一种高匹配特性的混频器版图结构制造技术

本发明专利技术公开了一种高匹配特性的混频器版图结构，包括混频器开关管

【技术实现步骤摘要】
一种高匹配特性的混频器版图结构


[0001]本专利技术涉及版图布局
，具体涉及一种高匹配特性的混频器版图结构
。

技术介绍

[0002]混频器将高频信号和低频信号进行混合，产生中频信号，从而实现信号的调制和解调，它是射频收发系统中不可或缺的组成部分，射频收发机系统对混频器的本振泄露
(LOL)、
镜像抑制
(IRR)、
谐波失真
(HDN)
等性能有严格的要求，因此混频器的版图设计至关重要
。
[0003]现有版图布局中，混频器的开关管是独立的单元，在实际加工过程中存在一定的失配，中频信号走线距离较远，差分特性不好，同时射频信号走线直接连接到两根平行线上
。

技术实现思路

[0004]针对上述存在的技术不足，本专利技术的目的是提供一种高匹配特性的混频器版图结构，通过将混频器的开关管合并为一个管子，来优化混频器的性能
。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案：本专利技术提供一种高匹配特性的混频器版图结构，包括混频器开关管
、
本振信号走线
、
中频信号走线和射频信号走线，所述本振信号走线
、
中频信号走线和射频信号走线均与混频器开关管相连接；所述混频器开关管包括多个子管，多个所述开关管子管的源端均与中频信号走线相连接，并合并成一个混频器开关管
。
[0006]优选地，所述中频信号走线与混频器开关管的源端相连接，所述中频信号走线沿中心对称轴两侧设置，所述中频信号走线以中心对称轴为中心线对称设置
。
[0007]优选地，所述本振信号走线与混频器开关管的栅端相连接，所述本振信号走线以中心对称轴为中心线对称设置
。
[0008]优选地，所述射频信号走线采用蛇形走线和交叉耦合的形式
。
[0009]优选地，多个所述混频器开关管子管包括源端
、
漏端和栅端，栅端由多个多晶硅组成，所述混频器开关管子管两边均设置
dummy poly。
[0010]本专利技术的有益效果在于：通过将混频器的开关管合并为一个混频器开关管，并且本振信号走线
、
中频信号走线和射频信号走线对称且等长，从而提升混频器的匹配特性，提升了混频器的本振泄露
、
镜像抑制和谐波失真等关键性能
。
附图说明
[0011]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图
。
[0012]图1为本专利技术一种高匹配特性的混频器版图结构的原理图
。
[0013]图2为现有混频器的版图布局
。
[0014]图3为本专利技术混频器的版图布局
。
[0015]图4为本专利技术混频器的版图布局
。
[0016]附图标记说明：
[0017]10
‑
混频器开关管，
20
‑
中频信号走线，
30
‑
射频信号走线，
40
‑
本振信号走线，
50
‑
中心对称轴，
110
‑
第一0度开关管，
120
‑
第一
180
度开关管，
130
‑
第二
180
度开关管，
140
‑
第二0度开关管，
150
‑
dummy poly。
具体实施方式
[0018]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚
、
完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例
。
基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围
。
[0019]实施例一：
[0020]如图1至图3所示，本专利技术提供了一种高匹配特性的混频器版图结构，包括混频器开关管
10、
本振信号走线
40、
中频信号走线
20
和射频信号走线
30
，现有的混频器版图如图2所示，混频器的开关管均为独立的单元，两个中频信号走线距离较远，射频信号走线则直接连接到两根平行线，使得现有混频器版图存在一定的失配，差分特性也不好
。
本实施例中的本振信号走线
40、
中频信号走线
20
和射频信号走线
30
均与混频器开关管
10
相连接；混频器开关管
10
包括第一0度开关管
110、
第一
180
度开关管
120、
第二
180
度开关管
130
和第二0度开关管
140
，第一0度开关管
110
与第一
180
度开关管
120
与第二
180
度开关管
130
与第二0度开关管
140
合并成一个混频器开关管
10
，混频器开关管
10
子管包括源端
、
漏端和栅端，每四个多晶硅构成一个栅端
(
本实施例中以四个多晶硅为例子，实际应用中可以任意选择多晶硅的个数
)
，第一0度开关管
110
与第一
180
度开关管
120
以
dummy poly 150
隔开，第一
180
度开关管
120
与第二
180
度开关管
130
以
dummy poly 150
隔开，第二
180
度开关管
130
与第二0度开关管
140
以
dummy poly 150
隔开，第一0度开关管
110
远离第一
180
度开关管
120
的一端设置有
dummy poly 150
，第二0度开关管
140
远离第二
180
度开关管
130
的一端设置有
dummy poly 150
，所设置的
dummy poly150
是为了保证元器件周围环境一致，有助于提高混频器的匹配特性...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种高匹配特性的混频器版图结构，其特征在于，包括混频器开关管
(10)、
本振信号走线
(40)、
中频信号走线
(20)
和射频信号走线
(30)
，所述本振信号走线
(40)、
中频信号走线
(20)
和射频信号走线
(30)
均与混频器开关管
(10)
相连接；所述混频器开关管
(10)
包括多个子管，多个所述混频器开关管
(10)
子管的源端均与中频信号走线
(20)
相连接，并合并成一个混频器开关管
(10)。2.
如权利要求1所述的一种高匹配特性的混频器版图结构，其特征在于，所述中频信号走线
(20)
与混频器开关管
(10)
的源端相连接，所述中频信号走线
(20)
沿中心对称轴
(50...

【专利技术属性】
技术研发人员：施鳕凇，朱煜，力争，陈涛，冉建军，
申请(专利权)人：南京朗立微集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：