用于光电器件的有机分子制造技术

发明专利技术涉及一种有机分子，具体地，用于应用在光电器件中的有机分子

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于光电器件的有机分子


[0001]专利技术涉及有机分子以及有机分子在有机发光二极管
(OLED)
中和在其它光电器件中的应用
。

技术介绍

技术实现思路

[0002]本专利技术的目的在于提供适用于光电器件的有机分子
。
[0003]该目的通过提供了一种新型的有机分子的专利技术来实现
。
[0004]根据专利技术，有机分子是纯有机分子，即，与已知用于光电器件中的金属配合物相比，它们不包含任何金属离子
。
然而，专利技术的有机分子可以包括准金属
(
具体地，
B、Si、Sn、Se
和
/
或
Ge)。
[0005]根据专利技术的有机分子优选地在天蓝色
、
绿色或黄色光谱范围内
(
优选地，在绿色光谱范围内
)
表现出发射最大值
。
有机分子优选地表现出在
470nm
与
580nm
之间
(
优选地在
490nm
与
560nm
之间，更优选地在
500nm
与
560nm
之间，甚至更优选地在
510nm
与
550nm
之间，最优选地在
520nm
与
540nm
之间
)
的发射最大值
。
根据专利技术的有机分子的光致发光量子产率优选地等于或高于
10
％，更优选地等于或高于
20
％，甚至更优选地等于或高于
30
％，特别地等于或高于
40
％，特别优选地等于或高于
50
％
。
具体地，专利技术的有机分子表现出热激活延迟荧光
(TADF)。
在例如有机发光二极管
(OLED)
的光电器件中使用根据专利技术的有机分子导致器件的较高效率
。
对应的
OLED
具有比具有已知的发射体材料的
OLED
高的稳定性和相当的颜色，并且
/
或者通过在
OLED
显示器中采用根据专利技术的有机分子，实现了更精确的本质上可视颜色的再现，即，显示图像的较高分辨率
。
具体地，有机分子可以与荧光发射体组合使用以实现所谓的超荧光
。
[0006]根据专利技术的有机分子
[0007]根据专利技术的有机分子包括第一化学部分和第二化学部分，或者由第一化学部分和第二化学部分组成，
[0008]第一化学部分包括式
I
的结构或由式
I
的结构组成：
[0009][0010]第二化学部分包括式
II
的结构或由式
II
的结构组成：
[0011][0012]其中，
[0013]第一化学部分经由单键连接到第二化学部分；
[0014]W
是将第一化学部分连接到第二化学部分的单键的结合位，
[0015]L
是由式
BN
‑
I
的结构组成的连接基，
[0016][0017]其中，虚线表示如式
I
中所示的结合位，
[0018]#
表示第一化学部分与第二化学部分的结合位；
[0019]Z
在每次出现时彼此独立地选自于由直连键
、CR3R4、C
＝
CR3R4、C
＝
O、C
＝
NR3、NR3、O、SiR3R4、S、S(O)
和
S(O)2组成的组；
[0020]R1和
R2在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘
(D)
；
CN
；
CF3；苯基
(Ph)
；
C1‑
C5烷基，其中，一个或更多个氢原子可选地被氘取代；
C2‑
C8烯基，其中，一个或更多个氢原子可选地被氘取代；
C2‑
C8炔基，其中，一个或更多个氢原子可选地被氘取代；
C6‑
C
18
芳基，可选地取代有一个或更多个取代基
R6；以及
C3‑
C
17
杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基
R6；
[0021]R
a
、R3和
R4在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；
N(R5)2；
OR5；
Si(R5)3；
B(OR5)2；
OSO2R5；
CF3；
CN
；
F
；
Br
；
I
；
C1‑
C
40
烷基，可选地取代有一个或更多个取代基
R5，并且其中，一个或更多个不相邻的
CH2基团可选地被
R5C
＝
CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C
＝
O、C
＝
S、C
＝
Se、C
＝
NR5、P(
＝
O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S
或
CONR5取代；
C1‑
C
40
烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基
R5，并且其中，一个或更多个不相邻的
CH2基团可选地被
R5C
＝
CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C
＝
O、C
＝
S、C
＝
Se、C
＝
NR5、P(
＝
O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S
或
CONR5取代；
C1‑
C
40
硫代烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基
R5，并且其中，一个或更多个不相邻的
CH2基团可选地被
R5C
＝
CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C
＝
O、C
＝
S、C
＝
Se、C
＝
NR5、P(
＝
O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S
或
CONR5取代；
C2‑
C
40
烯基，可选地取代有一个或更多个取代基
R5，并且其中，一个或更多个不相邻的
CH2基团可选地被
R5C
＝
CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种有机分子，所述有机分子包括第一化学部分和第二化学部分，第一化学部分包括式
I
的结构：第二化学部分包括式
II
的结构：其中，所述第一化学部分经由单键连接到所述第二化学部分；
W
是将所述第一化学部分连接到所述第二化学部分的单键的结合位，
L
是由式
BN
‑
I
的结构组成的连接基，其中，虚线表示如式
I
中所示的结合位，
#
表示所述第一化学部分与所述第二化学部分的结合位；
Z
在每次出现时彼此独立地选自于由直连键
、CR3R4、C
＝
CR3R4、C
＝
O、C
＝
NR3、NR3、O、SiR3R4、S、S(O)
和
S(O)2组成的组；
R1和
R2在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；
CN
；
CF3；苯基；
C1‑
C5烷基，其中，一个或更多个氢原子可选地被氘取代；
C2‑
C8烯基，其中，一个或更多个氢原子可选地被氘取代；
C2‑
C8炔基，其中，一个或更多个氢原子可选地被氘取代；
C6‑
C
18
芳基，可选地取代有一个或更多个取代基
R6；以及
C3‑
C
17
杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基
R6；
R
a
、R3和
R4在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；
N(R5)2；
OR5；
Si(R5)3；
B(OR5)2；
OSO2R5；
CF3；
CN
；
F
；
Br
