述粗铣的主轴转速为
4000
～
6000rpm/min。5.
根据权利要求1～4任一项所述的铣槽方法，其特征在于，所述粗铣采用单边铣
。6.
根据权利要求1～5任一项所述的铣槽方法，其特征在于，所述精铣的槽边铣削量为
0.02
～
0.04mm/
刀
。7.
根据权利要求1～6任一项所述的铣槽方法，其特征在于，所述精铣的槽底铣削量为
0.03
～
0.06mm/
刀
。8.
根据权利要求1～7任一项所述的铣槽方法，其特征在于，所述精铣的进给速度为...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，惠宏业，杨加明，左威，柏钧天，赵梓聿，
申请(专利权)人：上海润平电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：