一种半导体清洗设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半导体清洗设备，至少包括：汇流筒；支撑台，设置在汇流筒内，支撑台和汇流筒同轴排布；转动结构，连接于支撑台，转动结构带动支撑台自转；升降结构，连接于支撑台，升降结构带动支撑台沿汇流筒的轴向移动；以及复合喷枪，安装在汇流筒上，复合喷枪包括多个喷淋管，且喷淋管的管口朝向支撑台的台面。本实用新型专利技术提供了一种半导体清洗设备，能够提升对待清洗件的清洗效果，提升半导体制程良率。良率。良率。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体清洗设备


[0001]本技术涉及半导体制造设备领域，特别涉及一种半导体清洗设备。

技术介绍

[0002]通过光刻可将预先设计的图案转移至晶圆或基板上，从而在晶圆或基板上形成半导体结构。其中，在光刻制程中，光刻胶作为掩膜，完成对晶圆或基板非蚀刻区域的保护后，要将光刻胶洗净，避免残留的光刻胶影响后续的半导体制程。
[0003]为洗净光刻胶，常使用多种混合化学药液清洗半导体结构的表面，而在清洗制程中，衬底表面常出现离子残留，导致半导体结构出现缺陷，进而影响到半导体的制程良率。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种半导体清洗设备，能够提升对待清洗件的清洗效果，并提升半导体制程良率。
[0005]为解决上述技术问题，本技术是通过以下技术方案实现的：
[0006]本技术提供一种半导体清洗设备，至少包括：
[0007]汇流筒；
[0008]支撑台，设置在所述汇流筒内，所述支撑台和所述汇流筒同轴排布；
[0009]转动结构，连接于所述支撑台，允许所述转动结构带动所述支撑台自转；
[0010]升降结构，连接于所述支撑台，允许所述升降结构带动所述支撑台沿所述汇流筒的轴向移动；以及
[0011]复合喷枪，安装在所述汇流筒上，所述复合喷枪包括多个喷淋管，且所述喷淋管的管口朝向所述支撑台的台面。
[0012]在本技术一实施例中，所述支撑台上固定有多个吸附盘，所述吸附盘表面放置待清洗件。
[0013]在本技术一实施例中，所述支撑台内安装有通气管，所述通气管贯穿所述支撑台，且所述通气管的出气端朝向所述待清洗件的背侧。
[0014]在本技术一实施例中，所述汇流筒的筒壁上设置有多个流道，所述流道与所述支撑台的表面平行，且多个所述流道平行分布。
[0015]在本技术一实施例中，切换所述喷淋管时，允许所述吸附盘移动至对应的所述流道内。
[0016]在本技术一实施例中，所述流道包括汇流板，所述汇流板固定在所述汇流筒的筒壁上，且所述汇流板环绕分布在所述支撑台外部。
[0017]在本技术一实施例中，所述汇流板包括斜坡段，所述斜坡段靠近所述支撑台，且所述斜坡段靠近所述支撑台的一端高于远离所述支撑台的一端。
[0018]在本技术一实施例中，所述汇流板包括收集段，所述收集段连接于所述斜坡段和所述汇流筒，且所述收集段的坡度小于所述斜坡段的坡度。
[0019]在本技术一实施例中，所述流道包括挡板，所述挡板固定在所述汇流板上，且所述挡板分隔所述收集段和所述斜坡段。
[0020]在本技术一实施例中，所述喷淋管上安装有电磁阀，所述电磁阀电性连接于控制台。
[0021]如上所述，本技术提供了一种半导体清洗设备，能够清洗去除半导体结构表面的制程残留物，清洗过程能够保护半导体结构不受损，且清洗液不易回流聚集在半导体基板的背侧，不会对半导体结构造成缺陷。根据本技术的半导体清洗设备，能高效去除半导体结构表面的制程残留物，在多种化学试剂的切换过程中，能保证半导体结构表面的化学试剂膜不出现断层，能够避免粒子粘结在半导体结构表面，导致半导体结构缺陷。根据本技术提供的半导体清洗设备，能够提升对半导体结构清洗的良率。
[0022]当然，实施本技术的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
附图说明
[0023]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0024]图1为本技术一实施例中清洗待清洗件时的待清洗件表面水膜的示意图。
