二氧化硅玻璃部件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种二氧化硅玻璃部件，其具有多个气泡，该多个气泡的一部分或全部为连通气泡，

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】二氧化硅玻璃部件及其制造方法


[0001]本专利技术涉及二氧化硅玻璃部件及其制造方法
。

技术介绍

[0002]以往，在半导体设备制造中，使用批处理式立式热处理装置，对支撑于多段晶舟的多片晶圆一次性进行成膜处理
。
作为成膜处理，一般有
ALD(
原子层沉积法，
Atomic Layer Depositon)、CVD(
化学气相沉积，
Chemical Vapor Deposition)。
[0003]此时，晶舟的上段侧和下段侧有时不支撑产品晶圆而支撑虚设晶圆
。
通过支撑虚设晶圆而能够提高处理容器内的气体的流通性
、
产品晶圆间的温度的均匀性，提高对产品晶圆进行成膜的均匀性
。
[0004]另外，有时在虚设晶圆的表面通过机械加工而形成凹凸图案
。
通过在虚设晶圆上形成凹凸图案，从而使虚设晶圆的表面积与通常以高密度形成有凹凸图案的产品晶圆的表面积之差变小，处理容器内的气体供给量的偏差变小，因此能够进一步提高产品晶圆间的成膜的均匀性
(
参照专利文献
1)。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特开
2015
－
173154
号公报

技术实现思路

[0008]然而，产品晶圆的凹凸图案逐年不断微细化，随之而来地需要进一步提高虚设晶圆的表面积
。
[0009]在形成有凹凸图案的虚设晶圆中，为了进一步提高表面积，通常需要使凹凸的间距变窄
。
然而，如果形成间距窄的凹凸，则会成为凸部细长的形状，因此有时容易产生碎片
。
碎片变为颗粒，会成为成品率降低的原因
。
[0010]本专利技术是鉴于上述课题而完成的，目的在于提供一种得到在提高表面积的同时抑制了颗粒产生的虚设晶圆的技术
。
[0011]本专利技术涉及以下的
[1]～
[10]。
[0012][1]一种二氧化硅玻璃部件，其具有多个气泡，上述多个气泡的一部分或全部为连通气泡，
S/S0
为
1.5
以上
。
[0013]S
：对从上述二氧化硅玻璃部件中切出的
40mm
×
8mm
×
0.5mm
的样品利用
BET
法而求出的表面积
[0014]S0
：基于上述样品的外形尺寸而求出的几何表面积
[0015][2]根据
[1]所述的二氧化硅玻璃部件，其中，上述
S/S0
为4以上
。
[0016][3]根据
[1]所述的二氧化硅玻璃部件，其中，上述
S/S0
为5以上
。
[0017][4]根据
[1]～
[3]中任一项所述的二氧化硅玻璃部件，其中，通过
X
射线
CT
图像的图像解析而求出的上述气泡的平均气泡直径为
30
μ
m
～
150
μ
m。
[0018][5]根据
[1]～
[4]中任一项所述的二氧化硅玻璃部件，其中，堆积密度为
0.3g/cm3～
2g/cm3。
[0019][6]根据
[1]～
[5]中任一项所述的二氧化硅玻璃部件，其中，上述连通气泡的个数与上述多个气泡的个数的比率为
30
％～
100
％
。
[0020][7]根据
[1]～
[5]中任一项所述的二氧化硅玻璃部件，其中，上述连通气泡的个数与上述多个气泡的个数的比率为
70
％～
100
％
。
[0021][8]根据
[1]～
[7]中任一项所述的二氧化硅玻璃部件，其中，锂
(Li)、
铝
(Al)、
铬
(Cr)、
锰
(Mn)、
镍
(Ni)、
铜
(Cu)、
钛
(Ti)、
钴
(Co)、
锌
(Zn)、
银
(Ag)、
镉
(Cd)、
铅
(Pb)、
钠
(Na)、
镁
(Mg)、
钾
(K)、
钙
(Ca)、
铈
(Ce)
和铁
(Fe)
的各金属杂质的含量分别为
0.5
质量
ppm
以下
。
[0022][9]根据
[1]～
[8]中任一项所述的二氧化硅玻璃部件，其中，作为半导体制造中的立式热处理装置用虚设晶圆使用
。
[0023][10]一种二氧化硅玻璃部件的制造方法，所述二氧化硅玻璃部件具有多个气泡，上述多个气泡的一部分或全部为连通气泡，将对从上述二氧化硅玻璃部件中切出的
40mm
×
8mm
×
0.5mm
的样品利用
BET
法而求出的表面积设为
S
，将基于上述样品的外形尺寸而求出的几何表面积设为
S0
时，
S/S0
为
1.5
以上，所述制造方法包含如下步骤：
[0024]使将硅化合物进行火焰水解所生成的二氧化硅粒子沉积而得到灰料体，
[0025]将上述灰料体在非活性气体气氛下致密化而得到二氧化硅玻璃致密体，
[0026]通过在与得到上述二氧化硅玻璃致密体时相比至少为低压或高温的条件下将上述二氧化硅玻璃致密体多孔化而得到二氧化硅玻璃多孔体，以及
[0027]对上述二氧化硅玻璃多孔体进行加工而得到任意形状的二氧化硅玻璃部件
。
[0028]根据本专利技术，能够得到在提高表面积的同时抑制了颗粒产生的虚设晶圆
。
附图说明
[0029]图1是表示一个实施方式的二氧化硅玻璃部件的图，图1的
(A)
为部件的立体图，图1的
(B)
为
(A)
的
X
－
X
’
箭头方向的截面图
。
[0030]图2是示出假设仅对一个实施方式的二氧化硅玻璃部件的上表面进行清洗时的结构变化的图
。
[0031]图3是示出一个实施方式的二氧化硅玻璃部件的制造方法的流程图
。
[0032]图4是对例1的二氧化硅玻璃部件的切断面进行光学研磨而拍摄到的光学显微镜图像
。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种二氧化硅玻璃部件，其具有多个气泡，所述多个气泡的一部分或全部为连通气泡，
S/S0
为
1.5
以上，
S
：对从所述二氧化硅玻璃部件中切出的
40mm
×
8mm
×
0.5mm
的样品利用
BET
法而求出的表面积，
S0
：基于所述样品的外形尺寸而求出的几何表面积
。2.
根据权利要求1所述的二氧化硅玻璃部件，其中，所述
S/S0
为4以上
。3.
根据权利要求1所述的二氧化硅玻璃部件，其中，所述
S/S0
为5以上
。4.
根据权利要求1～3中任一项所述的二氧化硅玻璃部件，其中，通过
X
射线
CT
图像的图像解析而求出的所述气泡的平均气泡直径为
30
μ
m
～
150
μ
m。5.
根据权利要求1～4中任一项所述的二氧化硅玻璃部件，其中，堆积密度为
0.3g/cm3～
2g/cm3。6.
根据权利要求1～5中任一项所述的二氧化硅玻璃部件，其中，所述连通气泡的个数相对于所述多个气泡的个数的比率为
30
％～
100
％
。7.
根据权利要求1～5中任一项所述的二氧化硅玻璃部件，其中，所述连通气泡的个数相对于所述多个气泡的个数的比率为
70
％～
100
％
。8.
根据权利要求1～7中任一项所述的二氧化硅玻璃部件，其中，锂
Li、
铝
Al...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木寿弥，
申请(专利权)人：AGC，
类型：发明
国别省市：