【技术实现步骤摘要】
太阳能电池及其制造方法
[0001]本公开涉及太阳能电池
,尤其涉及太阳能电池及其制造方法
。
技术介绍
[0002]太阳能电池是一种利用光电效益
、
光化学效应将光能转化为电能的装置,能够通过吸收太阳光直接进行发电的光电半导体薄片
。
[0003]太阳能电池目前主要使用的是硅太阳能电池,硅太阳能电池是以硅半导体材料制成的大面积
PN
结经串联
、
并联构成
。
当光照射到半导体
PN
结上时,半导体
PN
结吸收光能后,两端产生电动势,这种现象称为光伏效应
。
由于
PN
结耗尽区存在着较强的内建电场,因而产生在耗尽区中的电子和空穴,在内建静电场的作用下,各向相反方向运动,离开耗尽区,结果使
P
区电势升高,
N
区电势降低,
PN
结两端形成光生电动势,这就是
PN
结的光生伏效应
。
...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种太阳能电池的制造方法,其特征在于,包括:制作光电转换部;使用第一网版,在所述光电转换部的正面形成第一电极和与所述第一电极连接的主栅;使用第二网版,在所述光电转换部的正面形成横跨所述主栅且与所述主栅连接的细栅
。2.
根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法,其特征在于,使用第一网版,在所述光电转换部的正面形成第一电极和与所述第一电极连接的主栅,还包括:使用第一网版,在所述光电转换部的正面形成第一电极
、
与所述第一电极连接的主栅和位于所述主栅两端的鱼叉结构
。3.
根据权利要求2所述的太阳能电池的制造方法,其特征在于,在所述第一网版中,所述主栅及鱼叉结构对应的孔宽度为
10
‑
100
μ
m。4.
根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法,其特征在于,所述制作光电转换部,包括:在基底的正面形成发射极,所述发射极与所述基底的掺杂类型相反,共同构成所述光电转换部;所述太阳能电池的制造方法还包括:在所述基底的背面依次制作铝掺杂层
、
钝化层及第二电极,所述钝化层覆盖所述铝掺杂层,所述第二电极穿过所述钝化层与所述铝掺杂层电连接,所述铝掺杂层与所述基底的掺杂类型相同;或者,在所述基底的背面制作钝化层
、
及位于所述钝化层中的铝掺杂层和第二电极,所述第二电极位于所述铝掺杂层背离所述基底的一侧并与所述铝掺杂层电连接,所述铝掺杂层与所述基底的掺杂类型相同;或者,在所述基底的背面依次形成隧穿传输层
、
多晶硅层
、
钝化层及第二电极,所述第二电极穿过所述钝化层并与所述多晶硅层接触电连接
。5.
根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法,其特征在于,所述制作光电转换部包括:制作基于异质结结构的光电转换部;所述太阳能电池的制造方法还包括:在所述异质结结构的两侧表面分别形成第一透明导电层和第二透明导电层,所述第一透明导电部位于所述光电转换部的正面,所述第一电极穿过所述第一透明导电层并与所述光电转换部接触连接;在所述第二透明导电层背离所述光电转换部的一侧形成第二电...
【专利技术属性】
技术研发人员:李松江,陈青,简磊,夏斯阳,孟承启,冯德魁,潘闻景,董龙辉,苏晓峰,王榕,郭超,辛体伟,
申请(专利权)人:天合光能股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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