【技术实现步骤摘要】
本技术涉及碳化硅气相沉积炉设备领域,具体为一种用于化学气相沉积碳化硅的分气路控制装置。
技术介绍
1、化学气相沉积(chemical vapour deposition,cvd)是一种生产高纯碳化硅固体材料的一种重要工艺方式。工业上常用的化学气相沉积碳化硅的反应物为液态,以甲基三氯硅烷(mts)为代表,该物质有毒、易燃、易挥发、具有腐蚀性,可经化学气相沉积生成碳化硅固体薄膜。
2、在碳化硅化学气相沉积的工业生产中,炉腔通常具有一定尺寸。为提高沉积的均一性,保证沉积时炉腔内反应物-副产物浓度的动态平衡,进气管道需要分布在炉腔不同位置,并保证各位置进气管道分别具有反应气量的精准控制能力。
3、目前实现该方式的途径为:通过控制输出压力,间接控制各进气管道的气量大小。该目前手段无法准确直接控制气量。且管道内径,管道距离长度等客观因素,对不同进气口的影响差异也很大。
4、因mts具有较低的饱和蒸气压,可气化并伴随载气运输,通过各路气流控制装置后,进入反应炉腔,完成沉积目的。通常可用mfc对气量作精准控制。
>5、但在实际本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种用于化学气相沉积碳化硅的分气路控制装置,包括反应气体输出罐(1)、罐体压力表(2)、主气路阀门(3)、分气路近端阀门(4)、分气路MFC控制器(5)、分气路远端阀门(6)、沉积炉腔(7)、炉腔真空计(8)和真空泵(9),其特征在于:真空泵(9)设置于沉积炉腔(7)的右侧并与之内表腔连通,沉积炉腔(7)的底部间距连通有数个支路管,且每个支路管内自上而下依次设置有分气路远端阀门(6)、分气路MFC控制器(5)和分气路近端阀门(4);
2.根据权利要求1所述的一种用于化学气相沉积碳化硅的分气路控制装置,其特征在于:还包括进气泵(10),进气泵(10)设置
...【技术特征摘要】
1.一种用于化学气相沉积碳化硅的分气路控制装置,包括反应气体输出罐(1)、罐体压力表(2)、主气路阀门(3)、分气路近端阀门(4)、分气路mfc控制器(5)、分气路远端阀门(6)、沉积炉腔(7)、炉腔真空计(8)和真空泵(9),其特征在于:真空泵(9)设置于沉积炉腔(7)的右侧并与之内表腔连通,沉积炉腔(7)的底部间距连通有数个支路管,且每个支路管内自上而下依次设置有分气路远端阀门(6)、分气路mfc控制器(5)和分气路近端阀门(4);
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【专利技术属性】
技术研发人员:包根平,李靖晗,张慧,王力,
申请(专利权)人:北京亦盛精密半导体有限公司,
类型:新型
国别省市:
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