含氮化合物制造技术

本申请属于有机电致发光技术领域，涉及一种含氮化合物及使用其的有机电致发光器件和电子装置，该含氮化合物具有如式1所示的结构，将该含氮化合物用于有机电致发光器件中，能够改善有机电致发光器件的性能

【技术实现步骤摘要】
含氮化合物、有机电致发光器件和电子装置


[0001]本申请涉及有机电致发光材料
，尤其涉及一种含氮化合物
、
有机电致发光器件和电子装置
。

技术介绍

[0002]有机电致发光器件，例如有机发光二极管
(OLED)
，通常包括相对设置的阴极和阳极，以及设置于阴极和阳极之间的功能层
。
该功能层由多层有机或者无机膜层组成，且一般包括有机发光层
、
空穴传输层
、
电子传输层等
。
当阴阳两极施加电压时，两电极产生电场，在电场的作用下，阴极侧的电子向电致发光层移动，阳极侧的空穴也向发光层移动，电子和空穴在电致发光层结合形成激子，激子处于激发态向外释放能量，进而使得电致发光层对外发光
。
[0003]现有的有机电致发光器件中，最主要的问题为寿命和效率，随着显示器的大面积化，驱动电压也随之提高，发光效率及电流效率也需要提高，因此，有必要继续研发新型的材料，以进一步提高有机电致发光器件的性能
。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于提供一种含氮化合物
、
有机电致发光器件和电子装置，以改善有机电致发光器件的性能
。
[0005]为实现上述专利技术目的，根据本申请的第一个方面，提供一种含氮化合物，具有式
I
所示的结构：
[0006][0007]式1中，环
A
和环
B
各自独立地选自碳原子数为6‑
16
的芳环；
[0008]Het
是碳原子数为3～
20
的含氮亚杂芳基；
[0009]L、L1和
L2相同或不同，且各自独立地选自单键
、
碳原子数为6～
30
的取代或未取代的亚芳基
、
碳原子数为3～
30
的取代或未取代的亚杂芳基；
[0010]Ar1和
Ar2相同或不同，且各自独立地选自氢
、
碳原子数为6～
40
的取代或未取代的芳基
、
碳原子数为3～
40
的取代或未取代的杂芳基；
[0011]L、L1、L2、Ar1和
Ar2中的取代基相同或不同，且各自独立地选自氘
、
氰基
、
卤素基团
、
碳原子数为1～
10
的烷基
、
碳原子数为1～
10
的卤代烷基
、
碳原子数为1～
10
的氘代烷基
、
碳
原子数为3～
12
的三烷基硅基
、
三苯基硅基
、
碳原子数为6～
20
的芳基
、
碳原子数为3～
20
的杂芳基
、
碳原子数为6～
20
的膦酰基
、
碳原子数为3～
10
的环烷基
、
碳原子数为1～
10
的烷氧基
、
碳原子数为1～
10
的烷硫基
、
碳原子数为6～
20
的芳氧基或碳原子数为6～
20
的芳硫基；任选地，
Ar1、Ar2中，任意两个相邻的取代基形成饱和或不饱和的3～
15
元环；
[0012]各
R1、R2、R3和
R4相同或不同，且各自独立地选自氘
、
氰基
、
卤素基团
、
碳原子数为1～
10
的烷基
、
碳原子数为1～
10
的卤代烷基
、
碳原子数为1～
10
的氘代烷基
、
碳原子数为3～
12
的三烷基硅基
、
碳原子数为6～
20
的芳基
、
碳原子数为3～
20
的杂芳基或碳原子数为3～
10
的环烷基；
[0013]n1代表
R1的个数，
n2代表
R2的个数，
n1和
n2各自独立地选自
0、1、2、3、4、5、6、7
或
8。
[0014]本专利技术提供一种以咔唑及其衍生物为主体基团，且在咔唑及其衍生物的9号位连接四氢化萘，增加其扭曲性，减少分子间堆积，避免结晶
。
而其中的杂芳基片段因为其平面性和刚性表现出较强的发光特性，且显著提高材料的热稳定性和电子亲和力
。
本申请化合物具有比较立体的结构，能提高器件性能，提高器件效率
。
而其稳定的成膜性，在一定程度上也能改善寿命
。
[0015]根据本申请的第二个方面，提供一种有机电致发光器件，有机电致发光器件包括相对设置的阳极和阴极，以及设于所述阳极和所述阴极之间的功能层；所述功能层包含上述的含氮化合物
。
[0016]根据本申请的第三个方面，提供一种电子装置，所述电子装置包括有上述的有机电致发光器件
。
附图说明
[0017]图1是本申请一种实施方式的有机电致发光器件的结构示意图，其中
100
表示阳极
、200
表示阴极
、300
表示功能层
、310
表示空穴注入层
、321
