【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】层叠体、剥离剂组合物以及经加工的半导体基板的制造方法
[0001]本专利技术涉及一种层叠体
、
剥离剂组合物以及经加工的半导体基板的制造方法
。
技术介绍
[0002]就以往在二维的平面方向上集成而得到的半导体晶片而言，以更进一步的集成化为目的，追求将平面进一步向三维方向集成
(
层叠
)
的半导体集成技术
。
该三维层叠是通过硅贯通电极
(TSV
：
through silicon via)
一边接线一边集成为多层的技术
。
在集成为多层时，通过研磨使待集成的各个晶片的与所形成的电路面相反一侧
(
即背面
)
薄化，层叠经薄化的半导体晶片
。
[0003]薄化前的半导体晶片
(
在此也简称为晶片
)
为了利用研磨装置进行研磨而粘接于支承体
。
此时的粘接必须在研磨后容易剥离，因此称为临时粘接
。
该临时粘接必须容易从支承体拆卸，当对拆卸施加较大的力时，有时经薄化的半导体晶片被切断或发生变形，为了不产生这样的情况，容易拆卸
。
但是，在半导体晶片的背面研磨时，因研磨应力而脱离或偏移，这是不优选的
。
因此，临时粘接所追求的性能是：耐受研磨时的应力，研磨后容易拆卸
。
[0004]例如，追求如下性能：相对于研磨时的平面方向具有高应力
(
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种层叠体，其特征在于，具有：半导体基板
、
透光性的支承基板
、
以及设于所述半导体基板与所述支承基板之间的粘接层和剥离层，所述层叠体用于：在所述剥离层吸收了从所述支承基板侧照射的光后所述半导体基板与所述支承基板剥离，所述剥离层是由剥离剂组合物形成的层，所述剥离剂组合物含有具有第一结构和作为第二结构的硅氧烷结构的化合物，所述第一结构是吸收所述光的结构，并且通过吸收所述光而有助于所述半导体基板与所述支承基板变得容易剥离
。2.
根据权利要求1所述的层叠体，其中，所述第一结构具有芳香族环
。3.
根据权利要求2所述的层叠体，其中，所述第一结构具有下述式
(1)
所示的亚苯乙烯基结构，式
(1)
中，
*1
～
*3
表示键合键
。4.
根据权利要求3所述的层叠体，其中，所述剥离剂组合物所含有的所述化合物为选自由如下化合物构成的组中的至少一种：具有下述式
(2
－
1)
所示的结构和下述式
(2
－
2)
所示的重复单元的化合物；具有下述式
(3
－
1)
所示的重复单元和下述式
(3
－
2)
所示的重复单元的化合物；具有下述式
(4
－
1)
所示的重复单元和下述式
(4
－
2)
所示的重复单元的化合物；以及下述式
(5)
所示的化合物，式
(2
－
1)
中，
R1～
R3各自独立地表示氢原子
、
羟基或碳原子数1～6的烃基，
*
表示键合键，式
(2
－
2)
中，
R4表示氢原子
、
羟基或碳原子数1～6的烃基，
X1表示具有所述式
(1)
所示的亚苯乙烯基结构的碳原子数9～
30
的一价基团，
*
表示键合键，
式
(3
－
1)
中，
X
21
表示具有所述式
(1)
所示的亚苯乙烯基结构的碳原子数8～
30
的二价基团，
i
和
j
各自独立地表示0或1，
*
表示键合键，式
(3
－
2)
中，
X
22
表示下述式
(B)
所示的基团，
R
21
和
R
22
各自独立地表示单键或碳原子数1～
10
的亚烷基，
*
表示键合键，式
(B)
中，
R
23
和
R
24
各自独立地表示氢原子
、
羟基或碳原子数1～6的烃基，
n
表示0以上的整数，
*
表示键合键，式
(4
－
1)
中，
X
31
表示具有所述式
(1)
所示的亚苯乙烯基结构的碳原子数8～
30
的二价基团，
i
和
j
各自独立地表示0或1，
*
表示键合键，式
(4
－
2)
中，
X
32
表示所述式
(B)
所示的基团，
R
31
和
R
32
各自独立地表示单键或碳原子数1～
10
的亚烷基，
*
表示键合键，
R
31
与
*1
的碳原子或
*2
的碳原子键合，
R
32
与
*3
的碳原子或
*4
的碳原子键合，
式
(5)
中，
R
41
～
R
44
各自独立地表示氢原子
、
羟基或碳原子数1～
30
的一价基团，
X
41
～
X
44
各自独立地表示氢原子
、
羟基或碳原子数1～
30
的一价基团，其中，
X
41
～
X
44
中的至少一个表示具有所述式
(1)
所示的亚苯乙烯基结构的碳原子数9～
30
的一价基团，需要说明的是，在
X
41
～
X
44
中的两个以上为具有所述式
(1)
所示的亚苯乙烯基结构的碳原子数9～
30
的一价基团的情况下，它们任选地相同或不同
。5.
