一种降压转换器制造技术

本发明专利技术公开了一种降压转换器，属于电能变换技术领域，包括降压转换电路与控制电路，降压转换电路与控制电路连接，降压转换电路包括第一开关

【技术实现步骤摘要】
一种降压转换器


[0001]本专利技术涉及电能变换
，且特别是有关于一种降压转换器
。

技术介绍

[0002]近年来，
DC/DC
变换器的电流控制模式受到广泛关注并迅速发展
。
电流控制模式具有频率补偿电路简单
、
负载调整率好和线性调整率好等优势
。
其中，电流控制模式中的谷值电流控制因其瞬态响应性能好而得到了广泛的应用
。
[0003]在采用电流控制模式的降压变换器（
Buck
变换器）中，电流检测电路是整个系统反馈回路的重要组成部分
。
目前被广泛应用的电流检测方式有串联采样电阻
、MOSFET
自身导通电阻采样和
MOSFET
电流检测等
。
其中，串联采样电阻的功耗较大；
MOSFET
自身导通电阻采样易受温度
、
工艺
、
电压等因素的影响，精度较低
。
与串联采样电阻和/>MOSFET...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种降压转换器，其特征在于，包括降压转换电路与控制电路，所述降压转换电路与所述控制电路连接，所述降压转换电路包括第一开关
、
第二开关
、
第一电感与第一电容，所述第一开关的源极为所述降压转换电路的输入正端，所述第一开关的漏极连接所述第一电感的第一端，所述第一电感的第二端连接所述第一电容的第一端，所述第一电容的第二端接地，所述第二开关的漏极连接所述第一电感的第一端，所述第二开关的源极为所述降压转换电路的输入负端，所述第二开关的源极接地；所述控制电路包括谷值电流检测单元，所述谷值电流检测单元的输入连接所述第二开关的漏极，所述谷值电流检测单元输出第一电压，所述谷值电流检测单元包括第三开关
、
多个金属氧化物半导体型场效应管
、
第一电阻与第一运算放大模块，所述第二开关的栅极连接所述第三开关的栅极，所述第三开关的漏极连接所述第二开关的漏极，第一电源连接第一金属氧化物半导体型场效应管的源极与第二金属氧化物半导体型场效应管的源极，所述第一金属氧化物半导体型场效应管的栅极连接所述第二金属氧化物半导体型场效应管的栅极，所述第二金属氧化物半导体型场效应管的栅极连接所述第二金属氧化物半导体型场效应管的漏极与第三金属氧化物半导体型场效应管的源极，所述第三金属氧化物半导体型场效应管的漏极连接所述第三开关的源极，所述第一运算放大模块的输出端连接所述第三金属氧化物半导体型场效应管的栅极，所述第一运算放大模块的输入正端连接所述第三金属氧化物半导体型场效应管的漏极，所述第一运算放大模块的输入负端接地，所述第一金属氧化物半导体型场效应管的漏极连接所述第一电阻的第一端，所述第一电阻的第二端接地，所述第一电阻两端的电压为所述第一电压
。2.
如权利要求1所述一种降压转换器，其特征在于，所述第一运算放大模块包括多个金属氧化物半导体型场效应管，第二电源连接第四金属氧化物半导体型场效应管的源极与第五金属氧化物半导体型场效应管的源极，所述第四金属氧化物半导体型场效应管的栅极连接所述第五金属氧化物半导体型场效应管的栅极，所述第五金属氧化物半导体型场效应管的栅极与漏极连接第十五金属氧化物半导体型场效应管的漏极，所述第二电源连接第六金属氧化物半导体型场效应管的源极与第七金属氧化物半导体型场效应管的源极，所述第六金属氧化物半导体型场效应管的栅极连接所述第七金属氧化物半导体型场效应管的栅极，所述第七金属氧化物半导体型场效应管的栅极与漏极连接第十二金属氧化物半导体型场效应管的漏极，所述第六金属氧化物半导体型场效应管的漏极连接第八金属氧化物半导体型场效应管的漏极与栅极，所述第八金属氧化物半导体型场效应管的源极接地，所述第四金属氧化物半导体型场效应管的漏极连接第九金属氧化物半导体型场效应管的漏极，所述第八金属氧化物半导体型场效应管的栅极连接所述第九金属氧化物半导体型场效应管的栅极，所述第九金属氧化物半导体型场效应管的源极接地，所述第二电源连接第十金属氧化物半导体型场效应管的源极，所述第十金属氧化物半导体型场效应管的漏极连接第十三金属氧化物半导体型场效应管的漏极与栅极，所述第十三金属氧化物半导体型场效应管的栅极连接所述第十二金属氧化物半导体型场效应管的栅极，所述第二电源连接第十一金属氧化物半导体型场效应管的源极，所述第十一金属氧化物半导体型场效应管的漏极连接第十四金属氧化物半导体型场效应管的漏极与栅极，所述第十四金属氧化物半导体型场效应管的栅极连接所述第十五金属氧化物半导体型场效应管的栅极，所述第十二金属氧化物半导体型场效应管的源极连接所述第十四金属氧化物半导体型场效应管的源极为所述第一
运算放大模块的输入正端，所述第十三金属氧化物半导体型场效应管的源极连接所述第十五金属氧化物半导体型场效应管的源极所述第一运算放大模块的输入负端，所述第十金属氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈涌楠，付玮，刘杰，宋健，于利民，
申请(专利权)人：江苏展芯半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：