一种角度规及硅片研磨装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种角度规及硅片研磨装置，涉及半导体制造技术领域

【技术实现步骤摘要】
一种角度规及硅片研磨装置


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种角度规及硅片研磨装置
。

技术介绍

[0002]扩展电阻技术
(Spreading Resistance Profile
，
SRP)
是一种实验比较法，先测量一系列点接触的扩展电阻，再用校准曲线来确定被测样品在探针接触点附近的电阻率，进而换算成系列测试点所对应的载流子浓度
。SRP
能够给出样品电阻率及载流子浓度从硅片表面
(
外延层
)
到基体随深度变化的详细分布曲线
。
[0003]在进行
SRP
测试之前需要对样品进行前处理，现有技术中通常将经过裁剪的方块状硅片利用石蜡粘到角度规上面，然后放在研磨台上面进行研磨，使硅片方块的厚度方向研磨成一个斜截面，便于进行
SRP
的测试
。
但在研磨的过程中，硅片会在石蜡内松动，导致对外延层和基底的研磨程度不同，进而导致
SRP
测试不准确
。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种角度规，其特征在于，包括：至少一个卡槽
(11)、
至少一个真空通道
(12)
以及角度规本体
(13)
；所述卡槽
(11)
凸出设置于所述角度规本体
(13)
的锥面上，用于固定硅片
(2)
；所述卡槽
(11)
上设置有第一开口
(111)
，所述第一开口
(111)
靠近所述角度规本体
(13)
的顶点设置；所述真空通道
(12)
对应所述卡槽
(11)
设置，且所述真空通道
(12)
的第一端口
(121)
设置在所述锥面上所述第一开口
(111)
和所述角度规本体
(13)
的顶点之间；所述真空通道
(12)
通过所述第一端口
(121)
吸附固定位于所述卡槽
(11)
内的所述硅片
(2)。2.
根据权利要求1所述的角度规，其特征在于，还包括：可移动挡板
(14)
，用于填充所述卡槽
(11)
与所述硅片
(2)
之间的空隙
。3.
根据权利要求2所述的角度规，其特征在于，所述可移动挡板
(14)
，包括：挡板
(141)
以及设置于所述挡板
(141)
侧面的至少一个第一凸起
(142)
；在所述卡槽
(11)
内所述角度规本体
(13)
的所述锥面上还设置有垂直于所述第一开口
(111)
的轨道，用于在将所述可移动挡板
(14)
装入所述卡槽
(11)
内时与所述第一凸起
(142)
相配合
。4.
一种硅片研磨装置，其特征在于，包括：硅片放置台
、
硅片转移模块
、
角度规承载模块
、
研磨模块以及如权利要求1至3任一项所述的角度规；其中，所述硅片放置台用于承载裁剪过的硅片
(2)
；所述硅片转移模块设置于所述硅片放置台以及所述角度规承载模块之间，用于控制所述硅片
(2)
在所述硅片放置台与所述角度规的卡槽
(11)
之间移动；所述角度规承载模块靠近所述研磨模块设置，用于承载所述角度规；所述研磨模块用于对固定于所述卡槽
(11)
内的所述硅片
(2)
进行研磨
。5.
根据权利要求4所述的硅片研磨装置，其特征在于，所述角度规承...

【专利技术属性】
技术研发人员：段应娇，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：