一种制造技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，提供

【技术实现步骤摘要】
一种MIS
–
HEMT器件、电子设备和制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种
MIS
–
HEMT
器件
、
电子设备和制造方法
。

技术介绍

[0002]近年来，关于高电子迁移率晶体管
(HEMT)
的深入研究已经非常普遍，尤其是对于高功率切换和高频率应用
。III
族氮化物基
HEMT
利用具有不同带隙的两种材料之间的异质结界面来形成量子阱类结构，所述量子阱类结构容纳二维电子气体
(2DEG)
区，从而满足高功率
/
频率装置的需求
。
除了
HEMT
之外，具有异质结构的器件的示例还包括异质结双极晶体管
(heterojunction bipolar transistors,HBT)、
异质结场效应晶体管
(heterojunction field effect transistor,HFET)
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种
MIS
‑
HEMT
器件，其特征在于，包括：衬底
(1)
；外延层
(2)
，形成于所述衬底
(1)
的一侧；栅极介质层
(3)
，形成于所述外延层
(2)
背离所述衬底
(1)
的一侧；层间介质
(5)
，形成于所述栅极介质层
(3)
背离所述外延层
(2)
的一侧；所述层间介质
(5)
形成有接触孔
(51)
和开口
(52)
；所述开口
(52)
贯穿所述栅极介质层
(3)
和所述外延层
(2)
后延伸至所述衬底
(1)
；栅极
(4)
，形成于所述栅极介质层
(3)
背离所述外延层
(2)
的一侧，且位于所述层间介质
(5)
内；栅极顶层金属
(6)
，通过所述接触孔
(51)
与所述栅极
(4)
连接，并通过所述开口
(52)
与所述衬底
(1)
连接
。2.
根据权利要求1所述的
MIS
‑
HEMT
器件，其特征在于，所述栅极顶层金属
(6)
包括：覆盖层
(61)
，通过所述接触孔
(51)
与所述栅极
(4)
背离所述栅极介质层
(3)
的一侧连接；连接件
(62)
，与所述覆盖层
(61)
连接，所述连接件
(62)
位于所述开口
(52)
内并与所述衬底
(1)
连接
。3.
根据权利要求2所述的
MIS
‑
HEMT
器件，其特征在于，所述连接件
(62)
形成于所述开口
(52)
的内壁
。4.
根据权利要求3所述的
MIS
‑
HEMT
器件，其特征在于，所述开口
(52)
的直径沿着朝向所述衬底
(1)
的方向逐渐减小
。5.
根据权利要求1至4任一项所述的
MIS
‑
HEMT
器件，其特征在于，所述开口
(52)
设于所述栅极
(4)
与源极或漏极之间
。6.
根据权利要求1至4任一项所述的
MIS
‑
HEMT
器件，其特征在于，所述层间介质
(5)
形成有多个所述接触孔
(51)
；源极通过对应的所述接触孔
(51)
与源极顶层金属连接；漏极通过对应的所述接触孔
(51)
与漏极顶层金属连接
。7.
根据权利要求1至4任一项所述的
MIS
‑
HEMT
器件，其特征在于，所述外延层
(2)
包括：沟道层
(21)
，设于所述衬底
(1)
的一侧；势垒层
(22)
，形成于所述沟道层
(21)
背离所述衬底
(1)
的一侧；且所述势垒层
(22)
的带隙大于所述沟道层
(21...

【专利技术属性】
技术研发人员：张忠宇，胡凯，何惠欣，
申请(专利权)人：英诺赛科苏州半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：