【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及sic成型体及sic成型体的制造方法。
技术介绍
1、碳化硅(sic)成型体的重要特性之一是电特性。例如，提出了具有特定电阻率的各种sic成型体。
2、下述专利文献1公开了通过cvd法得到的碳化硅体。碳化硅体含有0.1～100ppm的氮元素，具有0.01～10ω·cm的比电阻。另外，硅以外的金属元素的含量为10ppm以下。
3、下述专利文献2公开了具有0.050ω·cm以下的电阻率的多晶sic成型体。
4、现有技术文献
5、专利文献
6、专利文献1：日本特开2001-220237号公报
7、专利文献2：日本特开2021-054667号公报。
技术实现思路
1、专利技术所要解决的课题
2、本公开的目的在于提供低电阻的sic成型体和上述sic成型体的制造方法。
3、用于解决技术问题的技术方案
4、本公开包含以下实施方式。
5、<1>一种sic成型体，其体积电阻率为7.0×10-3ω·cm以下，氮浓度在超过1000ppm且小于等于4500ppm的范围内。
6、<2>根据<1>所述的sic成型体，其中，通过飞行时间二次离子质谱分析法测定的cn-峰强度相对于sin-峰强度的比率为1.2以上。
7、<3>根据<1>或<2>所述的sic成型体，其中，所述体积电阻率为5.0×
8、<4>一种sic成型体的制造方法，所述sic成型体是<1>所述的sic成型体，所述方法包括：在反应室内准备基板；向所述反应室内提供含有硅和碳的原料气体、含氮掺杂气体、载气、及氯化氢气体，在所述基板上形成sic膜；以及从所述sic膜上除去所述基板，其中，在形成所述sic膜的过程中，所述反应室内的所述氯化氢气体的分压为1000pa以上。
9、专利技术效果
10、本公开的一个实施方式提供一种低电阻的sic成型体。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种SiC成型体，其体积电阻率为7.0×10-3Ω·cm以下，氮浓度在超过1000ppm且小于等于4500ppm的范围内。
2.根据权利要求1所述的SiC成型体，其中，通过飞行时间二次离子质谱分析法测定的CN-峰强度相对于SiN-峰强度的比率为1.2以上。
3.根据权利要求1或2所述的SiC成型体，其中，所述体积电阻率为5.0×10-3Ω·cm以下。
4.一种SiC成型体的制造方法，所述SiC成型体是权利要求1所述的SiC成型体，所述方法包括：
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种sic成型体，其体积电阻率为7.0×10-3ω·cm以下，氮浓度在超过1000ppm且小于等于4500ppm的范围内。
2.根据权利要求1所述的sic成型体，其中，通过飞行时间二次离子质谱分析法测定的cn-峰强度相对于sin...
【专利技术属性】
技术研发人员：今川真百合，大石昇平，黑柳聪浩，屋敷田励子，
申请(专利权)人：东海炭素株式会社，
类型：发明
国别省市：
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