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本公开的目的在于提供低电阻的SiC成型体和上述SiC成型体的制造方法。本公开提供一种SiC成型体，其体积电阻率为7.0×10‑3Ω·cm以下，氮浓度在超过1000ppm且小于等于4500ppm的范围内。...
该专利属于东海炭素株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东海炭素株式会社授权不得商用。

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