根据权利要求4所述的层叠体，其中，所述式
(2
－
2)
中，
X1为下述式
(A
－
1)
～
(A
－
4)
中的任意式所示的一价基团，所述式
(3
－
1)
中，
X
21
为下述式
(C)
所示的二价基团，所述式
(4
－
1)
中，
X
31
为下述式
(C)
所示的二价基团，所述式
(5)
中，具有所述式
(1)
所示的亚苯乙烯基结构的碳原子数9～
30
的一价基团为下述式
(D
－
1)
和
(D
－
2)
中的任意式所示的一价基团，式
(A
－
1)
中，
R
101
表示单键或碳原子数1～
10
的亚烷基，
X3表示单键或－
CO
－，
R
102
和
R
103
各自独立地表示氢原子或氰基，
*
表示与所述式
(2
－
2)
中的
Si
的键合键，式
(A
－
2)
中，
R
104
表示单键或碳原子数1～
10
的亚烷基，
R
105
表示氢原子或氰基，
R
106
表示氢原子
、
卤素原子
、
羟基
、
硝基
、
氰基
、
碳原子数1～
10
的烷基
、
碳原子数1～
10
的烷氧基
、
碳原子数1～
10
的卤代烷基或碳原子数1～
10
的卤代烷氧基，
*
表示与所述式
(2
－
2)
中的
Si
的键合键，
式
(A
－
3)
中，
R
107
表示单键或碳原子数1～
10
的亚烷基，
X4表示单键或－
CO
－，
R
108
和
R
109
各自独立地表示氢原子或氰基，
*
表示与所述式
(2
－
2)
中的
Si
的键合键，
R
107
与
*1
的碳原子或
*2
的碳原子键合，式
(A
－
4)
中，
R
110
表示单键或碳原子数1～
10
的亚烷基，
R
111
表示氢原子或氰基，
R
112
表示氢原子
、
卤素原子
、
羟基
、
硝基
、
氰基
、
碳原子数1～
10
的烷基
、
碳原子数1～
10
的烷氧基
、
碳原子数1～
10
的卤代烷基或碳原子数1～
10
的卤代烷氧基，
*
表示与所述式
(2
－
2)
中的
Si
的键合键，
R
110
与
*1
的碳原子或
*2
的碳原子键合，式
(C)
中，
R
25
表示氢原子或氰基，
*1
和
*2
表示键合键，式
(D
－
1)
中，
X
45
表示单键或－
CO
－，
R
45
和
R
46
各自独立地表示氢原子或氰基，
*
表示与所述式
(5)
中的
Si
的键合键，与
Si
键合的亚乙基与环己烷环的
*1
的碳原子或
*2
的碳原子键合，式
(D
－
2)
中，
R
47
表示氢原子或氰基，
R
48
表示氢原子
、
卤素原子
、
羟基
、
硝基
、
氰基
、
碳原子数1～
10
的烷基
、
碳原子数1～
10
的烷氧基
、
碳原子数1～
10
的卤代烷基或碳原子数1～
10
的
卤代烷氧基，
*
表示与所述式
(5)
中的
Si
的键合键，与
Si
键合的亚乙基与环己烷环的
*1
的碳原子或
*2
的碳原子键合
。6.
根据权利要求1～5中任一项所述的层叠体，其中，所述剥离剂组合物包含交联剂
。7.
根据权利要求1～6中任一项所述的层叠体，其中，所述粘接层是由粘接剂组合物形成的层，所述粘接剂组合物含有具有硅氧烷结构的化合物
。8.
根据权利要求7所述的层叠体，其中，所述粘接剂组合物含有固化的成分
(A)。9.
