一种嵌入式产品中使用制造技术

本发明专利技术公开了一种嵌入式产品中使用

【技术实现步骤摘要】
一种嵌入式产品中使用FLASH模拟EEPROM的方法


[0001]本专利技术涉及测速
，具体为一种嵌入式产品中使用
FLASH
模拟
EEPROM
的方法
。

技术介绍

[0002]目前，在嵌入式产品中，
EEPROM
和
FLASH
有如下区别：
[0003]1.FLASH
存储次数低，一般
≥10
万次的擦写寿命
。
而稍微好一点的
EEPROM
，擦
/
写寿命
≥100
万次
(
也有
≥10
万次的
EEPROM)
；
[0004]2.FLASH
数据存储时间短，一般
≥20
年
。EEPROM
数据存储时间一般
≥100
年；
[0005]3.FLASH
价格低，容量大
。EEPROM
价格高，容量小；
[0006]4.FLASH
读
/
写速度快，
EEPROM
读
/
写速度慢
。
[0007]当前，越来越多的嵌入式产品中微控制器的
FLASH
空间都很大，多出的空间一般不会使用到
。

技术实现思路

[0008]本专利技术的目的在于提供一种嵌入式产品中使用
FLASH
模拟
EEPROM
的方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题
。
[0009]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种嵌入式产品中使用
FLASH
模拟
EEPROM
的方法，包括以下步骤：
[0010]S1
：在嵌入式产品程序中开辟一块和模拟
EEPROM
的扇区大小相同的
RAM
空间，该
RAM
是模拟
EEPROM
的
FLASH
扇区的影子
RAM
；
[0011]S2
：在影子
RAM
地址空间中定义一个数据结构，将要存储在
EEPROM
的变量都定义在同一数据结构中，程序编译后，变量按照定义在数据结构中的顺序存储在影子
RAM
中；
[0012]S3
：在嵌入式产品程序中将数据结构中定义的所有变量的初始值按定义顺序存储到模拟
EEPROM
的
FLASH
扇区中；
[0013]S4
：嵌入式产品上电后，从模拟
EEPROM
的
FLASH
扇区中读出初始化值赋给影子
RAM
，下电时，将影子
RAM
的值保存到模拟
EEPROM
的
FLASH
的扇区中
。
[0014]更进一步地，所述扇区为嵌入式产品中
FLASH
的最小擦除单位，一般一个扇区大小有
2K
，
4k
等大小的字节
。
[0015]更进一步地，所述影子
RAM
是和模拟
EEPROM
的
FLASH
扇区空间同等大小且存储了同样数据数据结构的
RAM。
[0016]更进一步地，所述和模拟
EEPROM
的
FLASH
扇区空间同等大小的影子
RAM
用于存储更新过的数据，如果有数据更新了，采用周期，事件或下电存储到模拟
EEPROM
的
FLASH
扇区中
。
[0017]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0018]一种嵌入式产品中使用
FLASH
模拟
EEPROM
的方法，与现有技术的区别在于，通过使用
FLASH
的扇区和
RAM
，借助软件模拟
EEPROM
，采用周期，事件或下电存储方式存储断电记忆
变量
。
使用该法，无需采用外部的
EEPROM
，减少了硬件成本，同时提升了数据存储的速度，避免了读写外部
EEPROM
失败而造成产品停机的故障
。
附图说明
[0019]图1为本专利技术的
FLASH
和影子
RAM
的对应关系图；
[0020]图2为本专利技术的步骤流程图
。
具体实施方式
[0021]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚
、
完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例
。
基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围
。
[0022]如图1‑
图2所示，本专利技术提供一种技术方案：一种嵌入式产品中使用
FLASH
模拟
EEPROM
的方法
。
[0023]当前，越来越多的嵌入式产品中微控制器的
FLASH
空间都很大，多出的空间一般不会使用到
。
为了利用这块空闲的空间，使用这块空间来代替外部
EEPROM
，不仅能显著的节省硬件成本，而且可以防止由于读写外部
EEPROM
失败而导致产品发生的停机故障，从而提高产品的可靠性
。
本专利技术公开了一种嵌入式产品中使用
FLASH
模拟
EEPROM
的方法
。
原理是，将
FLASH
中一个扇区作为模拟
EEPROM
的最小的单位，在
RAM
中开辟和扇区同等大小的一块
RAM
空间，作为扇区的影子
RAM
，当扇区中有数据要更新时，只将更新后的数据在影子
RAM
中更新，然后采用周期定时，事件或下电存储到扇区中
。
由于扇区是
FLASH
擦除的最小单位，所以用来模拟
EEPROM
的扇区个数必须是扇区倍数
。
对扇区的写操作采用
FLASH
的
API
接口
。
对扇区的读操作直接用指针访问
。
本专利使用
FLASH
扇区模拟
EEPROM
，只需要一块和模拟
EEPROM
的
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种嵌入式产品中使用
FLASH
模拟
EEPROM
的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1
：在嵌入式产品程序中开辟一块和模拟
EEPROM
的扇区大小相同的
RAM
空间，该
RAM
是模拟
EEPROM
的
FLASH
扇区的影子
RAM
；
S2
：在影子
RAM
地址空间中定义一个数据结构，将要存储在
EEPROM
的变量都定义在同一数据结构中，程序编译后，变量按照定义在数据结构中的顺序存储在影子
RAM
中；
S3
：在嵌入式产品程序中将数据结构中定义的所有变量的初始值按定义顺序存储到模拟
EEPROM
的
FLASH
扇区中；
S4
：嵌入式产品上电后，从模拟
EEPROM
的
FLASH
扇区中读出初始化值赋给影子
RAM
，下电时，将影子
RAM
的值保存到模拟
EEPROM
的...

【专利技术属性】
技术研发人员：丰建敏，
申请(专利权)人：江苏吉泰科电气有限责任公司，
类型：发明
国别省市：