发光材料制造技术

本申请涉及一种发光材料，所述发光材料包括发光分子，所述发光分子选自具有如下分子结构通式的分子中的任意一种：其中，

【技术实现步骤摘要】
发光材料、发光器件、显示装置


[0001]本申请涉及显示
，尤其涉及发光二极管材料
。

技术介绍

[0002]热激活延迟荧光
(TADF)
材料近年来因其使用无贵金属有机分子的激子利用率达到
100
％的显著优点而成为研究的前沿
。TADF
材料的显著特征是其具有能量接近的最低能单重态
(S1)
和三重态
(T1)
激发态，使暗
T1
激子在室温下通过反向系统间交叉
(RISC)
上转换为辐射
S1
激子
。
对于理想的
TADF
材料来说，快速激子衰变过程是必不可少的，该过程同时受到快速三重态上转换和单重态辐射过程的控制
。
前者需要一个小的单重态
‑
三重态能隙
(
Δ
EST)
，而后者需要一个大的振子强度
(f)
，然而，这是相互冲突的因素，因为它们对轨道重叠积分表现出相反的依赖性
。
[0003]大多数
TADF
材料的传统设计原理可简化为具有一个或多个供体或受体的供体
(D)
‑
受体
(A)
或
D
‑
π
‑
A
结构，其中发光行为受分子电子激发特性的影响很大
。
对于边界分子轨道分布完全分离的
TADF/>分子，可以期望单独的供体
‑
受体远程电荷转移
(LR
‑
CT)
激发，这有利于较小的
Δ
EST
和较小的
f。
解决这一问题的传统方法是在
π
桥上引入一些轨道重叠，杂化局域激发
(LE)
，以扩大
f
值
。
然而，在分子设计中，谨慎地平衡适当比例的
LR
‑
CT
和
LE
激发以达到较小
Δ
EST
和较大的
f
是相当困难的，大多数
TADF
分子的
Δ
EST
仍然太大
。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供了一种发光材料
、
发光器件
、
显示装置，以解决
TADF
分子难以同时具备较小
Δ
EST
和较大的
f
的技术问题
。
[0005]第一方面，本申请实施例提供一种发光材料，所述发光材料包括发光分子，所述发光分子选自具有如下分子结构通式的分子中的任意一种：
[0006][0007]其中，
X1～
X4各自独立地选自
O
或
S
，
[0008]环
Ar1～
Ar6各自独立地选自芳环或芳杂环，
Ar7、Ar8各自独立地选自芳杂环，
[0009]Y1、Y2各自独立地选自
C
或
N
，
[0010]R1～
R4为取代基，
[0011]k1～
k4分别指
R1～
R4的数量，
k1～
k4均为不小于1的整数
。
[0012]在本申请的一些实施例中，所述发光材料还包括荧光分子
。
[0013]在本申请的一些实施例中，
k1～
k4均为区间
[1
，
10]内的整数
。
[0014]在本申请的一些实施例中，
R1～
R4各自独立地选自羟基
、
氰基
、
硝基
、
脒基
、
肼基
、
腙基
、
取代或未取代的烷基
、
取代或未取代的烯基
、
取代或未取代的炔基
、
取代或未取代的烷氧基
、
取代或未取代的环烷基
、
取代或未取代的杂环烷基
、
取代或未取代的环烯基
、
取代或未取代的杂环烯基
、
取代或未取代的芳基
、
取代或未取代的芳氧基
、
取代或未取代的芳硫基
、
取代或未取代的杂芳基
、
取代或未取代的杂芳氧基
、
取代或未取代的杂芳硫基
、
取代或未取代的单价非芳族稠合多环基团
、
取代或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团
。
[0015]在本申请的一些实施例中，所述取代或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团包括：
[0016]‑
C(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
P(Q1)(Q2)、
‑
C(
＝
O)(Q1)、
‑
S(
＝
O)(Q1)、
‑
S(
＝
O)2(Q1)、
‑
P(
＝
O)(Q1)(Q2)
和
‑
P(
＝
S)(Q1)(Q2)
，
[0017]其中，
Q1
～
Q3
各自独立地选自氢
、
氘
、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、
羟基基团
、
氰基基团
、
硝基基团
、
氨基基团
、
脒基基团
、
肼基基团
、
腙基基团
、C1
‑
C60
烷基基团
、C2
‑
C60
烯基基团
、C2
‑
C60
炔基基团
、C1
‑
C60
烷氧基基团
、C3
‑
C10
环烷基基团
、C1
‑
C10
杂环烷基基团
、C3
‑
C10
环烯基基团
、C1
‑
C10
杂环烯基基团
、C6
‑
C60
芳基基团
、C1
‑
C60
杂芳基基团
、
单价非芳香本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种发光材料，其特征在于，所述发光材料包括发光分子，所述发光分子选自具有如下分子结构通式的分子中的任意一种：其中，
X1～
X4各自独立地选自
O
或
S
，环
Ar1～
Ar6各自独立地选自芳环或芳杂环，
Ar7、Ar8各自独立地选自芳杂环，
Y1、Y2各自独立地选自
C
或
N
，
R1～
R4为取代基，
k1～
k4分别指
R1～
R4的数量，
k1～
k4均为不小于1的整数
。2.
根据权利要求1所述的发光材料，其特征在于，所述发光材料还包括荧光分子
。3.
根据权利要求1所述的发光材料，其特征在于，
k1～
k4均为区间
[1
，
10]
内的整数
。4.
根据权利要求1所述的发光材料，其特征在于，
R1～
R4各自独立地选自羟基
、
氰基
、
硝基
、
脒基
、
肼基
、
腙基
、
取代或未取代的烷基
、
取代或未取代的烯基
、
取代或未取代的炔基
、
取代或未取代的烷氧基
、
取代或未取代的环烷基
、
取代或未取代的杂环烷基
、
取代或未取代的环烯基
、
取代或未取代的杂环烯基
、
取代或未取代的芳基
、
取代或未取代的芳氧基
、
取代或未取代的芳硫基
、
取代或未取代的杂芳基
、
取代或未取代的杂芳氧基
、
取代或未取代的杂芳硫基
、
取代或未取代的单价非芳族稠合多环基团
、
取代或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团
。5.
根据权利要求4所述的发光材料，其特征在于，所述取代或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团包括：
‑
C(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
P(Q1)(Q2)、
‑
C(
＝
O)(Q1)、
‑<...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕博文，张晓晋，孙海雁，王斯琦，谭明丰，
申请(专利权)人：成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：