镜片保护装置及半导体设备制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体制造技术领域，提供了一种镜片保护装置及半导体设备，镜片保护装置包括：防护件；所述防护件上设有防护腔，所述防护腔沿第一方向贯通设置于所述防护件；所述防护腔内沿所述第一方向分为高压腔室和低压腔室；所述防护件上设置有注气通道，所述注气通道与所述高压腔室连通用于为所述高压腔室内注入洁净气体；所述防护件上设置有抽吸通道，所述抽吸通道与所述低压腔室连通用于抽吸所述低压腔室内的气体

【技术实现步骤摘要】
镜片保护装置及半导体设备


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种镜片保护装置及半导体设备
。

技术介绍

[0002]光学镜片被广泛的应用于半导体设备领域中，例如应用于光刻机
、
离子注入机中等；
[0003]以离子注入机为例，其在半导体集成电路晶圆加工工艺过程中，有一道激光退火工艺
(LaserAnnealing)。
该工艺利用高能量密度的激光经过光学镜片后照射到半导体器件表面或背面，使其温度迅速上升至略低于熔点或高于熔点达到熔化状态
。
在最高温度驻留或熔融过程中，注入的杂质离子完成晶格结构的替位，实现晶格缺陷的修复，同时激活掺杂原子的电活性
。
[0004]晶圆在激光退火工艺过程中，会有少量的金属或有机物被汽化，汽化的烟雾会污染镜头的光学镜片，影响光学镜片的透光率，从而影响实际作用到晶圆上的激光能量大小，影响产品晶圆激活性能
。
[0005]为保证光学镜片的透光率的参数满足使用要求，在实际使用过程中，需要监控光学镜片的透光率，当透光率不满足要求时，代表光学镜片上的附着物较多，此时需要技术手段提高透光率
。
[0006]现有的技术手段通常是通过无水酒精清洁镜片表面，此清洁手段容易破坏镜片的增透膜，造成光学镜片永久性损伤；而且该手段通常也造成光学镜片的更换频率较高，造成配件成本较高
。
[0007]另一种技术手段是在光学镜片污染时直接更换镜片，该手段进一步提高了光学镜片的更换频率较高，造成配件成本进一步提高
。
[0008]因此需要一种镜片保护装置及半导体设备，通过增加镜片保护装置对光学镜片保护，以减少附着于光学镜片上的附着物，保证光学镜片较优的透光率，降低光学镜片的更换频次
。

