一种介电层及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种介电层及其制作方法，该介电层的制作方法包括以下步骤：提供至少一晶圆，将晶圆固定于静电吸附盘上，静电吸附盘上设有独立氦气冷却模块，依次执行沉积前的设备启动操作及加热工作；将独立氦气冷却模块的压力值设为第一预设值并稳定膜层沉积腔室气压，于沉积设备上设置预设偏置功率；将独立氦气冷却模块的压力值设为第二预设值并进行第一膜层的沉积；将独立氦气冷却模块的压力值设为第三预设值并进行第二膜层的沉积，第一

【技术实现步骤摘要】
一种介电层及其制作方法


[0001]本专利技术属于半导体集成电路制造领域，涉及一种介电层及其制作方法
。

技术介绍

[0002]在晶体管专利技术后的近
60
年里，集成电路技术取得了举世瞩目的发展
。
一个关键的因素就是对材料特性和材料物理尺寸的精确控制
。
发展至今，集成电路经历了从小规模
、
大规模到超大规模的发展，目前生产工艺已经进入深亚微米和超深亚微米工艺时代
。
器件特征尺寸的缩小是实现高密度和高集成度的关键
。
但是，尺寸的不断缩小给制造带来了很多的困难
。
而等离子体工艺技术的引入解决了小尺寸制造中的诸多难题
。
当前先进的制造过程中，等离子工艺被应用于超过
20
步的关键步骤中，如多晶硅
、
栅氧化膜
、
金属线的刻蚀，介质层的淀积前的预清洗溅射，光刻胶层的去胶等
。
[0003]等离子体被称作物质存在的第四态（除了气态
、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种介电层的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供至少一待沉积介电层的晶圆，将所述晶圆固定于沉积设备的静电吸附盘上，所述静电吸附盘上设有独立氦气冷却模块，对所述沉积设备依次执行沉积前的设备启动操作，并对膜层沉积腔室进行加热；开启所述独立氦气冷却模块，将所述独立氦气冷却模块的压力值设为第一预设值，并稳定所述膜层沉积腔室的气压，于所述沉积设备上施加预设偏置功率；将所述独立氦气冷却模块的压力值设为第二预设值，同时对所述晶圆的显露上表面进行第一膜层的沉积；将所述独立氦气冷却模块的压力值设为第三预设值，同时对所述晶圆的显露上表面进行第二膜层的沉积，所述第一膜层与所述第二膜层构成介电层，并于形成所述介电层后关断沉积设备的偏置功率；于关断沉积设备的偏置功率后，关闭所述独立氦气冷却模块，取出所述晶圆
。2.
根据权利要求1所述的介电层的制作方法，其特征在于：所述独立氦气冷却模块包括内独立氦气冷却单元及外独立氦气冷却单元
。3.
根据权利要求2所述的介电层的制作方法，其特征在于：所述内独立氦气冷却单元中所述第一预设值的范围为
4 Torr~7 Torr
，所述外独立氦气冷却单元中所述第一预设值的范围为
6 Torr~9 Torr。4.
根据权利要求2所述的介电层的制作方法，其特征在于：所述内独立氦气冷...

【专利技术属性】
技术研发人员：苗良爽，施敏，官亚洲，赵艺超，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：