电子装置制造方法及图纸

一种电子装置，其包含一透光元件、一光学组件及一抗反射层。透光元件区隔电子装置的一内侧与一外侧，使一光线通过透光元件进入或离开电子装置，且透光元件包含一内侧面与一外侧面，其中内侧面朝向内侧，且外侧面朝向外侧。光学组件与透光元件的内侧面对应设置。抗反射层设置于透光元件的内侧面的至少一部分。借此，可避免杂散光于透光元件与光学组件之间反射以提升成像品质。以提升成像品质。以提升成像品质。

【技术实现步骤摘要】
电子装置


[0001]本揭示内容是关于一种电子装置，且特别是一种可携式电子装置。

技术介绍

[0002]近年来，可携式电子装置发展快速，例如智能电子装置、头戴装置、视频取像装置等，已充斥在现代人的生活中。但随着科技愈来愈进步，使用者对于电子装置的品质要求也愈来愈高。
[0003]请参照图7，其绘示依照现有技术中光线L于光学组件720行进的示意图。由图7可知，光线L容易于透光元件710与光学组件720之间反射，故杂散光容易出现于现有技术的电子装置的成像面，以影响光学组件的功能表现。因此，发展一种可减少光线于透光元件与光学组件之间反射的电子装置遂成为产业上重要且急欲解决的问题。

