【技术实现步骤摘要】
栅极驱动装置
[0001]本专利技术涉及一种半导体开关元件的栅极驱动装置。
技术介绍
[0002]在电力变换装置等功率电子设备中，半导体开关元件的大电流化及高速化正在取得进展。随着半导体开关元件的大电流化及高速化的进展，产生在半导体开关元件关断时所产生的浪涌电压变得过大而使半导体开关元件破损等问题。
[0003]在此，考虑使半导体开关元件的开关速度下降以抑制浪涌电压这样的对策。但是，存在若使开关速度下降则会招致开关损耗增大的问题。
[0004]因此，专利文献1提出了图6所示的栅极驱动装置200。在图6中，半导体开关元件211是反向并联连接有二极管的MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor；金属氧化膜半导体构造的场效应晶体管)，设置于电力变换装置(省略图示)的主电路。栅极驱动器201从栅极电压产生节点经由栅极电阻Rg向半导体开关元件211的栅极端子提供栅极电压，进行半导体开关元件211的接通断开驱动。电感器212是与半导体开关元件211连接...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种栅极驱动装置，具有：栅极驱动电路，其对半导体开关元件进行接通断开驱动，所述半导体开关元件具有第一端子及第二端子、以及用于对所述第一端子与所述第二端子之间的接通断开进行控制的栅极端子；检测部，其对通过所述第一端子和所述第二端子的电流的电流变化率进行检测；以及栅极电流调整电路，其根据在所述半导体开关元件关断时由所述检测部检测出的负的电流变化率的大小，来减少使所述栅极端子的电荷向所述栅极驱动电路放电的放电电流。2.根据权利要求1所述的栅极驱动装置，其中，所述检测部包括插入有流过所述半导体开关元件的电流的电流路径的罗哥夫斯基线圈。3.根据权利要求2所述的栅极驱动装置，其中，具有感应电压检测电路，所述感应电压检测电路对所述罗哥夫斯基线圈中产生的感应电压进行检测，仅在所述电流...
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