[0025]图2为本技术一实施例中清洗设备的示意图。
[0026]图3为本技术一实施例中汇流箱的结构示意图。
[0027]图4为本技术一实施例中转动结构和升降结构的原理示意图。
[0028]图中：10、待清洗件；100、转动结构；101、支撑台；102、管腔；103、限位板；104、从动齿轮；105、主动齿轮；106、电机；200、升降结构；201、限位空腔；202、支杆；203、气缸；204、轴承；300、通气管；301、供气组件；400、吸附盘；500、汇流筒；501、汇流板；5011、收集段；5012、挡板；5013、斜坡段；502、流道；600、复合喷枪；601、喷淋管；602、电磁阀；603、定位件；700、控制台。
具体实施方式
[0029]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。
[0030]请参阅图1所示，在半导体光刻制程中，在待清洗件10上涂光刻胶，接着通过紫外线透过掩膜照射光刻胶，掩膜上印有预先设计好的电路图案，曝光在紫外线下的光刻胶被溶解掉，光刻胶上留下掩膜上的图案。接着用化学物质溶掉光刻胶覆盖区域外的基材，在待清洗件10上或是介质层上形成多个沟槽，用于形成半导体结构的元件。在本实施例中，通过多种化学试剂来清洗光刻胶，如图1所示，图1显示了两种化学试剂在待清洗件10表面的附着情况。不同的化学试剂在待清洗件10上形成了水膜，不同的水膜可以覆盖在待清洗件10上的不同区域。而在更换试剂时，水膜的非连续区域就易出现颗粒附着，如图1所示。因而本
技术提供了一种半导体清洗设备，可应用于对待清洗件10的表面清洗，且本技术提供的半导体清洗设备不限于光刻胶清洗的制程中，本技术的半导体清洗设备也可以应用于对待清洗件10表面蚀刻液的清洗等等。其中，本技术的待清洗件10可以是晶圆，待清洗件10也可以是半导体基板或芯片等等。其中，本技术对待清洗件10的清洗对象不限于光刻胶，也可以是残留的蚀刻液、灰尘和不明粒子等等。
[0031]请参阅图2所示，本技术提供了一种半导体清洗设备，所述清洗设备包括支撑台101、转动结构100、升降结构200、汇流筒500和复合喷枪600。其中，支撑台101设置在汇流筒500内，支撑台101和汇流筒500同轴排布，在本实施例中，可以将待清洗件10悬空设置在支撑台101上。其中，复合喷枪600安装在汇流筒500上。具体的，如图2所示，可以将复合喷枪600的枪杆段安装在汇流筒500的端面上，在技术的其他实施例中，也可以将复合喷枪600的枪杆段连接于汇流筒500的外壁，以稳定复合喷枪600。其中，复合喷枪600包括多个喷淋管601，且喷淋管601的管口朝向支撑台101的台面。根据不同的清洗流程，复合喷枪600调用的喷淋管601不同，以实现对不同的化学试本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体清洗设备，其特征在于，至少包括：汇流筒；支撑台，设置在所述汇流筒内，所述支撑台和所述汇流筒同轴排布；转动结构，连接于所述支撑台，允许所述转动结构带动所述支撑台自转；升降结构，连接于所述支撑台，允许所述升降结构带动所述支撑台沿所述汇流筒的轴向移动；以及复合喷枪，安装在所述汇流筒上，所述复合喷枪包括多个喷淋管，且所述喷淋管的管口朝向所述支撑台的台面。2.根据权利要求1所述的一种半导体清洗设备，其特征在于，所述支撑台上固定有多个吸附盘，所述吸附盘表面放置待清洗件。3.根据权利要求2所述的一种半导体清洗设备，其特征在于，所述支撑台内安装有通气管，所述通气管贯穿所述支撑台，且所述通气管的出气端朝向所述待清洗件的背侧。4.根据权利要求3所述的一种半导体清洗设备，其特征在于，所述汇流筒的筒壁上设置有多个流道，所述流道与所述支撑台的表面平行，且多个所述流道平行分布。5.根据权利要求4所述的一种半导体清...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈嘉勇，郑志成，苏财宝，林士闵，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：新型
国别省市：