本发明专利技术涉及一种进气装置及进气方法，进气装置包括：进气装置本体，在进气装置本体的侧边设置有若干进气口，以向进气装置本体通入气体；正对进气口处设置有挡板，挡板能上下移动，以在挡板遮挡进气口和挡板不遮挡进气口两种状态之间切换，挡板的上方或者下方至少留有让气体通过的气体通道，当挡板移动到遮挡进气口位置时，气体需要绕过挡板然后从挡板处扩散至进气装置本体的中心区域；当挡板移动到不遮挡进气口位置时，气体能直冲进气装置本体的中心区域，采用上述进气装置，能够实现晶圆中心区与晶圆边缘区的进气速率不同，晶圆中心区与晶圆边缘区的气体分布量不同，从而实现晶圆中心区与晶圆边缘区的反应速率不同
【技术实现步骤摘要】
进气装置及进气方法
[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种进气装置及进气方法
。
技术介绍
[0002]在芯片制造过程中，很多工艺需要向腔室内充入气体，而现有的都是顶部进气方式，采用这种进气方式会使得晶圆的中心与边缘的进气速率接近一致，晶圆的中心与边缘的气体近似均匀分布，而在实际工程应用中，需要晶圆的中心和边缘的气体分布量不同来使得晶圆中心区与边缘区的反应速率不同，而目前还没有相关技术能够实现晶圆的中心和边缘的气体分布量不同
。
技术实现思路
[0003]基于此，针对上述问题，本专利技术提供一种进气装置及进气方法
。
[0004]本专利技术提供一种进气装置，包括：进气装置本体，在所述进气装置本体的侧边设置有若干进气口，以向所述进气装置本体通入气体；正对所述进气口处设置有挡板，所述挡板能上下移动，以在所述挡板遮挡所述进气口和所述挡板不遮挡所述进气口两种状态之间切换，所述挡板的上方或者下方至少留有让所述气体通过的气体通道，当所述挡板移动到遮挡所述进气口位置时，所述挡板位于所述气体水平流通的路径上，所述气体需要绕过所述挡板然后从所述挡板处扩散至所述进气装置本体的中心区域；当所述挡板移动到不遮挡所述进气口位置时，所述气体能直冲所述进气装置本体的中心区域，所述挡板的垂直高度大于水平宽度
。
[0005]上述进气装置，当所述挡板移动到不遮挡所述进气口时，气体能直冲所述进气装置本体的中心区域，使得晶圆中心区的进气速率和气体分布量大于晶圆边缘区，从而使得晶圆中心区的反应速率大于晶圆边缘区；当所述挡板移动到遮挡所述进气口时，所述气体需要绕过所述挡板然后从所述挡板处扩散至所述进气装置本体的中心区域，使得晶圆边缘区的进气速率和气体分布量大于晶圆中心区，从而使得晶圆边缘区的反应速率大于晶圆中心区的反应速率，综上，采用上述进气装置，能够实现晶圆中心区与晶圆边缘区的进气速率不同，晶圆中心区与晶圆边缘区的气体分布量不同，从而实现晶圆中心区与晶圆边缘区的反应速率不同
。
[0006]在其中一个实施例中，所述挡板遮挡所述进气口，包括：所述挡板移动到所述进气装置本体的顶部，所述挡板的底部低于所述进气口，通过所述挡板的底部通过所述气体；或者所述挡板移动到所述进气装置本体的底部，所述挡板的顶部高于所述进气口，通过所述挡板的顶部通过所述气体
。
所述挡板移动到所述进气装置本体的顶部，所述挡板的底部低于所述进气口，通过所述挡板的底部通过所述气体，所述气体从所述进气装置本体的边缘区域扩散至所述进气装置本体的中心区域，使得晶圆边缘区的进气速率和气体分布量大于晶圆中心区，从而使得晶圆边缘区的反应速率大于晶圆中心区的反应速率；或者所述挡板移动到所述进气装置本体的底部，所述挡板的顶部高于所述进气口，通过所述挡板的顶部
通过所述气体，气体需要溢出越过所述挡板然后再从所述挡板处扩散至所述进气装置本体中心区域，使得晶圆边缘区的进气速率和气体分布量大于晶圆中心区，从而使得晶圆边缘区的反应速率大于晶圆中心区的反应速率
。
[0007]在其中一个实施例中，所述挡板不遮挡所述进气口，包括：所述挡板移动到所述挡板的底部高于所述进气口或者所述挡板的顶部低于所述进气口
。
[0008]在其中一个实施例中，所述挡板不遮挡所述进气口，还包括：所述挡板移动到所述挡板的底部位于所述进气装置本体的顶部位置或者所述挡板的顶部位于所述进气装置本体的底部位置
。
[0009]在其中一个实施例中，还包括控制模块，所述控制模块控制所述挡板的上下移动
。
采用上述控制模块能够根据需求实时控制所述挡板的上下移动，从而能够实现晶圆中心区反应速率大于晶圆边缘区
、
晶圆中心区反应速率小于晶圆边缘区两种状态间实时切换
。
[0010]在其中一个实施例中，所述进气装置本体位于腔室内晶圆的上方，所述进气装置本体的俯视图的形状包括圆形，所述进气装置本体至少覆盖所述晶圆，所述挡板距离所述进气装置本体中心的距离大于等于所述晶圆的半径
。
[0011]在其中一个实施例中，所述挡板的高度介于
1mm~100mm
之间，所述挡板包括环形挡板
。
