一种调节制造技术

本申请涉及碳化硅制备的技术领域，具体公开了一种调节

【技术实现步骤摘要】
一种调节CVD碳化硅中氮含量的方法


[0001]本申请涉及碳化硅制备的
，更具体地说，涉及一种调节
CVD
碳化硅中氮含量的方法
。

技术介绍

[0002]近年来，集成电路制程工艺持续提升
。
目前来看，全球最先进的量产工艺已经达到
5nm
制程，台积电
(
台湾积体电路制造股份有限公司，
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company)
在
2020
年基本可实现
5nm
量产制程，苹果等主流手机厂商的最新款旗舰手机搭载
5nm
制程芯片
。
而除台积电和三星以外，格罗方德
、
联电
、
中芯国际也基本已经将量产制程提升至
14nm
左右，中芯国际继续向
7nm
制程追赶
。
从晶圆代工厂的角度，摩尔定律仍然有效，更高阶制程依然在研发中
。r/>台积电正在向<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种调节
CVD
碳化硅中氮含量的方法，其特征在于，利用
CVD
沉积碳化硅的过程中，反应气体选择氮气和
MTS
气体，并通过调整所述氮气和所述
MTS
气体的分压比来调节所述碳化硅中的氮含量
。2.
根据权利要求1所述的调节
CVD
碳化硅中氮含量的方法，其特征在于，所述氮气和所述
MTS
气体的分压比为
0.1
‑
2.0。3.
根据权利要求1所述的调节
CVD
碳化硅中氮含量的方法，其特征在于，所述氮气和所述
MTS
气体的分压比为
0.5
‑
2.0。4.
根据权利要求1所述的调节
CVD
碳化硅中氮含量的方法，其特征在于，所述氮气和所述
MTS
气体的分压比为
1.1
‑
1.6。5.
根据权利要求1所述的调节
CVD
碳化硅中氮含量的方法，其特征在于，所述氮气和所述
MTS
气体的分压比为
1.2。6.
根据权利要求1所述的调节
CVD
碳化硅中氮含量的方法，其特征在于，所述方法具体包括以下步骤：（
a
）将沉积衬底放置到化学气相沉积设备的反应室中，并将反应室抽成真空；（
b
）将反应室升温至
1100
‑
1400℃
，向反应室内通入氢气
、
氩气
、
氮气和
MTS
气体，设定氮气和

【专利技术属性】
技术研发人员：王力，张慧，包根平，李靖晗，
申请(专利权)人：北京亦盛精密半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：