一种磷化铟晶片的清洗工艺制造技术

本发明专利技术属于半导体衬底制造领域，一种磷化铟晶片的清洗工艺

【技术实现步骤摘要】
一种磷化铟晶片的清洗工艺


[0001]本专利技术属于半导体衬底制造领域，涉及一种磷化铟晶片的清洗工艺
。

技术介绍

[0002]作为第二代半导体材料的磷化铟（
InP
），是重要的
Ⅲ‑Ⅴ
族化合物半导体材料之一，也是继
Si、GaAs
之后的新一代电子功能材料
。
磷化铟具有许多优点，直接跃迁型能带结构，高的电光转换效率和电子迁移率，易于制成半绝缘片材料，适合制作高频微波器件和电路，工作温度高，具有强的抗辐射能力，作为太阳能电池材料转换效率高等
。
这些特征决定了其在固体发光
、
微波通信
、
光纤通信
、
制导
/
导航
、
卫星等民用和军事领域的应用十分广阔
。
[0003]但是，在由磷化铟晶体到磷化铟晶片衬底的生产过程中还需要经过一系列复杂的加工工艺过程
。
其中在开盒即用的前工艺过程中，即磷化铟晶片的清洗是最关键的制程之一
。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种磷化铟晶片的清洗工艺，其特征在于，包括以下步骤：（1）将经抛光
、
化蜡的晶片依次置于热的浓硫酸
、
冷的浓硫酸中浸泡处理；（2）将经步骤（1）处理后的晶片置于
S1
清洗液中清洗处理，所述
S1
清洗液为四甲基氢氧化铵溶液；（3）将经步骤（2）处理后的晶片置于
S2
清洗液中清洗处理，所述
S2
清洗液为硝酸
、
水的混合液，或
S2
清洗液为氢氟酸
、
盐酸
、
水的混合液；（4）将经步骤（3）处理后的晶片置于
S3
清洗液中清洗处理，所述
S3
清洗液为过氧化氢溶液；（5）将经步骤（4）处理后的晶片置于
S4
清洗液中清洗处理，所述
S4
清洗液为磷酸和
/
或亚硫酸；（6）将经步骤（5）处理后的晶片干燥
。2.
如权利要求1所述的清洗工艺，其特征在于，所述步骤（1）中，热的浓硫酸处理：浸泡
1~10s
；温度
60~90℃
；硫酸的质量浓度为
70~98%。3.
如权利要求1所述的清洗工艺，其特征在于，所述步骤（1）中，冷的浓硫酸处理：浸泡
1~10s
；温度
20~30℃
；硫酸的质量浓度为
70~98%。4.
如...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑金龙，唐勇，黄艺毅，周铁军，马金峰，王国超，张冲波，刘良副，
申请(专利权)人：广东先导微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：