技术实现思路

[0009]本专利技术的目的在于提供一种镜片保护装置及半导体设备，通过增加镜片保护装置对光学镜片保护，以减少附着于光学镜片上的附着物，保证光学镜片较优的透光率，降低光学镜片的更换频次
。
[0010]为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种镜片保护装置，包括：防护件；
[0011]所述防护件上设有防护腔，所述防护腔沿第一方向贯通设置于所述防护件；
[0012]所述防护腔内沿所述第一方向分为高压腔室和低压腔室；
[0013]所述防护件上设置有注气通道，所述注气通道与所述高压腔室连通用于为所述高压腔室内注入洁净气体；
[0014]所述防护件上设置有抽吸通道，所述抽吸通道与所述低压腔室连通用于抽吸所述
低压腔室内的气体
。
[0015]可选地，所述注气通道包括设置于所述防护件内的第一匀化腔
、
第一进气口以及第一出气口，所述第一进气口与所述第一匀化腔连通用于为所述第一匀化腔内通入洁净气体，所述第一出气口在所述高压腔室的内壁沿周向设置有多个，各所述第一出气口均与所述第一匀化腔连通，用于向所述高压腔室注入洁净气体
。
[0016]可选地，所述第一出气口沿所述第一方向至少设置有两行，每行中具有多个沿所述高压腔室的内壁周向分布的所述第一出气口
。
[0017]可选地，所述第一匀化腔呈环形并围绕所述高压腔室设置
。
[0018]可选地，各所述第一进气口沿所述高压腔室的径向开设
。
[0019]可选地，所述抽吸通道包括吸气槽和第二出气口，所述吸气槽呈环形，所述吸气槽设置于所述低压腔室的内壁并沿周向延伸，所述第二出气口设置于所述防护件并与所述吸气槽连通用于抽吸所述吸气槽内的气体
。
[0020]可选地，所述抽吸通道还包括第二匀化腔和中间通道，所述第二匀化腔设置于所述防护件上，所述第二匀化腔呈环形并围绕所述低压腔室设置，所述吸气槽通过所述中间通道与所述第二匀化腔连通，所述第二出气口与所述第二匀化腔直接连通
。
[0021]可选地，所述抽吸通道还包括第二进气口，所述第二进气口开设于所述防护件沿所述第一方向靠近所述低压腔室的一端，所述第二进气口与所述第二出气口连通
。
[0022]可选地，所述第二匀化腔围绕所述吸气槽设置，所述中间通道连接于第二匀化腔与所述吸气槽之间，所述中间通道设置有多个并围绕所述吸气槽周向分布
。
[0023]可选地，所述中间通道沿所述低压腔室的径向延伸
。
[0024]可选地，所述第二进气口设置有多个并围绕所述低压腔室周向分布
。
[0025]可选地，所述镜片保护装置还包括外延部，所述外延部设置于所述防护件的第一端，所述第一端为所述防护件沿所述第一方向靠近所述高压腔室的一端，所述外延部包括第一外延部和第二外延部，所述第一外延部沿所述高压腔室的径向向外延展并连接于所述第一端与所述第二外延部之间，所述第二外延部呈环形并围绕所述第一端，所述第二外延部沿所述第一方向向远离所述高压腔室的一侧延伸，所述第一外延部和所述第二外延部之间合围形成用于安装光学镜片的安装空间
。
[0026]可选地，所述第一端的端面与所述第一外延部沿所述第一方向具有高差，以使得所述第一外延部沿所述第一方向凸出于所述第一端的端面
。
[0027]本专利技术还提供了一种半导体设备，所述半导体设备安装有上述所述的镜片保护装置
。
[0028]如此配置，注气通道一端与高压腔室连通，另一端外接管道用于与外部注气设备连接，通过注气通道向高压腔室注入洁净的气体，以使得高压腔室内的气压较高，则保证防护腔内靠近光学镜片的环境的气压较高
。
另外，抽吸通道一端与低压腔室连通，另一端通过管道与外部的抽吸设备连接，通过抽吸通道抽吸低压腔室内的气体，以使得低压腔室内的气压变低
。
[0029]高压腔室内的洁净气体作为隔离气体阻挡于外部气体与光学镜片之间，可将外部的受污染的气体与光学镜片隔离，在不影响激光透过的情况下，起到保护光学镜片的作用
。
另一方面，当通过注气通道向高压腔室注入洁净的气体，并同时通过抽吸通道抽吸低压腔
室内的气体时，由于高压腔室内的气压高于低压腔室内的气压，故高压腔室通入的洁净气体会向低压腔室内流动，以此来控制防护腔内气体的流向，则保证防护腔外部的气体不会经过低压腔室向高压腔室侧流动，有效避免外部受到污染的气体与光学镜片接触
。
另外，由于抽吸通道的抽吸，低压腔室内气压较小，故半导体设备的工作空间内的气体也会流动至低压腔室内并经过抽吸通道排出，尤其在半导体器件与防护件之间的空气会被抽吸通道及时抽出，一方面有助于保证工作空间内气体的洁净，另一方面也便于及时排出半导体器件的表面汽化产生的烟雾，进而防止烟雾中的颗粒重新附着在半导体器件上
。
[0030]通过增加镜片保护装置可有效对光学镜片形成保护，以减少附着于光学镜片上的附着物，保证光学镜片较优的透光率
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种镜片保护装置，其特征在于，包括：防护件；所述防护件上设有防护腔，所述防护腔沿第一方向贯通设置于所述防护件；所述防护腔内沿所述第一方向分为高压腔室和低压腔室；所述防护件上设置有注气通道，所述注气通道与所述高压腔室连通用于为所述高压腔室内注入洁净气体；所述防护件上设置有抽吸通道，所述抽吸通道与所述低压腔室连通用于抽吸所述低压腔室内的气体
。2.
如权利要求1所述的镜片保护装置，其特征在于，所述注气通道包括设置于所述防护件内的第一匀化腔
、
第一进气口以及第一出气口，所述第一进气口与所述第一匀化腔连通用于为所述第一匀化腔内通入洁净气体，所述第一出气口在所述高压腔室的内壁沿周向设置有多个，各所述第一出气口均与所述第一匀化腔连通，用于向所述高压腔室注入洁净气体
。3.
如权利要求2所述的镜片保护装置，其特征在于，所述第一出气口沿所述第一方向至少设置有两行，每行中具有多个沿所述高压腔室的内壁周向分布的所述第一出气口
。4.
如权利要求2所述的镜片保护装置，其特征在于，所述第一匀化腔呈环形并围绕所述高压腔室设置
。5.
如权利要求2所述的镜片保护装置，其特征在于，各所述第一进气口沿所述高压腔室的径向开设
。6.
如权利要求1所述的镜片保护装置，其特征在于，所述抽吸通道包括吸气槽和第二出气口，所述吸气槽呈环形，所述吸气槽设置于所述低压腔室的内壁并沿周向延伸，所述第二出气口设置于所述防护件并与所述吸气槽连通用于抽吸所述吸气槽内的气体
。7.
如权利要求6所述的镜片保护装置，其特征在于，所述抽吸通道还包括第二匀化腔和中间通道，所述第二匀化腔设置于所述防护件上，所述第二匀化腔呈环形并围绕所述低压腔室设置，所述吸气槽通过所述中间通道与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨红涛，张建康，周立超，
申请(专利权)人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：