根据权利要求8所述的层叠体，其中，所述成分
(A)
是通过氢化硅烷化反应而固化的成分
。10.
根据权利要求8或9所述的层叠体，其中，所述成分
(A)
含有：具有与硅原子键合的碳原子数2～
40
的烯基的聚有机硅氧烷
(a1)、
具有
Si
－
H
基的聚有机硅氧烷
(a2)、
以及铂族金属系催化剂
(A2)。11.
一种剥离剂组合物，其用于形成层叠体的下述剥离层，所述层叠体具有：半导体基板
、
支承基板
、
以及设于所述半导体基板与所述支承基板之间的粘接层和剥离层，并且所述层叠体用于：在所述剥离层吸收了从所述支承基板侧照射的光后所述半导体基板与所述支承基板剥离，所述剥离剂组合物含有具有第一结构和作为第二结构的硅氧烷结构的化合物，所述第一结构是吸收所述光的结构，并且通过吸收所述光而有助于所述半导体基板与所述支承基板变得容易剥离
。12.
根据权利要求
11
所述的剥离剂组合物，其中，所述第一结构具有芳香族环
。13.
根据权利要求
12
所述的剥离剂组合物，其中，所述第一结构具有下述式
(1)
所示的亚苯乙烯基结构，式
(1)
中，
*1
～
*3
各自独立地表示键合键
。14.
一种剥离剂组合物，其含有具有作为第一结构的下述式
(1)
所示的亚苯乙烯基结构和作为第二结构的硅氧烷结构的化合物，
式
(1)
中，
*1
～
*3
各自独立地表示键合键
。15.
根据权利要求
13
或
14
所述的剥离剂组合物，其中，所述化合物为选自由如下化合物构成的组中的至少一种：具有下述式
(2
－
1)
所示的结构和下述式
(2
－
2)
所示的重复单元的化合物；具有下述式
(3
－
1)
所示的重复单元和下述式
(3
－
2)
所示的重复单元的化合物；具有下述式
(4
－
1)
所示的重复单元和下述式
(4
－
2)
所示的重复单元的化合物；以及下述式
(5)
所示的化合物，式
(2
－
1)
中，
R1～
R3各自独立地表示氢原子
、
羟基或碳原子数1～6的烃基，
*
表示键合键，式
(2
－
2)
中，
R4表示氢原子
、
羟基或碳原子数1～6的烃基，
X1表示具有所述式
(1)
所示的亚苯乙烯基结构的碳原子数9～
30
的一价基团，
*
表示键合键，式
(3
－
1)
中，
X
21
表示具有所述式
(1)
所示的亚苯乙烯基结构的碳原子数8～
30
的二价基团，
i
和
j
各自独立地表示0或1，
*
表示键合键，式
(3
－
2)
中，
X
22
表示下述式
(B)
所示的基团，
R
21
和
R
22
各自独立地表示单键或碳原子数1～
10
的亚烷基，
*
表示键合键，
式
(B)
中，
R
23
和
R
24
各自独立地表示氢原子
、
羟基或碳原子数1～6的烃基，
n
表示0以上的整数，
*
表示键合键，式
(4
－
1)
中，
X
31
表示具有所述式
(1)
所示的亚苯乙烯基结构的碳原子数8～
30
的二价基团，
i
和
j
各自独立地表示0或1，
*
表示键合键，式
(4
－
2)
中，
X
32
表示所述式
(B)
所示的基团，
R
31
和
R
32
各自独立地表示单键或碳原子数1～
10
的亚烷基，
*
表示键合键，
R
31
与
*1
的碳原子或
*2
的碳原子键合，
R
32
与
*3
的碳原子或
*4
的碳原子键合，式
(5)
中，
R
41
～
R
44
各自独立地表示氢原子
、
羟基或碳原子数1～
30
的一价基团，
X
41
～
X
44
各自独立地表示氢原子
、
羟基或碳原子数1～
30
的一价基团，其中，
X
41
～
X
44
中的至少一个表示具有所述式
(1)
所示的亚苯乙烯基结构的碳原子数9～
30
的一价基团，需要说明的是，在
X
41
～
X
44
中的两个以上为具有所述式
(1)
所示的亚苯乙烯基结构的碳原子数9～
30
的一价基...
【专利技术属性】
技术研发人员：绪方裕斗，奥野贵久，新城彻也，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：
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