【技术实现步骤摘要】
CdTe薄膜电池曝光装置
[0001]本公开涉及薄膜电池领域，更具体地涉及一种
CdTe
薄膜电池曝光装置
。
技术介绍
[0002]在
CdTe
薄膜电池的制备工艺中，光刻胶曝光是极其重要的一道工序，光刻胶曝光一方面是将光刻胶的特性发生改变，在显影后留下
P1
线槽的光刻胶，其余区域的光刻胶被清除掉，
P1
线槽内的光刻胶起到绝缘的作用；另一方面，光刻胶可填充
CdTe
薄膜表面的孔隙
(
孔隙会造成短路点
)
，降低载流子的复合率，提升薄膜电池的转换效率
。
[0003]但由于
CdTe
薄膜电池的曝光是底部向顶部曝光的方式，如图1所示，存在透过
P1
线槽内的
UV
点光源
1'
发射的
UV
光线经过
CdTe
薄膜电池曝光装置
100'
的光罩
2'(
通常为不锈钢制成
)
反射到
CdTe
薄膜电池
300
的
CdTe
薄膜表面的光刻胶
200
，经显影后，在
CdTe
薄膜表面出现凸点，后续制备
ZnTe:Cu、MoN、Mo、Al、Cr
等膜层时，因
ZnTe:Cu
和
MoN
等膜层本身属于脆性材质...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种
CdTe
薄膜电池曝光装置，用于
UV
点光源
(1)
发射的
UV
光线透过将要形成的
P1
线槽区域的光刻胶
(200)
对
CdTe
薄膜电池
(300)
从下往上曝光，其特征在于，
CdTe
薄膜电池曝光装置
(100)
包括
UV
光线吸收板
(2)
，
UV
光线吸收板
(2)
用于置于
P1
线槽区域内和
CdTe
层上覆盖有光刻胶
(200)
的
CdTe
薄膜电池
(300)
的上方，
UV
光线吸收板
(2)
包括从下往上依次层叠在一起的高透玻璃
(21)、UV
光线吸收材料
(22)、
胶膜
(23)
和金属板
(24)。2.
根据权利要求1所述的
CdTe
薄膜电池曝光装置，其特征在于，高透玻璃
(21)
为超白玻璃
。3.
根据权利要求1所述的
CdTe
薄膜电池曝光装置，其特征在于，高透玻璃
(21)
的厚度为2‑
6cm。4.
根据权利要求1所述的
CdTe
薄膜电池曝光装置，其特征在于，
UV
光线吸收材料
...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘振新，黄周师，何坤鹏，屈新成，
申请(专利权)人：江苏先导微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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