技术实现思路

[0004]本揭示内容提供一种电子装置，通过设置抗反射层于透光元件的内侧面以减少光线于透光元件与光学组件之间反射，以提升光学组件的运作表现。
[0005]依据本揭示内容一实施方式提供一种电子装置，其包含一透光元件、一光学组件及一抗反射层。透光元件区隔电子装置的一内侧与一外侧，使一光线通过透光元件进入或离开电子装置，且透光元件包含一内侧面与一外侧面，其中内侧面朝向内侧，且外侧面朝向外侧。光学组件与透光元件的内侧面对应设置。抗反射层设置于透光元件的内侧面的至少一部分。
[0006]依据前段所述实施方式的电子装置，其中抗反射层可包含一纳米结构层，纳米结构层包含多个脊状凸起，脊状凸起自一设置面非定向延伸，各脊状凸起的一底部较一顶部靠近设置面，且各脊状凸起自底部向顶部渐缩。
[0007]依据前段所述实施方式的电子装置，其中抗反射层可还包含一结构连接层，结构连接层包含至少一二氧化硅层，二氧化硅层的一顶部与纳米结构层的一底部实体接触。
[0008]依据前段所述实施方式的电子装置，其中二氧化硅层的顶部的部分区域可与一空气接触。
[0009]依据前段所述实施方式的电子装置，其中透光元件的内侧面的至少一部分对应波长为400nm至700nm的光的平均反射率为R
4070
，其可满足下列条件：R
4070
≤0.5％。
[0010]依据前段所述实施方式的电子装置，其中透光元件的内侧面的至少一部分对应波长为750nm至900nm的光的平均反射率为R
7590
，其可满足下列条件：R
7590
≤0.65％。
[0011]依据前段所述实施方式的电子装置，其中纳米结构层的结构平均高度可大于等于70nm且小于等于350nm。
[0012]依据前段所述实施方式的电子装置，其中外侧面可包含一防刮层。
[0013]依据前段所述实施方式的电子装置，其中光学组件可为一成像相机。
[0014]依据前段所述实施方式的电子装置，其中内侧面与光学组件的间隔距离为D，其可
满足下列条件：D≤5mm。
[0015]依据前段所述实施方式的电子装置，其中抗反射层可更设置于光学组件。
[0016]依据前段所述实施方式的电子装置，其中透光元件可还包含一遮光结构。
[0017]依据前段所述实施方式的电子装置，其中遮光结构于透光元件上可保留一透光区域，且透光区域对应光学组件。
[0018]依据前段所述实施方式的电子装置，其中透光元件的数量可为至少二，光学组件的数量可为至少二，且各透光元件对应各光学组件。
[0019]依据前段所述实施方式的电子装置，其中透光元件中的一者的内侧面可为非平面。
[0020]依据前段所述实施方式的电子装置，其中光学组件的数量可为至少二，且光学组件与透光元件的内侧面对应设置。
[0021]依据前段所述实施方式的电子装置，其中光学组件中的一者可为一成像相机，且光学组件中的另一者可为一发光元件。
[0022]依据前段所述实施方式的电子装置，其中光学组件可为至少二成像相机，且成像相机之间的视角不同。
[0023]依据前段所述实施方式的电子装置，其中光学组件之间的对应工作波长可不同。
[0024]依据前段所述实施方式的电子装置，其中电子装置可为一可携式电子装置。
附图说明
[0025]图1A绘示依照本揭示内容第一实施例中电子装置的立体图；
[0026]图1B绘示依照图1A第一实施例中电子装置的部分分解图；
[0027]图1C绘示依照图1A第一实施例中电子装置的部分透视图；
[0028]图1D绘示依照图1A第一实施例中光线于光学组件行进的示意图；
[0029]图1E绘示依照图1A第一实施例中透光元件与光学组件的示意图；
[0030]图1F绘示依照图1E第一实施例中透光元件的部分放大图；
[0031]图1G绘示依照图1F第一实施例中透光元件的内侧面的部分放大图；
[0032]图1H绘示依照图1G第一实施例中遮光结构与抗反射层的放大图；
[0033]图1I绘示依照图1G第一实施例中透光元件与抗反射层的放大图；
[0034]图1J绘示依照图1F第一实施例中透光元件的外侧面部分放大图；
[0035]图1K绘示依照图1A第一实施例中透光元件的示意图；
[0036]图1L绘示依照图1A第一实施例中反射率的结果图；
[0037]图2A绘示依照本揭示内容第二实施例中电子装置的部分分解图；
[0038]图2B绘示依照图2A第二实施例中透光元件与光学组件的示意图；
[0039]图3A绘示依照本揭示内容第三实施例中电子装置的立体图；
[0040]图3B绘示依照图3A第三实施例中电子装置的部分分解图；
[0041]图3C绘示依照图3A第三实施例中透光元件的示意图；
[0042]图3D绘示依照图3C第三实施例中透光元件沿剖线3D
‑
3D的剖面图；
[0043]图3E绘示依照图3D第三实施例中透光元件的部分放大图；
[0044]图4绘示依照本揭示内容第四实施例中电子装置的立体图；
[0045]图5绘示依照本揭示内容第五实施例中电子装置的立体图；
[0046]图6绘示依照本揭示内容第六实施例中电子装置的立体图；以及
[0047]图7绘示依照现有技术中光线于光学组件行进的示意图。
[0048]【符号说明】
[0049]10,20,30,40,50,60:电子装置
[0050]110,210,310,710:透光元件
[0051]111,211,311:内侧面
[0052]112,212,312:外侧面
[0053]113,313:遮光结构
[0054]121,122,123,124,125,126,221,222,223,224,225,226,320,720:光学组件
[0055]130,230,330,430,530,630:抗反射层
[0056]131:纳米结构层
[0057]132:结构连接层...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子装置，其特征在于，包含：一透光元件，区隔该电子装置的一内侧与一外侧，使一光线通过该透光元件进入或离开该电子装置，且该透光元件包含：一内侧面；及一外侧面，其中该内侧面朝向该内侧，且该外侧面朝向该外侧；一光学组件，与该透光元件的该内侧面对应设置；以及一抗反射层，设置于该透光元件的该内侧面的至少一部分。2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该抗反射层包含一纳米结构层，该纳米结构层包含多个脊状凸起，所述多个脊状凸起自一设置面非定向延伸，各该脊状凸起的一底部较一顶部靠近该设置面，且各该脊状凸起自该底部向该顶部渐缩。3.如权利要求2所述的电子装置，其特征在于，该抗反射层还包含一结构连接层，该结构连接层包含至少一二氧化硅层，该至少一二氧化硅层的一顶部与该纳米结构层的一底部实体接触。4.如权利要求3所述的电子装置，其特征在于，该至少一二氧化硅层的该顶部的部分区域与一空气接触。5.如权利要求2所述的电子装置，其特征在于，该透光元件的该内侧面的该至少一部分对应波长为400nm至700nm的光的平均反射率为R
4070
，其满足下列条件：R
4070
≤0.5％。6.如权利要求2所述的电子装置，其特征在于，该透光元件的该内侧面的该至少一部分对应波长为750nm至900nm的光的平均反射率为R
7590
，其满足下列条件：R
7590
≤0.65％。7.如权利要求2所述的电子装置，其特征在于，该纳米结构层的结构平均高度...

【专利技术属性】
技术研发人员：范丞纬，纪奇玮，洪伟峰，刘思欣，
申请(专利权)人：大立光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：