一种双结型场效应晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种双结型场效应晶体管及其制备方法，其包括：衬底

【技术实现步骤摘要】
一种双结型场效应晶体管及其制备方法


[0001]本专利技术属于半导体
，具体涉及一种双结型场效应晶体管及其制备方法
。

技术介绍

[0002]以二硫化钨和
MoS2为代表的二维过渡金属硫化物
(TMDCs)
由于具有原子级的厚度
、
可调节的带隙
、
无表面悬挂键，优越的机械性能，被认为是极具潜力的半导体材料
。Te
作为新兴的元素半导体材料，直接带隙约为
0.35eV
，具有很高的空穴载流子迁移率，较窄的带隙决定了
Te
在近红外波段能够显示出有效的光响应，在光电探测器
、
场效应晶体管等应用领域具有广阔的前景
。
[0003]近年来，随着硅基半导体工艺不断推进，晶体管尺寸已经接近物理极限，半导体器件面临着短沟道效应
、
漏栅极漏电流增大
、
功耗增大的挑战
。
金属
‑
氧化物半导体场效应晶体管
(MOSFET)
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种双结型场效应晶体管，其特征在于，包括衬底，设置于衬底上的绝缘层，设置于所述绝缘层上的
p
型
Te
纳米片，穿插设置于所述
Te
纳米片中
、
与
Te
纳米片呈交叉状的
n
型
MoS2纳米片沟道，所述
Te
纳米片与所述
MoS2纳米片之间构成垂直的双范德华异质结；源电极和漏电极分别设置于所述
MoS2纳米片的两端上，第一顶栅电极和第二顶栅电极分别设置于所述
Te
纳米片的两端上；所述双结型场效应晶体管的亚阈值摆幅小于等于
86mV/dec
，其电流开关比大于等于
104。2.
根据权利要求1的所述双结型场效应晶体管，其特征在于，所述
Te
纳米片由第一
Te
纳米片和第二
Te
纳米片层叠而成，所述
MoS2纳米片设置于第一
Te
纳米片和第二
Te
纳米片之间
。3.
根据权利要求2的所述双结型场效应晶体管，其特征在于，所述第二
Te
纳米片设置于所述
MoS2纳米片上，所述第一顶栅电极和第二顶栅电极分别设置于所述第二
Te
纳米片的两端上
。4.
根据权利要求1至3任一项的所述双结型场效应晶体管，其特征在于，所述
Te
纳米片的厚度为
10nm
～
100nm
；优选地，所述
Te
纳米片的厚度为
60nm
‑
100nm。5.
根据权利要求1至3任一项的所述双结型场效应晶体管，其特征在于，所述
MoS2纳米片的厚度为
10nm
～
100nm
；优选地，所述
MoS2纳米片的厚度为
10nm
～
60nm。6.
根据权利要求1至3任一项的所述双结型场效应晶体管，其特征在于，所述衬底选用
Si
衬底，所述
...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙一鸣，陈薪好，朱玲玉，赵一铭，黎飞，
申请(专利权)人：华南师范大学，
类型：发明
国别省市：