一种光电晶体管及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及一种光电晶体管及其制备方法和应用，该光电晶体管包括，半导体

【技术实现步骤摘要】
一种光电晶体管及其制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及低维多功能光电探测器领域，尤其涉及一种光电晶体管及其制备方法和应用
。

技术介绍

[0002]二维材料是一类表面无悬挂键的原子级别的薄层材料，因此能够构造不同能带排列的异质结而不用担心晶格失配的问题
。
根据构成异质结的两种材料能带排列的关系，又可以分为
I
型
(
跨立
)、II
型
(
交错
)、III
型
(
破缺
)
三种类型
。
其中，
I
型异质结主要作为发光应用，较大的单边耗尽区有利于光生载流子的充分复合，
II
型异质结具备的内建电场则能够有效分离光生载流子，但是无法很好地权衡光响应率和响应速度之间的竞争关系，而
III
型异质结的破缺带隙具有抑制器件暗电流的优势，并且独特的隧穿机制往往会带来很多新奇的物理现象
。
[0003]GeSr/>是一类典型的第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种光电晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将通过机械剥离法获得的简并半导体
SnSe2胶带按压在
SiO2/Si
衬底上，获得简并半导体
SnSe2纳米片；将机械剥离所得的
GeS
单晶胶带按压在聚二甲基硅氧烷
(PDMS)
薄膜上，剥离后获得粘附有
GeS
纳米片的
PDMS
薄膜，随后将粘附有
GeS
纳米片的
PDMS
薄膜放置在
SiO2/Si
衬底上按压，剥离
PDMS
薄膜后，在
SiO2/Si
衬底上获得半导体
GeS
纳米片，接着去除纳米片表面残留的
PDMS
；在
SiO2/Si
衬底上沉积第一金属电极和第二金属电极；采用干法转移工艺分别将所述半导体
GeS
纳米片和所述简并半导体
SnSe2纳米片转移至
SiO2/Si
衬底上，使得所述半导体
GeS
纳米片和所述简并半导体
SnSe2纳米片部分重叠形成垂直范德华异质结，同时，使得所述半导体
GeS
纳米片远离所述异质结的一侧与所述第一金属电极接触，使得所述简并半导体
SnSe2纳米片远离所述异质结的一侧与所述第二金属电极接触；或者，采用干法转移工艺分别将所述半导体
GeS
纳米片和所述简并半导体
SnSe2纳米片转移至
SiO2/Si
衬底上，使得所述半导体
GeS
纳米片和所述简并半导体
SnSe2纳米片部分重叠形成垂直范德华异质结，采用干法转移工艺将所述第一金属电极转移至所述半导体
GeS
纳米片上远离所述异质结的一侧，将所述第二金属电极转移至所述简并半导体
SnSe2纳米片上远离所述异质结的一侧；将带有所述金属电极的垂直范德华异质结在保护气体中进行退火处理
。2.
根据权利要求1的所述制备方法，其特征在于，所述退火处理的步骤中，所述保护气体选用氮气或氩气，退火时间为
0.3
～
2h
，退火处理的温度为
150℃
～
200℃。3.
根据权利要求1或2的所述制备方法，其特征在于，所述去除纳米片表面残留...

【专利技术属性】
技术研发人员：高伟，陈晟迪，李京波，
申请(专利权)人：华南师范大学，
类型：发明
国别省市：