多晶制造技术

本发明专利技术的课题是提供虽然晶体粒径小但体积电阻率小的多晶

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多晶SiC成型体及其制造方法


[0001]本专利技术涉及多晶
SiC
成型体及其制造方法
。

技术介绍

[0002]多晶
SiC(
碳化硅
)
成型体，其机械强度特性
、
电特性
、
耐热性
、
化学稳定性等优异，用于各种产业用途
。
例如，
SiC
成型体在高温气氛且高纯度气氛中使用
。
作为普通用途，可举出：虚拟晶圆
、
构成半导体制造装置的部件等半导体制造装置用部件等
。
[0003]例如，作为半导体制造装置用部件的多晶
SiC
成型体一般为圆板状
。
多晶
SiC
成型体以
CVD
膜的成长方向为主面，如果是圆板状的成型体，则以除侧面以外的表面至背面为主面
。
多晶
SiC
成型体的厚度随着成膜时间而变化，可形成为任何厚度
。
>已知圆片的直径为<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种多晶
SiC
成型体，其中，平均晶体粒径为5μ
m
以下，氮浓度为
2.7
×
10
19
～
5.4
×
10
20
(
个
/cm3)
，载流子密度与霍尔迁移率的乘积为
4.0
×
10
20
～
6.0
×
10
21
(
个
/cmVsec)。2.
根据权利要求1所述的多晶
SiC
成型体，其中，体积电阻率为
0.020
Ω
·
cm
以下
。3.
一种多晶
SiC
成型体的制造方法，其中，所述多晶
SiC
成型体为权利要求1或2所述的多晶
SiC
成...

【专利技术属性】
技术研发人员：饭田卓志，神藤博之，大石昇平，高桥郁哉，牛岛裕次，屋敷田励子，
申请(专利权)人：东海炭素株式会社，
类型：发明
国别省市：