具有混合反射器的部件及其生产方法技术

提供了用于使用单次点胶构思生产具有混合反射器

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有混合反射器的部件及其生产方法
[0001]本公开内容涉及用于生产具有混合反射器
(hybrid reflector)
的多个光电子部件的方法以及具有混合反射器的光电子部件
。
[0002]使用用于形成用于多个光电子部件的多个反射器的所谓的两次点胶
(two pass dispensing)
构思，在第一次点胶期间形成第一平行坝之后，可以在第二次点胶期间形成与第一坝正交的第二坝
。
为了避免可能导致不良坝交叉的交叉凸起，从而导致不期望的反射器轮廓和较低的产品得色量
(color yield)
，在第二次期间，需要不断地中断第二坝的形成
。
也就是说，使用两次反射器点胶构思，通过使泵送处理加量和减量的循环周期不断地中断该处理以避免坝交叉处的凸起
。
这可能导致低的坝输出
、
坝高度的高变化
、
非线性反射器轮廓和降低的产品得色量
。
[0003]此外，坝点胶的准确度在很大程度上取决于泵定位的准确度
。
因此，使点胶泵加量和减量的处理可能对限定光电子部件的发光表面具有负面影响，并且第二坝必须与芯片表面保持足够大的距离
。
[0004]一个目的是提供用于生产具有反射器的多个光电子部件的高效且简化的方法
。
另一目的是提供具有良好限定的发光表面和提高的得色量的机械上稳定的光电子部件
。
[0005]这些目的通过根据独立权利要求的用于生产具有混合反射器的多个光电子部件的方法以及具有混合反射器的光电子部件来解决
。
该方法和光电子部件的其他实施方式是其他权利要求的主题
。
[0006]根据该方法的至少一个实施方式，为了形成用于多个光电子部件的多个混合反射器，应用了单次点胶构思
。
特别地，通过单个点胶处理形成具有平行的连续坝的坝结构
。
可以在不需要不断地开始和停止点胶处理的情况下利用一个单次连续点胶来完成连续坝中的每个连续坝
。
例如，在生产公差内，连续坝可以形成为具有相同的高度和
/
或相同的宽度
。
在形成连续坝之后，可以沿着平行于连续坝延伸的分割线
(singulating line)
分割连续坝，例如切割成两半，其中每一半可以形成用于多个光电子部件的相邻的混合反射器的侧壁
。
[0007]使用一次点胶构思
(one pass dispensing concept)
，可以例如通过提供具有平行列的第一断开坝的第一坝结构来制备或预制
(
例如，预成型或使用任何其他适当的处理
)
混合反射器中的每个混合反射器的两个相对的第一侧壁
。
混合反射器中的每个混合反射器的两个剩余的相对的第二侧壁可以由特别是使用一次点胶构思的具有平行的第二连续坝的第二坝结构形成
。
形成两个或若干个平行的第二连续坝，结合使用预制的第一断开坝，可以以非常高效的方式即通过使用仅一次运动来形成用于多个光电子部件的多个混合反射器
。
这节省了生产时间
。
此外，由第一断开坝和第二连续坝形成的混合反射器在其几何尺寸或几何形状方面示出较小的变化
。
因此，与使用例如两次点胶构思来形成反射器的情况相比，混合反射器的均匀性或发光表面的均匀性或光电子部件的颜色质量会高得多
。
此外，与使用两次点胶构思的情况相比，所谓的封装产量更可预测
。
[0008]使用单次点胶构思或一次点胶构思来生产混合反射器的制造方法可以理解为意指使用特别是用于形成混合反射器的坝或侧壁的仅一个单个点胶步骤的方法
。
在执行仅一
个点胶步骤之后，可以应用与点胶步骤不同的其他方法步骤，例如用于分割混合反射器，但是不需要或不打算进行用于形成混合反射器的另一点胶步骤
。
[0009]在用于生产具有混合反射器的多个光电子部件的方法的至少一个实施方式中，使用了单次点胶构思
。
根据该方法，提供了布置在壳体结构的多个开口中的多个半导体芯片
。
壳体结构具有升高部分，所述升高部分垂直突出超过半导体芯片并且形成具有平行列的第一断开坝的第一坝结构
。
在俯视图中，同列的第一断开坝在空间上特别是在横向上被中间空间分隔开
。
使用单次点胶构思形成第二坝结构，其中第二坝结构具有平行的第二连续坝
。
第二连续坝填充第一断开坝之间的中间空间，并且由此邻接第一断开坝以形成光电子部件的混合反射器
。
[0010]垂直方向被理解为意指定向为垂直于半导体芯片的或光电子部件的前侧或后侧的方向
。
横向方向被理解为意指平行于半导体芯片的或光电子部件的前侧或后侧的方向
。
垂直方向和横向方向彼此正交
。
[0011]例如，第一断开坝和第二连续坝彼此正交或基本正交
。
通过填充中间空间，第二连续坝可以直接邻接第一断开坝
。
例如，在俯视图中，在生产公差内，第二连续坝不覆盖第一断开坝
。
因此，第二连续坝和第一断开坝一起形成特别是在交叉点处没有凸起的网状结构
。
[0012]根据该方法的至少一个实施方式，第一断开坝和壳体结构的剩余部分一体式形成
。
也就是说，包括第一断开坝的壳体结构由单件构成
。
例如，壳体结构不包括例如使用连接材料彼此连接的单独部件
。
而是，壳体结构仅包括彼此整体连接的整体部件，即不使用任何附加的连接材料
。
这些整体部件可以由相同的材料形成
。
特别地，第一断开坝和壳体结构的剩余部分由相同的材料制成
。
