晶圆浸泡花篮制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体制造技术领域，提供了一种晶圆浸泡花篮，包括：花篮架；所述花篮架内具有浸泡腔室；所述浸泡腔室内设置有侧部插槽和凸起；所述侧部插槽设置于所述浸泡腔室内沿第一方向相对的两侧壁上；所述凸起设置于所述侧部插槽内沿所述第二方向的两相对的侧壁上，所述侧部插槽一侧壁上的所述凸起与另一侧壁上的所述凸起沿所述第二方向之间具有供所述晶圆通过的间隙

【技术实现步骤摘要】
晶圆浸泡花篮


[0001]本技术涉及半导体制造
，特别涉及一种晶圆浸泡花篮
。

技术介绍

[0002]晶圆制造湿法加加工工艺中，目前主流的方法是采用化学品槽体浸泡方法，即将晶圆放置在浸泡液中浸泡，以去除晶圆表面的有机物杂质，达到清洁晶圆的目的
。
[0003]晶圆浸泡过程中的腐蚀均匀度会直接影响晶圆的加工质量，而晶圆在溶液内的稳定性又会直接影响晶圆的腐蚀均匀度
。
[0004]现有的晶圆浸泡花篮通常需要配合晶圆安装架使用，花篮上具有槽位，各槽位用于安装晶圆，花篮放置在浸泡箱内后实现晶圆的浸泡清洁
。
现有的花篮的标准槽位为
25
槽位，槽宽为
4.76mm
，该槽宽兼容厚度为
150um
‑
1100um
的晶圆的浸泡，该花篮通常适用于质量和密度较大的晶圆，例如硅晶圆
。
硅晶圆通常厚度
675um
，腐蚀箱内具有宽度约
4mm
左右的狭槽，硅晶圆立在狭槽内，由于注液管道内的溶液向上注入至浸泡箱内，则可对硅晶圆具有向上的推力，进而使得硅晶圆保持直立或者半直立状态，可保证硅晶圆较为均匀的腐蚀效果
。
[0005]而上述花篮并不适用于密度较小或质量较轻的晶圆，例如碳化硅晶圆，该晶圆厚度通常为
350um
，其密度小
、
厚度薄且质量轻
。
若采用上述的晶圆浸泡花篮，碳化硅晶圆容易失稳，使得碳化硅晶圆在溶液内发生摆动，甚至斜向卡在狭槽内
。
因此，质量较轻
、
厚度薄且密度较小的晶圆在溶液中稳定性较差，则容易造成晶圆单侧局部存在腐蚀不到位的现象，进而造成腐蚀不均匀的缺陷，另外一旦晶圆斜向卡在狭槽内，则晶圆与狭槽卡止的位置也会腐蚀不到位，也会造成腐蚀不均匀的缺陷
。
[0006]因此需要一种晶圆浸泡花篮，以适用于密度较小
、
厚度薄且质量较轻的晶圆的浸泡腐蚀，保证晶圆的侧面腐蚀较为均匀
。

