半导体器件和无线通信装置制造方法及图纸

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体器件和无线通信装置


[0001]本公开涉及半导体器件和无线通信装置
。

技术介绍

[0002]近年来，开发出了使用氮化物半导体的高电子迁移率晶体管
(HEMT)
等半导体器件
。
高电子迁移率晶体管
(HEMT)
具有高电子迁移率和饱和电子速度，并且具有高耐受电压
。
因此，高电子迁移率晶体管被期望用作高输出和高效率晶体管，诸如高频器件
、
功率器件等
。
[0003]在此，在使用氮化物半导体的半导体器件中，为了提高装置特性，希望减小氮化物半导体的结晶缺陷
。
例如，在氮化物半导体的结晶生长中发生的穿透位错
(threading dislocation)
会引起电流崩溃，由此导致半导体器件的输出波动，因此需要减少穿透位错
。
[0004]例如，下述专利文献1公开了通过在氮化物半导体的层叠体中导入掩模层来减少穿透位错的发生的技术
。
[0005]现有技术文献
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种半导体器件，包括：沟道层，被包括在设置在基板上的氮化物半导体的层叠体中；以及阻挡层，被包括在所述层叠体中的相对于所述沟道层的上层侧上，其中，在所述层叠体中的相对于所述沟道层的下层侧上包括以在所述层叠体的层叠方向上具有至少一个以上的峰值的浓度分布使所述氮化物半导体向
n
型转换的
n
型转换因子，并且包括6×
10
18
cm
‑3以上的用于补偿所述
n
型转换因子的补偿因子的补偿区域被设置在所述层叠体中的相对于所述
n
型转换因子的所述浓度分布的峰值的上层侧上
。2.
根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述
n
型转换因子至少包括包含在所述层叠体中的杂质和缺陷中的一种
。3.
根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述补偿因子至少包括包含在所述层叠体中的杂质和缺陷中的一种
。4.
根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述补偿区域具有
400
Ω
/sq
以上的薄层电阻
。5.
根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述层叠体的与所述基板设置在的表面相对的表面上的穿透位错的密度是3×
109cm
‑2以下
。6.
根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述基板包括
Si、SiC、
蓝宝石
、GaN、AlN
和金刚石中的至少一种以上
。7.
根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述氮化物半导体包括
AlN、InN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、AlScN、SiN、MgN
和
TiN
中的至少一种以上
。8.
根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述补偿区域在所述
n
型转换因子的浓度分布的峰值的上层侧上的
150nm
内的区域中具有所述补偿因子的浓度分布的峰值
。9.
根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述
n
型转换因子包括
Si、Ge
和
O
中的至少一种以上
。10.
根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述补偿因子包括
C、Mg、Fe
和
B
中的至少一种以上
。11.
根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：田才邦彦，牧野贵文，
申请(专利权)人：索尼集团公司，
类型：发明
国别省市：