芯片结构和显示基板制造技术

公开一种芯片结构和显示基板，芯片结构包括：第一衬底

【技术实现步骤摘要】
芯片结构和显示基板


[0001]本公开涉及显示
，特别涉及一种芯片结构及显示基板
。

技术介绍

[0002]发光二极管
(
英文：
mini Light
‑
Emitting Diode
，简称：
LED)
芯片具有色度纯
、
动态范围广
、
亮度高
、
工作电压低
、
功耗小
、
寿命长
、
耐冲击和工作稳定可靠等优点，得到了广泛应用
。
采用
LED
芯片的显示基板具有色度纯
、
动态范围广
、
清晰度高
、
功耗小
、
寿命长
、
可视角度大等优点，将成为最具优势的新一代显示媒体
。

技术实现思路

[0003]第一方面，本公开提供一种芯片结构，包括：第一衬底
、
发光单元和色转换单元，所述色转换单元位于所述发光单元的出光侧；所述色转换单元包括：
[0004]位于所述第一衬底一侧的限定坝层，所述限定坝层具有多个开口区；
[0005]位于所述开口区内部的光学功能层，至少部分所述光学功能层用于对进入所述光学功能层内的光线的颜色进行转换；
[0006]以及，位于所述限定坝层背离所述第一衬底一侧的第一封装层组，所述限定坝层在所述第一衬底上的正投影位于所述第一封装层组在所述第一衬底上的正投影内部；
[0007]其中，所述第一封装层组包括一个第一封装层或者多个层叠设置的第一封装层，所述第一封装层包括层叠设置的第一子封装层和第二子封装层，其中所述第一子封装层和所述第二子封装层的成分不同
。
[0008]在一些实施例中，所述限定坝层包括朝向所述第一衬底一侧的第一面，背离所述衬底一侧的第二面，以及位于所述第一面和第二面一侧的外轮廓面，所述外轮廓面为环绕所述限定坝层整体的表面，所述第一面和所述轮廓面之间的夹角为钝角；
[0009]所述第一封装层组包括与所述第二面贴合的第一封装面，与所述外轮廓面贴合设置的第二封装面，以及沿所述第一衬底延伸面延伸的第三封装面，其中，所述第一封装面与所述第二封装面直接连接，所述第二封装面与所述第三封装面直接连接，所述第三封装面环绕所述限定层整体设置；
[0010]其中，所述第二封装面与所述第三封装面之间的夹角为锐角
。
[0011]在一些实施例中，所述第二面和所述外轮廓面之间的夹角为锐角
。
[0012]在一些实施例中，所述开口区包括壁部和底部，所述壁部与所述第一面的夹角为钝角，所述壁部与所述第二面的夹角为锐角
。
[0013]在一些实施例中，还包括位于所述限定坝层与所述第一衬底之间的遮光层，所述遮光层包括与所述开口区一一对应的通光孔，所述开口区在所述第一衬底上的正投影与对应的通光孔在所述第一衬底上的正投影相交叠；
[0014]其中，所述第一面在所述第一衬底上的正投影位于所述遮光层在所述第一衬底上的正投影内部，并且，所述遮光层在平行于所述第一衬底的方向上凸出于所述第一面的外
轮廓，使所述第三封装面的至少部分位于所述遮光层上延伸
。
[0015]在一些实施例中，还包括位于所述遮光层与所述第一衬底之间的第二封装层组；
[0016]所述第二封装层组与所述第一封装层组接触设置，并构成容纳空间，以完全包裹所述限定坝层和所述光学功能层
。
[0017]在一些实施例中，所述第一子封装层的材料包括含有硅和氮的无机物；
[0018]所述第一子封装层的厚度在
300nm
至
600nm
范围内
。
[0019]在一些实施例中，所述第二子封装层的材料包括含有硅
、
碳
、
氮的无机物；
[0020]所述第二子封装层的厚度在
400nm
至
600nm
范围内
。
[0021]在一些实施例中，在所述第二子封装层中，硅和碳的原子比在
0.4
～
0.6
之间
。
[0022]在一些实施例中，所述第一封装层组还包括第二封装层，所述第二封装层位于第一封装层组整体中最远离所述第一衬底的一侧，所述第二封装层的材料与所述第一子封装层的材料相同，所述第二封装层的厚度在
300nm
至
600nm
范围内
。
[0023]在一些实施例中，所述第一封装层组还包括至少一个第三封装层，所述第三封装层位于所述第一封装层组内最靠近所述限定坝层的所述第一子封装层远离所述限定坝层的一侧
。
[0024]在一些实施例中，所述第三封装层的材料包括三氧化二铝
、
硅氮化物
、
硅氧化物
、
二氧化钛中的至少一种，所述第三封装层的厚度在
50nm
至
1000nm
范围内
。
[0025]在一些实施例中，所述第一封装层组在所述第一衬底上投影的外轮廓位于所述第一衬底的轮廓边内部；
[0026]在至少部分位置，所述第一封装层组在所述第一衬底上投影的外轮廓与所述第一衬底上投影的外轮廓与所述第一衬底的轮廓边存在间隔距离
。
[0027]在一些实施例中，所述发光单元包括：与所述多个开口区一一对应的多个子发光功能层，所述子发光功能层在所述第一衬底上的正投影与对应的开口区在所述第一衬底上的正投影相交叠