[0012]在其中一个实施例中，所述进气口呈中心对称排布，所述进气口的数量大于等于3个
。
[0013]在其中一个实施例中，所述进气口方向指向所述进气装置本体中心或者从所述进气口位置指向所述进气装置本体中心的方向与所述进气口方向之间的夹角大于0度小于
90
度
。
[0014]在其中一个实施例中，所述进气装置本体的顶部包括上挡板，所述进气装置本体的底部包括下过滤板，所述下过滤板至少覆盖晶圆，所述下过滤板包括若干第一通孔，所述第一通孔的孔径介于
0.1mm~50mm
之间
。
[0015]在其中一个实施例中，所述进气装置本体的上方包括顶部进气口，所述进气装置本体的顶部包括上过滤板，所述上过滤板包括若干第二通孔
。
[0016]本专利技术还提供一种进气方法，包括：采用上述的进气装置对腔室进行进气操作
。
[0017]上述进气方法，当所述挡板移动到不遮挡所述进气口时，气体能直冲所述进气装置本体的中心区域，使得晶圆中心区的进气速率和气体分布量大于晶圆边缘区，从而使得晶圆中心区的反应速率大于晶圆边缘区；当所述挡板移动到遮挡所述进气口时，所述气体需要绕过所述挡板然后从所述挡板处扩散至所述进气装置本体的中心区域，使得晶圆边缘区的进气速率和气体分布量大于晶圆中心区，从而使得晶圆边缘区的反应速率大于晶圆中心区的反应速率，综上，采用上述进气装置，能够实现晶圆中心区与晶圆边缘区的进气速率不同，晶圆中心区与晶圆边缘区的气体分布量不同，从而实现晶圆中心区与晶圆边缘区的反应速率不同
。
[0018]在其中一个实施例中，当需要晶圆中心区反应速率大于边缘区反应速率时，所述挡板不遮挡所述进气口，包括：所述挡板移动到所述挡板的底部高于所述进气口
、
所述挡板的顶部低于所述进气口
、
所述挡板的底部位于所述进气装置本体的顶部位置或者所述挡板的顶部位于所述进气装置本体的底部位置
。
[0019]在其中一个实施例中，当需要晶圆中心区反应速率小于边缘区反应速率时，所述挡板遮挡所述进气口，包括：所述挡板移动到所述进气装置本体的顶部，所述挡板的底部低于所述进气口，通过所述挡板的底部通过所述气体；或者所述挡板移动到所述进气装置本体的底部，所述挡板的顶部高于所述进气口，通过所述挡板的顶部通过所述气体
。
附图说明
[0020]图1为本专利技术的进气装置所呈现的截面图
。
[0021]图
2~
图3为本专利技术的进气装置在当挡板移动到遮挡进气口时的气体流向示意图
。
[0022]图
4~<本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种进气装置，其特征在于，包括：进气装置本体，在所述进气装置本体的侧边设置有若干进气口，以向所述进气装置本体通入气体；正对所述进气口处设置有挡板，所述挡板能上下移动，以在所述挡板遮挡所述进气口和所述挡板不遮挡所述进气口两种状态之间切换，所述挡板的上方或者下方至少留有让所述气体通过的气体通道，当所述挡板移动到遮挡所述进气口位置时，所述挡板位于所述气体水平流通的路径上，所述气体需要绕过所述挡板然后从所述挡板处扩散至所述进气装置本体的中心区域；当所述挡板移动到不遮挡所述进气口位置时，所述气体能直冲所述进气装置本体的中心区域，所述挡板的垂直高度大于水平宽度
。2.
根据权利要求1所述的进气装置，其特征在于，所述挡板遮挡所述进气口，包括：所述挡板移动到所述进气装置本体的顶部，所述挡板的底部低于所述进气口，通过所述挡板的底部通过所述气体；或者所述挡板移动到所述进气装置本体的底部，所述挡板的顶部高于所述进气口，通过所述挡板的顶部通过所述气体
。3.
根据权利要求1所述的进气装置，其特征在于，所述挡板不遮挡所述进气口，包括：所述挡板移动到所述挡板的底部高于所述进气口或者所述挡板的顶部低于所述进气口
。4.
根据权利要求3所述的进气装置，其特征在于，所述挡板不遮挡所述进气口，还包括：所述挡板移动到所述挡板的底部位于所述进气装置本体的顶部位置或者所述挡板的顶部位于所述进气装置本体的底部位置
。5.
根据权利要求1所述的进气装置，其特征在于，还包括控制模块，所述控制模块控制所述挡板的上下移动
。6.
根据权利要求1所述的进气装置，其特征在于，所述进气装置本体位于腔室内晶圆的上方，所述进气装置本体的俯视图的形状包括圆形，所述进气装置本体至少覆盖所述晶圆，所述挡板距离所述进气装置本体中心的距离大于等于所述晶圆的半径
。7.
根据权利要求1所述的进气装置，其特征在于，所述挡板的高度介于
1mm~100mm
之间，所述挡板包括环形挡板
。...
【专利技术属性】
技术研发人员：沈康，彭国发，吴磊，涂乐义，梁洁，
申请(专利权)人：上海谙邦半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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