半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底，包括器件区；屏蔽环结构，位于器件区的基底上，屏蔽环结构中具有开口，用于将屏蔽环结构分为沿第一方向相隔离的第一屏蔽结构和第二屏蔽结构；导电结构，位于器件区的基底上，包括与第一屏蔽结构同侧的第一导电结构

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法
。

技术介绍

[0002]在集成电路
(IC)
中，例如在
CMOS
射频集成电路
(RFIC)
中，感应器件是一种重要的电学器件，其性能参数直接影响了集成电路的性能
。
集成电路中的感应器件大多为平面电感，例如平面螺旋电感
。
与传统的线绕电感相比，平面电感具有成本低
、
易于集成
、
噪声小和功耗低等优点，且平面电感与现有集成电路工艺的兼容性较高
。
[0003]衡量感应器件性能好坏的一个重要指标是品质因数
(Q)
，品质因数越高，表征感应器件的性能越好
。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法，提高器件的工作性能
。
[0005]为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种半导体结构，包括：基底，包括本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，包括器件区；屏蔽环结构，位于所述器件区的基底上，所述屏蔽环结构中具有开口，用于将所述屏蔽环结构分为沿第一方向相隔离的第一屏蔽结构和第二屏蔽结构；导电结构，位于所述器件区的基底上，所述导电结构包括与所述第一屏蔽结构同侧的第一导电结构
、
以及与所述第二屏蔽结构同侧的第二导电结构，所述第一导电结构和第二导电结构均包括沿第二方向延伸的第一引线
、
以及沿所述第一方向延伸且与所述第一引线对应电连接的第二引线，沿所述第一方向，所述第一引线分别位于所述屏蔽环结构两侧，其中，所述第一导电结构的第二引线与所述第二屏蔽结构电连接，所述第二导电结构的第二引线与所述第一屏蔽结构电连接，所述导电结构接地，所述第二方向垂直于所述第一方向
。2.
如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二引线位于所述第一引线上方；所述第一导电结构和第二导电结构均还包括：第一纵向互连结构，位于所述第二引线和第一引线之间，用于在纵向上电连接所述第二引线和第一引线
。3.
如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述屏蔽环结构包括由下而上依次堆叠于所述基底上的多层屏蔽层，且相邻两层屏蔽层相互电连接；所述第一引线与所述屏蔽环结构中最底层的屏蔽层同层，所述第二引线位于所述屏蔽环结构中最顶层的屏蔽层上方
。4.
如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一纵向互连结构与最底层的所述屏蔽层上方的剩余屏蔽环结构位于同层，且在所述纵向上，所述第一纵向互连结构与最底层的所述屏蔽层上方的剩余屏蔽环结构具有相同的剖面结构；所述第一导电结构和第二导电结构均还包括：第二纵向互连结构，位于所述第一纵向互连结构和第二引线之间，且电连接所述第一纵向互连结构和第二引线；第三纵向互连结构，位于所述第二引线和对应电连接的所述屏蔽环结构中最顶层的屏蔽层之间，且电连接所述第二引线和相对应的最顶层的屏蔽层
。5.
如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二引线与所述第一引线同层；所述半导体结构还包括：第一纵向互连结构，位于所述第一引线和基底之间，且在纵向上电连接所述第一引线，所述第一纵向互连结构接地
。6.
如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述屏蔽环结构包括由下而上依次堆叠于所述基底上的多层屏蔽层，且相邻两层屏蔽层相互电连接；所述第一引线和第二引线均位于所述屏蔽结构中最顶层的屏蔽层上方
。7.
如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第一纵向互连结构与所述屏蔽环结构位于同层，且在所述纵向上，所述第一纵向互连结构与屏蔽环结构具有相同的剖面结构；所述第一导电结构和第二导电结构均还包括：第二纵向互连结构，位于所述第一纵向互连结构和第二引线之间，且电连接所述第一纵向互连结构和第一引线；第三纵向互连结构，位于所述第二引线和对应电连接的所述屏蔽环结构中最顶层的屏蔽层之间，且电连接所述第二引线和相对应的最顶层的屏蔽层
。8.
如权利要求1～7中任一项所述的半导体结构，其特征在于，以沿所述第一方向延伸
并经过所述屏蔽环结构中心点的直线为基准线，所述第一导电结构和第二导电结构的第二引线分别位于所述基准线两侧
。9.
如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，每个所述第二引线与所述基准线的间距相等
。10.
如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，每个所述第二引线与所述基准线的间距均为
0.5
μ
m
至5μ
m。11.
如权利要求1～7中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述屏蔽环结构包括多个间隔排列的同心导电环，每个所述导电环均包括分别位于第一屏蔽结构和第二屏蔽结构中的半环；所述第一导电结构的第二引线延伸至与所述第二屏蔽结构中最内侧的半环电连接，所述第二导电结构的第二引线延伸至与所述第一屏蔽结构中最内侧的半环电连接
。12.
如权利要求1～7中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述第一屏蔽结构和第二屏蔽结构均包括沿所述第一方向电隔离的多个子屏蔽结构；所述第一导电结构包括多个第二引线，所述第一导电结构的所述第二引线与第二屏蔽结构中的子屏蔽结构一一对应并电连接；所述第二导电结构包括多个第二引线，所述第二导电结构的所述第二引线与第一屏蔽结构中的子屏蔽结构一一对应并电连接
。13.
如权利要求1～7中任一项所述的半导体结构，其特征在于，沿所述第一方向，所述屏蔽环结构的边缘与相邻第一引线的最小间距为
10
μ
m
至
200
μ
m。14.
如权利要求1～7中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：线圈器件，位于所述屏蔽环结构和导电结构的上方，所述线圈器件在所述基底上的投影位于所述屏蔽环结构所在的区域内；信号引线，与所述线圈器件电连接，所述信号引线为所述线圈器件加载信号
。15.
如权利要求
14
所述的半导体结构，其特征在于，所述基底还包括沿所述第二方向位于所述器件区侧部的加载区；所述半导体结构还包括：位于所述加载区的基底上的信号焊垫
、
以及沿所述第一方向位于所述信号焊垫两侧的接地焊垫；所述第一引线从所述器件区延伸至所述加载区中，并与所述接地焊垫电连接；所述信号引线从所述器件区延伸至所述加载区中，并与所述信号焊垫电连接
。16.
如权利要求
14
所述的半导体结构，其特征在于，所述线圈器件包括电感
。17.
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，包括器件区；在所述器件区的基底上形成屏蔽环结构
、
以及与所述屏蔽环结构电连接的导电结构，所述导电结构接地；其中，所述屏蔽环结构中具有开口，用于将所述屏蔽环结构分为沿第一方向相隔离的第一屏蔽结构和第二屏蔽结构；所述导电结构包括与所述第一屏蔽结构同侧的第一导电结构
、
以及与所述第二屏蔽结构同侧的第二导电结构，所述第一导电结构和第二导电结构均包括沿第二方向延伸的第一引线
、
以及沿所述第一方向延伸且与所述第一引线对应电连接的第二引线，沿所述第一方
向，所述第一引线分别位于所述屏蔽环结构两侧，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晓东，钱蔚宏，王西宁，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：