然而，在这种情况下，第一断开坝可以另外涂覆有反射材料，例如涂覆有含
TiO2
的材料
。
因此，如果与壳体结构的剩余部分的材料相比，第一断开坝另外涂覆有反射材料，则它们仍然可以被认为由共同的或相同的材料制成
。
如果壳体结构被分割成多个壳体，则经分割的壳体中的每一个可以是单件形式
。
壳体或壳体结构可以由成型材料制成
。
[0013]根据该方法的至少一个实施方式，在提供壳体结构之前，在共同的制造处理期间形成第一断开坝和壳体结构的剩余部分
。
这样的共同制造处理可以是成型或铸造处理或者其他处理
。
[0014]根据该方法的至少一个实施方式，第一断开坝和壳体结构的剩余部分由不同的材料制成
。
例如，在提供壳体结构之前，在两个不同的制造处理中形成第一断开坝和壳体结构的剩余部分
。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种用于使用单次点胶构思生产具有混合反射器
(6)
的多个光电子部件
(10)
的方法，所述方法包括：
‑
提供被布置在壳体结构
(30)
的多个开口
(32)
中的多个半导体芯片
(1)
，其中，所述壳体结构
(30)
具有升高部分
(31)
，所述升高部分
(31)
垂直突出超过所述半导体芯片
(1)
并且形成具有平行列的第一断开坝
(61)
的第一坝结构，其中，在俯视图中，同列的所述第一断开坝在空间上被中间空间
(6Z)
分隔开；以及
‑
使用所述单次点胶构思形成具有平行的第二连续坝
(62)
的第二坝结构，其中，所述第二连续坝
(62)
填充所述第一断开坝
(61)
之间的所述中间空间
(6Z)
，并且由此邻接所述第一断开坝
(61)
以形成所述光电子部件
(10)
的所述混合反射器
(6)。2.
根据权利要求1所述的方法，其中，通过点胶处理形成具有平行的第二连续坝
(62)
的所述第二坝结构，并且在不需要不断地开始和停止所述点胶处理的情况下，利用一个单次连续点胶来完成所述第二连续坝
(62)
中的每个第二连续坝
(62)。3.
根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述第一断开坝
(61)
和所述壳体结构
(30)
的剩余部分一体式形成并且由相同的材料制成
。4.
根据权利要求3所述的方法，其中，在提供所述壳体结构
(30)
之前，在共同的制造处理期间形成所述第一断开坝
(61)
和所述壳体结构
(30)
的剩余部分
。5.
根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述第一断开坝
(61)
和所述壳体结构
(30)
的剩余部分由不同的材料制成
。6.
根据权利要求5所述的方法，其中，在提供所述壳体结构
(30)
之前，在两个不同的制造处理中形成所述第一断开坝
(61)
和所述壳体结构
(30)
的剩余部分
。7.
根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述第二连续坝
(62)
由与所述第一断开坝
(61)
的材料不同或者与所述第一断开坝
(61)
的材料相同的同一材料制成
。8.
根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述第一断开坝
(61)
和所述第二连续坝
(62)
彼此直接相邻但彼此不交叠
。9.
根据前述权利要求中任一项所述的方法，
‑
其中，在横向方向上，所述壳体结构
(30)
围绕被配置用于电接触所述多个半导体芯片
(1)
的引线框架结构
(20)
，并且
‑
在垂直方向上，所述壳体结构
(30)
在一些地方被布置在所述引线框架结构
(20)
上，并且部分地覆盖所述引线框架结构
(20)
的前侧
(2A、20A)
，其中，所述引线框架结构
(20)
的后侧
(2B、20B)
没有被所述壳体结构覆盖
。10.
根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述半导体芯片
(1)
中的每个半导体芯片
(1)
电连接至布线结构
(5)
，所述布线结构
(5)
被所述第二连续坝
(62)
覆盖，但是没有被所述第一断开坝
(61)
覆盖
。11.
根据前述权利要求中任一项所述的方法，
其中，
‑
沿着贯穿所述第一断开坝
(61)
和
/
或贯穿所述第二连续坝
(62)
的分割线
(9)
分割所述光电子部件
(10)
，并且
‑
所述光电子部件
(10)
中的每个光电子部件
(10)
具有围绕所述半导体芯片
(1)
中的一个半导体芯片
(1)
的混合反射器
(6)
，所述混合反射器
(6)
由所述第一断开坝
(61)
的经分割部分和所述第二连续坝
(62)
的经分割部分形成
。12.
一种光电子部件
(10)
，包括半导体芯片
(1)、
壳体
(3)
和混合反射器
(6)
，其中
‑
所述半导体芯片
(1)
被布置在所述壳体
(3)
的开口
(32)
中，
‑
所述混合反射器
(6)
垂直突出超过所述半导体芯片
(1)
，并且在俯视图中围绕所述半导体芯片
(1)
，并且
‑
所述混合反射器
(6)
包括两个相对的第一侧壁

【专利技术属性】
技术研发人员：陈凯隆，顾建宽，莫赫德，
申请(专利权)人：艾迈斯欧司朗国际有限责任公司，
类型：发明
国别省市：