表示第一空穴传输层
、322
表示第二空穴传输层
、330
表示有机发光层
、340
表示电子传输层
、350
表示电子注入层
。
[0018]图2是本申请一种具体实施方式的电子装置的结构示意图
。
具体实施方式
[0019]现在将参考附图更全面地描述示例实施例
。
然而，示例实施例能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施例使得本申请将更加全面和完整，并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员
。
所描述的特征
、
结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中
。
[0020]在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本申请的实施例的充分理解
。
[0021]在图中，为了清晰，可能夸大了区域和层的厚度
。
在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述
。
[0022]第一方面，本申请提供一种含氮化合物，具有式1所示的结构：
[0023][0024]式1中，环
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
含氮化合物，其特征在于，具有式1所示的结构：式1中，环
A
和环
B
各自独立地选自碳原子数为6‑
16
的芳环；
Het
是碳原子数为3～
20
的含氮亚杂芳基；
L、L1和
L2相同或不同，且各自独立地选自单键
、
碳原子数为6～
30
的取代或未取代的亚芳基
、
碳原子数为3～
30
的取代或未取代的亚杂芳基；
Ar1和
Ar2相同或不同，且各自独立地选自氢
、
碳原子数为6～
40
的取代或未取代的芳基
、
碳原子数为3～
40
的取代或未取代的杂芳基；
L、L1、L2、Ar1和
Ar2中的取代基相同或不同，且各自独立地选自氘
、
氰基
、
卤素基团
、
碳原子数为1～
10
的烷基
、
碳原子数为1～
10
的卤代烷基
、
碳原子数为1～
10
的氘代烷基
、
碳原子数为3～
12
的三烷基硅基
、
三苯基硅基
、
碳原子数为6～
20
的芳基
、
碳原子数为3～
20
的杂芳基
、
碳原子数为6～
20
的膦酰基
、
碳原子数为3～
10
的环烷基
、
碳原子数为1～
10
的烷氧基
、
碳原子数为1～
10
的烷硫基
、
碳原子数为6～
20
的芳氧基或碳原子数为6～
20
的芳硫基；任选地，
Ar1、Ar2中，任意两个相邻的取代基形成饱和或不饱和的3～
15
元环；各
R1、R2、R3和
R4相同或不同，且各自独立地选自氘
、
氰基
、
卤素基团
、
碳原子数为1～
10
的烷基
、
碳原子数为1～
10
的卤代烷基
、
碳原子数为1～
10
的氘代烷基
、
碳原子数为3～
12
的三烷基硅基
、
碳原子数为6～
20
的芳基
、
碳原子数为3～
20
的杂芳基或碳原子数为3～
10
的环烷基；
n1代表
R1的个数，
n2代表
R2的个数，
n1和
n2各自独立地选自
0、1、2、3、4、5、6、7
或
8。2.
根据权利要求1所述的含氮化合物，其中，环
A
和环
B
各自独立地选自苯环
、
萘环
、
蒽环
、
菲环
、
苝环或芘环
。3.
根据权利要求1所述的含氮化合物，其中，所述含氮化合物具有如下式
(1
‑
1)
～式
(1
‑
16)
所示的结构：
4.
根据权利要求1所述的含氮化合物，其中，
Het
选自如下基团：
‑
#
表示与
L
连接的键，表示与
L1连接的键，表示与
L2连接的键；式中不含有的，代表该位置所连接的中，
L2为单键，
Ar2为氢
。5.
根据权利要求1所述的含氮化合物，其中，
Het
选自如下基团：
‑
#
表示与
L
连接的键，表示与
L1连接的键，表示与
L2连接的键；式中不含有的，代表该位置所连接的中，
L2为单键，
Ar2为氢
。6.
根据权利要求1所述的含氮化合物，其中，
L、L1和
L2各自独立地选自单键
、
取代或未取代的亚苯基
、
取代或未取代的亚萘基

【专利技术属性】
技术研发人员：徐先彬，杨敏，杨雷，
申请(专利权)人：陕西莱特光电材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：