；
I
；
C1‑
C
40
烷基，可选地取代有一个或更多个取代基
R5，并且其中，一个或更多个不相邻的
CH2基团可选地被
R5C
＝
CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C
＝
O、C
＝
S、C
＝
Se、C
＝
NR5、P(
＝
O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S
或
CONR5取代；
C1‑
C
40
烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基
R5，并且其中，一个或更多个不相邻的
CH2基团可选地被
R5C
＝
CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C
＝
O、C
＝
S、C
＝
Se、C
＝
NR5、P(
＝
O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S
或
CONR5取代；
C1‑
C
40
硫代烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基
R5，并且其中，一个或更
多个不相邻的
CH2基团可选地被
R5C
＝
CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C
＝
O、C
＝
S、C
＝
Se、C
＝
NR5、P(
＝
O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S
或
CONR5取代；
C2‑
C
40
烯基，可选地取代有一个或更多个取代基
R5，并且其中，一个或更多个不相邻的
CH2基团可选地被
R5C
＝
CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C
＝
O、C
＝
S、C
＝
Se、C
＝
NR5、P(
＝
O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S
或
CONR5取代；
C2‑
C
40
炔基，可选地取代有一个或更多个取代基
R5，并且其中，一个或更多个不相邻的
CH2基团可选地被
R5C
＝
CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C
＝
O、C
＝
S、C
＝
Se、C
＝
NR5、P(
＝
O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S
或
CONR5取代；
C6‑
C
60
芳基，可选地取代有一个或更多个取代基
R5；以及
C3‑
C
57
杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基
R5；
R5在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；
N(R6)2；
OR6；
Si(R6)3；
B(OR6)2；
OSO2R6；
CF3；
CN
；
F
；
Br
；
I
；
C1‑
C
40
烷基，可选地取代有一个或更多个取代基
R6，并且其中，一个或更多个不相邻的
CH2基团可选地被
R6C
＝
CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C
＝
O、C
＝
S、C
＝
Se、C
＝
NR6、P(
＝
O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S
或
CONR6取代；
C1‑
C
40
烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基
R6，并且其中，一个或更多个不相邻的
CH2基团可选地被
R6C
＝
CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C
＝
O、C
＝
S、C
＝
Se、C
＝
NR6、P(
＝
O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S
或
CONR6取代；
C1‑
C
40
硫代烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基
R6，并且其中，一个或更多个不相邻的
CH2基团可选地被
R6C
＝
CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C
＝
O、C
＝
S、C
＝
Se、C
＝
NR6、P(
＝
O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S
或
CONR6取代；
C2‑
C
40
烯基，可选地取代有一个或更多个取代基
R6，并且其中，一个或更多个不相邻的
CH2基团可选地被
R6C
＝
CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C
＝
O、C
＝
S、C
＝
Se、C
＝
NR6、P(
＝
O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S
或
CONR6取代；
C2‑
C
40
炔基，可选地取代有一个或更多个取代基
R6，并且其中，一个或更多个不相邻的
CH2基团可选地被
R6C
＝
CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C
＝
O、C
＝
S、C
＝
Se、C
＝
NR6、P(
＝
O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S
或
CONR6取代；
C6‑
C
60
芳基，可选地取代有一个或更多个取代基
R6；以及
C3‑
C
57
杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基
R6；
R6在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；
OPh
；
CF3；
CN
；
F
；
C1‑
C5烷基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘
、CN、CF3或
F
取代；
C1‑
C5烷氧基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘
、CN、CF3或
F
取代；
C1‑
C5硫代烷氧基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘
、CN、CF3或
F
取代；
C2‑
C5烯基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘
、CN、CF3或
F
取代；
C2‑
C5炔基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘
、CN、CF3或
F
取代；
C6‑
C
18
芳基，可选地取代有一个或更多个
C1‑

【专利技术属性】
技术研发人员：R，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：