温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底，包括器件区；屏蔽环结构，位于器件区的基底上，屏蔽环结构中具有开口，用于将屏蔽环结构分为沿第一方向相隔离的第一屏蔽结构和第二屏蔽结构；导电结构，位于器件区的基底上，包括与第一屏蔽结构同侧的第一导电结...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。