【技术实现步骤摘要】
一种光伏电池片生产的磷扩散控制工艺及其控制系统
[0001]本专利技术涉及光伏
,具体的说是涉及太阳能电池制造中的多晶硅片的磷扩散工艺,更具体的说是涉及一种光伏电池片生产的磷扩散控制工艺及其控制系统
。
技术介绍
[0002][0003]目前传统的多晶硅扩散工艺,温度较高,用的氮气和三氯氧磷的流量都比较高
。
这样扩散后的硅片表面磷的浓度较高,“死层”较厚,大大降低了电池的短波响应,使得多晶硅电池的转化效率不高
。
为了解决这一技术问题,现有专利技术
201110230914.3
中提供了一种多晶硅片的磷扩散工艺,采用十步扩散步骤,利用低温扩散提高电池片的转换效率
。
[0004]然而低温扩散虽然能够在一定程度上保护扩散炉,延长扩散炉的使用寿命,降低电的消耗量,降低太阳能电池的加工成本,然而由于其温度的降低导致的时间的延长也制约了生产效率,然而这种低温扩散思路仍然是值得被借鉴和采纳的,只不过需要更为科学的扩散方法,既能够满足生产效率,又能够提高电池片的转换效率
。
[0005]因此,如何在低温扩散的基础上,提供一种可平衡控制温度和生产效率的光伏电池片生产的磷扩散控制工艺及其控制系统,是本领域技术人员亟需解决的问题
。
技术实现思路
[0006]有鉴于此,本专利技术提供了一种光伏电池片生产的磷扩散控制工艺及其控制系统,旨在解决上述技术问题
。
[0007]为了实现上述目的,本专利技术采用 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.
一种光伏电池片生产的磷扩散控制工艺,其特征在于,包括:第一步升温扩散:通入氮气,扩散时间
800
~
1000s
,炉中温度由
800℃
逐渐升至
900℃
;第二步低温扩散:通入低温气体,并通入氮气和氧气,扩散时间
300
~
400s
,炉中温度不低于
800℃
;第三步升温扩散:通入氮气
、
氧气和三氯氧磷,扩散时间
800
~
1200s
,炉中温度由第二步最终的温度逐渐升至
900℃
;第四步低温扩散:通入氮气和氧气,扩散时间
800
~
1000s
,炉中温度不低于
800℃
;第五步恒温扩散:通入氮气,扩散时间
800
~
1000s
,炉中温度为
800℃
至
830℃。2.
根据权利要求1所述的一种光伏电池片生产的磷扩散控制工艺,其特征在于,在第一步升温扩散中,炉中温度由
800℃
升至
900℃
用时控制在
500
~
600s。3.
根据权利要求1所述的一种光伏电池片生产的磷扩散控制工艺,其特征在于,在第二步低温扩散中,通入的低温气体温度在
10
~
20℃。4.
根据权利要求1所述的一种光伏电池片生产的磷扩散控制工艺,其特征在于,在第三步升温扩散中,温度升至
900℃
用时控制在
500
~
800s。5.
根据权利要求1所述的一种光伏电池片生产的磷扩散控制工艺,其特征在于,在第四步低温扩散中,炉中温度为
800
~
850℃。6.
根据权利要求1‑5中任一项所述的一种光伏电池片生产的磷扩散控制工艺,其特征在于,在第一步升温扩散中,氮气的通入量为
50000
~
70000ml
;在第二步低温扩散中,氮气的通入量为
8000
~
技术研发人员:魏飞,张梦阳,杨卿瑞,朱耿培,
申请(专利权)人:中润新能源徐州有限公司,
类型:发明
国别省市:
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