一种PN结的扫描电镜测试方法技术

本发明专利技术涉及PN结测试技术领域，具体涉及一种PN结的扫描电镜测试方法，制备待测样品的步骤包括，将待测样品进行机械研磨，离子束研磨仪研磨，镀导电膜；制备所述待测样品的原料包括半导体材料；在用扫描电镜测试待测样品时，采用的加速电压为3~15kV；采用的工作距离为5~15mm；采用的聚光镜值为600~900；采用的束流为30~1000pA。使用本方法可清晰观察到PN结的形貌及结深，无需额外购置其他探测器，不破坏样品成分，环境友好，且能节省测样时间。且能节省测样时间。且能节省测样时间。

【技术实现步骤摘要】
一种PN结的扫描电镜测试方法


[0001]本专利技术涉及PN结测试
，具体涉及一种PN结的扫描电镜测试方法。

技术介绍

[0002]在一块本征半导体两边，使用不同的掺杂工艺，使一边形成P型半导体，另一边形成N型半导体，则在两部分的交界面就会形成一个特殊的区域，称为PN结，通常PN结中的掺杂区从半导体表面延伸到100~200nm的深度，且在现代器件中掺杂区更浅。PN结具有单向导电性，是构成二极管、三极管及可控硅等许多半导体器件的基础，也是现代电子技术的基础。
[0003]在对PN结进行分析时，观测其形貌及结深是很重要的部分。扫描电镜是一款用于科研领域微观形貌分析的重要高端设备，广泛应用于半导体、材料、生物等各个领域，在半导体行业的质量监控与工艺诊断、器件分析、失效分析和可靠性研究中起着至关重要的作用。其原理是用电子枪射出电子束聚焦后在样品表面上做光栅状扫描，通过探测电子作用于样品所产生的信号来观察并分析样品表面的组成、形态和结构，入射电子作用于样品会激发多种信息，如二次电子、背散射电子、吸收电子、俄歇电子、阴极荧光、特征X射线等。利本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种PN结的扫描电镜测试方法，其特征在于，制备待测样品的步骤包括，将待测样品进行机械研磨，离子束研磨仪研磨，镀导电膜；制备所述待测样品的原料包括半导体材料；用扫描电镜测试待测样品时，采用的加速电压为3~15kV；采用的工作距离为5~15mm；采用的聚光镜值为600~900；采用的束流为30~1000pA。2.根据权利要求1所述的PN结的扫描电镜测试方法，其特征在于，采用的加速电压为3~10kV；和/或，采用的工作距离为8~12mm；和/或，采用的聚光镜值为700~800；和/或，采用的束流为200~500pA。3.根据权利要求1或2所述的PN结的扫描电镜测试方法，其特征在于，镀导电膜使用的方法包括离子溅射镀膜法， 所使用的靶材包括金靶、银靶、铂靶、碳靶、钛靶、铬靶、铜靶、镍靶中的至少一种；溅射电流为5~30mA；溅射时间为30~300s；和/或，离子束研磨仪包括聚焦型氩离子束研磨仪、双离子束研磨仪、三离子束研磨仪中的任一种；和/或，离子束研磨仪研磨电压为5~10kV；和/或，离子束研磨仪研磨电流为0.1~1mA；和/或，离子束研磨仪研磨时间为0.5~5h。4.根据权利要求3所述的PN结的扫描电镜测试方法，其特征在于所使用的靶材包括金靶、铂靶中的至少一种；和/或，溅射电流为10~20mA；和/或，溅射时间为60...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘舒，孟祥良，王泓海，矫昱潇，
申请(专利权)人：北京中科科仪股份有限公司，
类型：发明
国别省市：