一种校准方法和逐次逼近型模数转换器技术

本发明专利技术实施例提供了一种校准方法和逐次逼近型模数转换器

【技术实现步骤摘要】
一种校准方法和逐次逼近型模数转换器


[0001]本专利技术实施例涉及模数转换
，尤其涉及一种校准方法和逐次逼近型模数转换器
。

技术介绍

[0002]逐次逼近型转换器
(Successive Approximation Register ADC
，简称
SAR ADC)
以其功耗低
、
结构简单
、
精度高和转换速率适中的优点，被广泛应用于低功耗场景中
。SARADC
的通常实现方式是采用电荷重分配方法，按照二进制权重的方法分配电容值，由电容阵列对输入信号进行采样，并通过开关切换产生参考电压逐次比较逼近输入信号，最终得到对输入信号量化的数字码字
。
在芯片的制造过程中，受工艺偏差的影响，
SARADC
的电容阵列会偏离理想电容值，由此产生了电容失配，导致
SARADC
的非线性误差，限制了
SARADC
的最高有效精度
。
所以在高精度的
>SARADC...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种校准方法，应用于逐次逼近型模数转换器，其特征在于，所述逐次逼近型模数转换器包括低位电容阵列
、
高位电容阵列
、
桥接电容以及比较器，所述低位电容阵列包括第1至第
m
位电容，所述高位电容阵列包括第
m+1
至第
n
位电容，其中，
m
和
n
均为大于或等于1的整数，所述低位电容阵列中的每一电容的第一端与所述桥接电容的第一端连接，所述高位电容阵列中的每一电容的第一端分别与所述桥接电容的第二端以及所述比较器的第一输入端连接，所述比较器的第二输入端用于接入共模电压，当执行所述校准方法时，所述比较器的第一输入端还用于接入所述共模电压，所述方法包括：将所述高位电容阵列中的待校准电容的第二端切换至基准电压，并保持所述高位电容阵列中剩余电容的第二端切换至所述共模电压；控制所述低位电容阵列以及所述高位电容阵列中校准后的高位电容对所述共模电压进行量化，得到所述比较器输出的第一输出码字；将所述待校准电容的第二端切换至地；控制所述低位电容阵列以及所述高位电容阵列中校准后的高位电容对所述共模电压进行量化，得到所述比较器输出的第二输出码字；根据所述第一输出码字和所述第二输出码字得到所述待校准电容的校准系数以进行校准
。2.
根据权利要求1所述的校准方法，其特征在于，所述控制所述低位电容阵列以及所述高位电容阵列中校准后的高位电容对所述共模电压进行量化，包括：将所述低位电容阵列中的每一电容的第二端以及所述高位电容阵列中校准后的高位电容的第二端均连接至所述共模电压；从高到低，根据所述比较器的第
i
次比较结果，将所述低位电容阵列以及所述高位电容阵列中校准后的高位电容中的第
j
位电容的第二端切换至所述基准电压或地，其中，
i
和
j
的和为
m+1+k
，
i
和
j
均为1至
m+k
的整数，
k
为所述高位电容阵列中校准后的高位电容的个数，
k
为0至
n
‑
m
的整数，直至所述低位电容阵列中的第1位电容的第二端切换结束
。3.
根据权利要求2所述的校准方法，其特征在于，所述根据所述比较器的第
i
次比较结果，将所述低位电容阵列以及所述高位电容阵列中校准后的高位电容中的第
j
位电容的第二端切换至所述基准电压或地，包括：若所述第
i
次比较结果为1，则将所述低位电容阵列以及所述高位电容阵列中校准后的高位电容中的第
j
位电容的第二端切换至地；若所述第
i
次比较结果为0，则将所述低位电容阵列以及所述高位电容阵列中校准后的高位电容中的的第
j
位电容的第二端切换至所述基准电压
。4.
根据权利要求1所述的校准方法，其特征在于，所述根据所述第一输出码字和所述第二输出码字得到所述待校准电容...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈刚，杨立，胡亚文，喻恒，
申请(专利权)人：重庆览山汽车电子有限公司，
类型：发明
国别省市：