。
[0028]在一些实施例中，所述多个子发光功能层包括：第一子发光功能层
、
第二子发光功能层和第三子发光功能层；所述多个子发光功能层在工作状态下发出第一光线，所述第一光线包括蓝光和紫外光中的至少一种；
[0029]所述多个开口区包括：第一开口区
、
第二开口区和第三开口区；所述第一开口区与所述第一子发光功能层对应设置，所述第二开口区与所述第二子发光功能层对应设置，所述第三开口区与所述第三子发光功能层对应设置；
[0030]所述光学功能层包括：用于将第一光线转换为红光的第一色转换部，用于将第一光线转换为绿光的第二色转换部，以及用于将第一光线转换为蓝光或维持蓝光的第三色转换部；所述第一色转换部位于所述第一开口区内，第二色转换部位于所述第二开口区内，所述第三色转换部位于所述第三开口区内；
[0031]所述芯片结构还包括位于所述发光单元和所述色转换单元之间的贴合层，所述贴合层连接所述发光单元和所述色转换单元
。
[0032]在一些实施例中，所述多个子发光功能层中的每个子发光功能层包括：沿垂直且朝向所述第一衬底的方向层叠设置的第一电极
、
第一半导体层和发光层；<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种芯片结构，其特征在于，包括：第一衬底
、
发光单元和色转换单元，所述色转换单元位于所述发光单元的出光侧；所述色转换单元包括：位于所述第一衬底一侧的限定坝层，所述限定坝层具有多个开口区；位于所述开口区内部的光学功能层，至少部分所述光学功能层用于对进入所述光学功能层内的光线的颜色进行转换；以及，位于所述限定坝层背离所述第一衬底一侧的第一封装层组，所述限定坝层在所述第一衬底上的正投影位于所述第一封装层组在所述第一衬底上的正投影内部；其中，所述第一封装层组包括一个第一封装层或者多个层叠设置的第一封装层，所述第一封装层包括层叠设置的第一子封装层和第二子封装层，其中所述第一子封装层和所述第二子封装层的成分不同
。2.
根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述限定坝层包括朝向所述第一衬底一侧的第一面，背离所述衬底一侧的第二面，以及位于所述第一面和第二面一侧的外轮廓面，所述外轮廓面为环绕所述限定坝层整体的表面，所述第一面和所述轮廓面之间的夹角为钝角；所述第一封装层组包括与所述第二面贴合的第一封装面，与所述外轮廓面贴合设置的第二封装面，以及沿所述第一衬底延伸面延伸的第三封装面，其中，所述第一封装面与所述第二封装面直接连接，所述第二封装面与所述第三封装面直接连接，所述第三封装面环绕所述限定层整体设置；其中，所述第二封装面与所述第三封装面之间的夹角为锐角
。3.
根据权利要求2所述的芯片结构，其特征在于，所述第二面和所述外轮廓面之间的夹角为锐角
。4.
根据权利要求2所述的芯片结构，其特征在于，所述开口区包括壁部和底部，所述壁部与所述第一面的夹角为钝角，所述壁部与所述第二面的夹角为锐角
。5.
根据权利要求2所述的芯片结构，其特征在于，还包括位于所述限定坝层与所述第一衬底之间的遮光层，所述遮光层包括与所述开口区一一对应的通光孔，所述开口区在所述第一衬底上的正投影与对应的通光孔在所述第一衬底上的正投影相交叠；其中，所述第一面在所述第一衬底上的正投影位于所述遮光层在所述第一衬底上的正投影内部，并且，所述遮光层在平行于所述第一衬底的方向上凸出于所述第一面的外轮廓，使所述第三封装面的至少部分位于所述遮光层上延伸
。6.
根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，还包括位于所述遮光层与所述第一衬底之间的第二封装层组；所述第二封装层组与所述第一封装层组接触设置，并构成容纳空间，以完全包裹所述限定坝层和所述光学功能层
。7.
根据权利要求1‑6任一项所述的芯片结构，其特征在于，所述第一子封装层的材料包括含有硅和氮的无机物；所述第一子封装层的厚度在
300nm
至
600nm
范围内
。8.
根据权利要求7所述的芯片结构，其特征在于，所述第二子封装层的材料包括含有硅
、
碳
、
氮的无机物；所述第二子封装层的厚度在
400nm
至
600nm
范围内
。
9.
根据权利要求8所述的芯片结构，其特征在于，在所述第二子封装层中，硅和碳的原子比在
0.4
～
0.6
之间
。10.
根据权利要求7所述的芯片结构，其特征在于，所述第一封装层组还包括第二封装层，所述第二封装层位于第一封装层组整体中最远离所述第一衬底的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：安澈，靳倩，刘文祺，李伟，孙中元，韩天洋，
申请(专利权)人：北京京东方技术开发有限公司，
类型：发明
国别省市：