技术实现思路

[0007]本技术的目的在于提供一种晶圆浸泡花篮，该装置适用于密度较小
、
厚度薄且质量较轻的晶圆的浸泡腐蚀，保证晶圆的侧面腐蚀较为均匀
。
[0008]为了解决上述技术问题，本技术提供了一种晶圆浸泡花篮，包括：花篮架；
[0009]所述花篮架内具有浸泡腔室；所述浸泡腔室内设置有侧部插槽和凸起；所述侧部插槽设置于所述浸泡腔室内沿第一方向相对的两侧壁上，所述浸泡腔室一侧壁上的所述侧部插槽与另一侧壁上的所述侧部插槽沿所述第一方向正对，所述侧部插槽沿竖向方向延伸用于供晶圆竖向插入；所述凸起设置于所述侧部插槽内沿所述第二方向的两相对的侧壁上，所述侧部插槽一侧壁上的所述凸起与另一侧壁上的所述凸起沿所述第二方向之间具有供所述晶圆通过的间隙，所述第一方向和所述第二方向沿水平延伸并相互垂直
。
凸起的设置，也可以用于约束晶圆，以改善晶圆在侧部插槽内摆动的现象，提高晶圆的稳定性，进而提高其浸泡腐蚀效果
。
此外，凸起沿所述第二方向之间的间隙小于侧部插槽沿第二方向的槽宽尺寸，一方面便于约束晶圆，提高晶圆的稳定性，减小晶圆的接触面积，同时也通过较
宽的侧部插槽以保证侧部插槽内容纳足够的浸泡液，可保证位于侧部插槽内的晶圆的部分较好的浸泡腐蚀效果，也便于浸泡液在侧部插槽内外的循环流动
。
[0010]可选地，所述凸起具有曲面的凸出部，所述凸出部用于与所述晶圆的轴向侧壁点接触
。
可减小凸起与晶圆的接触面积
。
在晶圆插入侧部插槽内时，将凸出部设置为曲面结构，其还具有导向作用，用于引导晶圆通过两凸起之间的间隙内，以便于晶圆的插装，曲面的凸出部也可防止划伤晶圆的表面
。
[0011]可选地，所述侧部插槽的至少一部分沿所述第一方向贯通设置于所述花篮架的侧壁，以使得所述晶圆的外周面不与所述侧部插槽的内壁接触
。
使得浸泡液可沿第一方向经侧部插槽穿过晶圆浸泡花篮，便于浸泡液的循环，同时该贯通结构也利于减小花篮架对晶圆的围抱范围，增大晶圆暴露在浸泡液的范围，利于提高浸泡腐蚀均匀性，并达到提高浸泡腐蚀效果的目的
。
[0012]可选地，所述浸泡腔室的内壁设置有底部插槽，所述底部插槽用于供所述晶圆的底部插入并支撑所述晶圆
。
当晶圆插入侧部插槽内时，晶圆的底部适应性插入与该侧部插槽竖向正对的底部插槽内，那么晶圆通过凸起以及底部插槽对晶圆形成轴向限位，以进一步提高晶圆的稳定性
。
[0013]可选地，所述底部插槽沿垂直于所述第一方向的切割面切割后形成的截面呈三角形
。
将底部插槽设置为三角形结构，则可以对晶圆的底部位置自动调心，以便于晶圆底部沿第一方向自然定位，并使得晶圆的底部位置活动范围更小，以保证晶圆较好的稳定性；有利于使得不同槽位内的晶圆保持同一姿态，浸泡加工时腐蚀更均匀，各晶圆的腐蚀效果的一致性更好
。
同时，三角形截面的底部插槽也考虑了晶圆浸泡完成后的干燥，当晶圆干燥时，有利于使得液体表面的张力更均匀，脱水更彻底
。
[0014]可选地，所述花篮架包括沿竖直方向排列连接的第一支架和第二支架，所述浸泡腔室包括位于所述第一支架内的第一浸泡腔以及位于所述第二支架内的第二浸泡腔，所述第一浸泡腔和所述第二浸泡腔竖向连通，所述第二浸泡腔沿所述第一方向相对的两侧壁之间的具有设定距离，所述设定距离沿竖向由靠近所述第一支架一侧向远离所述第一支架的一侧逐渐变小
。
[0015]可选地，所述第二浸泡腔沿所述第一方向相对的两侧壁上具有避让槽，所述避让槽用于避让所述晶圆的外周面，以使得所述晶圆的外周面不与所述第二浸泡腔的内壁接触
。
通过该方式减小花篮架对晶圆的围抱范围，增大晶圆的暴露面积，以提高浸泡腐蚀效果
。
[0016]可选地，所述花篮架还包括第三支架，所述第三支架与所述第二支架连接，所述第三支架和所述第一支架沿竖向分设于所述第二支架的两侧，所述浸泡腔室还包括位于所述第三支架内的第三浸泡腔室，所述第三浸泡腔室用于避让所述晶圆的外周面
。
当晶圆插入侧部插槽和底部插槽内时，晶圆的最底位置位于第三浸泡腔室内，以保证晶圆的最底位置处于架空状态，而不与其他实体内壁接触
。
[0017]可选地，所述避让槽沿所述第一方向贯通设置于所述花篮架的侧壁；所述第二浸泡腔内沿所述第一方向相对的两侧壁设置有底部插槽，和
/
或；所述避让槽沿竖向远离所述第一支架的侧壁上设置有底部插槽，所述底部插槽用于供所述晶圆的底部插入并支撑所述晶圆
。
[0018]可选地，所述浸泡腔室沿竖向贯通于所述花篮架的两端；和
/
或；所述侧部插本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种晶圆浸泡花篮，其特征在于，包括：花篮架；所述花篮架内具有浸泡腔室；所述浸泡腔室内设置有侧部插槽和凸起；所述侧部插槽设置于所述浸泡腔室内沿第一方向相对的两侧壁上，所述浸泡腔室一侧壁上的所述侧部插槽与另一侧壁上的所述侧部插槽沿所述第一方向正对，所述侧部插槽沿竖向方向延伸用于供晶圆竖向插入；所述凸起设置于所述侧部插槽内沿第二方向的两相对的侧壁上，所述侧部插槽一侧壁上的所述凸起与另一侧壁上的所述凸起沿所述第二方向之间具有供所述晶圆通过的间隙，所述第一方向和所述第二方向沿水平延伸并相互垂直
。2.
如权利要求1所述的晶圆浸泡花篮，其特征在于，所述凸起具有曲面的凸出部，所述凸出部用于与所述晶圆的轴向侧壁点接触
。3.
如权利要求1所述的晶圆浸泡花篮，其特征在于，所述侧部插槽的至少一部分沿所述第一方向贯通设置于所述花篮架的侧壁，以使得所述晶圆的外周面不与所述侧部插槽的内壁接触
。4.
如权利要求1所述的晶圆浸泡花篮，其特征在于，所述浸泡腔室的内壁设置有底部插槽，所述底部插槽用于供所述晶圆的底部插入并支撑所述晶圆
。5.
如权利要求4所述的晶圆浸泡花篮，其特征在于，所述底部插槽沿垂直于所述第一方向的切割面切割后形成的截面呈三角形
。6.
如权利要求1所述的晶圆浸泡花篮，其特征在于，所述花篮架包括沿竖直方向排列连接的第一支架和第二支架，所述浸泡腔室包括位于所述第一支架内的第一浸泡腔以及位于所述第二支架内的第二浸泡腔...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄体龙，沈雪松，
申请(专利权)人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：