半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置包括：衬底，其包括有源区域；字线结构，其与有源区域交叉并在第一方向上延伸；位线结构，其在第二方向上延伸；位线接触件，其将有源区域的第一杂质区域电连接到位线结构；存储节点接触件，其在位线结构的侧壁上并且电连接到有源区域的第二杂质区域；以及接触阻挡层，其覆盖位线接触件的至少一部分，其中，位线接触件包括具有第一宽度的下部和在下部上并具有第二宽度的上部，第一宽度大于第二宽度，并且接触阻挡层覆盖下部的底表面和侧表面。表面。表面。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2022年5月16日提交于韩国知识产权局的韩国专利申请No.10
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2022
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0059414的优先权，其公开内容整体以引用方式并入本文中。


[0003]实施例涉及一种半导体装置。

技术介绍

[0004]根据电子行业的发展和用户需求，电子装置已变得更小且性能更高。因此，电子装置中使用的半导体装置也需要高度集成且表现出高性能。

技术实现思路

[0005]根据实施例，一种半导体装置包括：衬底，其包括有源区域；
[0006]字线结构，其与有源区域交叉并在第一水平方向上延伸；位线结构，其在衬底上在与第一水平方向相交的第二水平方向上延伸；位线接触件，其将有源区域的第一杂质区域电连接到位线结构；存储节点接触件，其设置在位线结构的侧壁上并且电连接到有源区域的第二杂质区域；以及接触阻挡层，其覆盖位线接触件的至少一部分，其中，位线接触件包括在第一水平方向上具有第一宽度的下部和设置在下部上并在第一水平方向上具有第二宽度的上部本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：衬底，其包括有源区域；字线结构，其与所述有源区域交叉并在第一水平方向上延伸；位线结构，其在所述衬底上在第二水平方向上延伸，所述第二水平方向与所述第一水平方向相交；位线接触件，其将所述有源区域的第一杂质区域电连接到所述位线结构；存储节点接触件，其在所述位线结构的侧壁上并且电连接到所述有源区域的第二杂质区域；以及接触阻挡层，其覆盖所述位线接触件的至少一部分，其中：所述位线接触件包括在所述第一水平方向上具有第一宽度的下部以及在所述下部上并在所述第一水平方向上具有第二宽度的上部，所述第一宽度大于所述第二宽度，并且所述接触阻挡层覆盖所述下部的底表面和侧表面。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述下部在所述第二水平方向上具有第三宽度，所述上部在所述第二水平方向上具有第四宽度，并且所述第三宽度小于所述第四宽度。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第一宽度实质上等于所述第三宽度，并且所述第二宽度小于所述第四宽度。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述位线接触件的所述上部在所述第二水平方向上覆盖所述接触阻挡层的上表面的至少一部分。5.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：在所述位线结构和所述位线接触件之间的上间隔件结构，所述上间隔件结构在所述第一水平方向上覆盖所述接触阻挡层的上表面的至少一部分。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述上间隔件结构将所述存储节点接触件与所述接触阻挡层分离。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述接触阻挡层的上端位于比所述存储节点接触件的下端的水平低的水平处。8.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：围绕所述接触阻挡层的外表面的下间隔件结构，所述下间隔件结构包括沿着所述位线接触件的所述上部的侧表面从所述接触阻挡层的侧表面开始延伸的部分。9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述下间隔件结构包括：第一上表面，其与所述接触阻挡层的上表面共面；以及第二上表面，其位于比所述第一上表面的水平高的水平处。10.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：导电焊盘，其在所述衬底上；绝缘图案，其将所述导电焊盘彼此分离；以及缓冲层，其在所述导电焊盘和所述绝缘图案上，所述存储节点接触件通过所述缓冲层与所述导电焊盘接触。
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中：所述接触阻挡层的上端位于比所述导电焊盘的上表面的水平低的水平处，并且所述接触阻挡层与所述导电焊盘间隔开。12.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：在所述有源区域上的金属半导体化合物图案，所述位线接触件通过所述接触阻挡层与所述金属半导体化合物图案间隔开。13.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：安浚赫，李基硕，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：