单晶硅轻微间隙原子缺陷的检测方法技术

本发明专利技术涉及一种单晶硅轻微间隙原子缺陷的检测方法，所属硅片加工检测技术领域，包括如下操作步骤：第一步：采用直拉单晶炉完成硅片的拉晶过程

【技术实现步骤摘要】
单晶硅轻微间隙原子缺陷的检测方法


[0001]本专利技术涉及硅片加工检测
，具体涉及一种单晶硅轻微间隙原子缺陷的检测方法
。

技术介绍

[0002]Cz
法拉制单晶硅的拉制过程受拉速及热场等因素的影响较大，拉速或热场的波动容易引起拉晶缺陷
。
单晶硅点缺陷主要是空位
、
间隙杂质原子等；线缺陷主要是位错；面缺陷主要是堆垛层错
、
挛晶界
、
晶界等；体缺陷主要是孔洞
、
夹杂物等；另外一些缺陷是单晶硅抛光片片加工过程中的二次缺陷，包括划伤
、
坑等抛光加工引起缺陷
。
[0003]晶圆抛光片上的缺陷往往会影响半导体器件的特性
。
比如会产生不均匀的二氧化硅膜生长
、
差的外延膜淀积
、
晶圆里不均匀的掺杂层及其它问题而导致工艺问题
。
因此，缺陷的类型和密度就衬底品质评价而言是极其重要的指数
。
[0004]单晶硅抛光片在芯片厂应用的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种单晶硅轻微间隙原子缺陷的检测方法，其特征在于包括如下操作步骤：第一步：采用直拉单晶炉依次经过装料
、
抽空
、
熔料
、
引晶
、
放肩
、
转肩
、
等径和收尾的工艺流程完成硅片的拉晶过程；第二步：采用切片机对拉晶胚料依次进行定向
、
粘接
、
系统调整
、
上机切割
、
冲洗与去胶和清洗分片的切片工艺过程完成切片作业；第三步：切片半成品料通过双面抛光机和单面抛光机完成加工，实现抛光片成型过程；第四步：硅片完成抛光工艺后通过
KLA
‑
TencorSP5/7
即科天颗粒测定仪进行颗粒检测，颗粒最小尺寸从
19nm
开始测试；第五步：颗粒测试完成后做热氧化，热氧化温度范围为从
800℃
至
1000℃
；第六步：热氧化工艺完成后通过
KLA
‑
TencorSP5/7
即科天颗粒测定仪进行颗粒检测，颗粒最小尺寸从
19nm
开始测试；第七步：通过扫描
SEM
即扫描电子显微镜对硅片进行检测，根据扫描电子显微镜显示图片的缺陷尺寸及形貌确定单晶硅轻微间隙原子缺陷
。2.
根据权利要求1所述的单晶硅轻微间隙原子缺陷的检测方法，其特征在于：抛光的工艺过程依次为双面粗抛
、
双面精抛
、
初清洗
、
单面粗抛

【专利技术属性】
技术研发人员：张沛，
申请(专利权)人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：