具有ESD保护电路结构的硅栅MOS集成电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种具有ESD保护电路结构的硅栅MOS集成电路，该硅栅MOS集成电路包括：内部集成模块和静电保护模块；静电保护模块设置于内部集成模块和外接设备之间；静电保护模块用于在检测到外接设备输送的电信号的电压值大于或等于保护触发电压的电压值时，导通外接设备与硅栅MOS集成电路的接地端之间的连通回路。本实用新型专利技术可通过静电保护模块在检测到外接设备输送的电信号为静电大电压信号，即电信号的电压值大于或等于保护触发电压的电压值时，使外接设备输入的电信号在输入内部集成模块之前通过外接设备与硅栅MOS集成电路的接地端之间的连通回路快速释放，进而避免烧毁硅栅MOS集成电路的内部集成模块的意外发生。生。生。

【技术实现步骤摘要】
具有ESD保护电路结构的硅栅MOS集成电路


[0001]本技术涉及ESD保护电路
，尤其涉及一种具有ESD保护电路结构的硅栅MOS集成电路。

技术介绍

[0002]硅栅MOS集成电路是以金属氧化物半导体(MOS)场效应晶体管为主要元件构成的集成电路，现如今随着MOS集成电路的密度逐渐增大和元器件尺寸逐渐减小，现有硅栅集成电路的核心电路承受静电能力大大降低；另一方面，通常硅栅集成电路内包含较多如塑料、橡胶等容易产生、积累静电的材料，也使得集成电路受到静电破坏的几率大大增加。因此，硅栅MOS集成电路在遭受静电冲击信号时极易损坏。为解决上述问题，现亟需一种具有ESD(Electro
‑
Static discharge，静电释放)保护电路结构的硅栅MOS集成电路。
[0003]上述内容仅用于辅助理解本技术的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。

技术实现思路

[0004]本技术的主要目的在于提供一种具有ESD保护电路结构的硅栅MOS集成电路，旨在解决现有硅栅MOS集成电路易因静电冲击而损坏的技术问题。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有ESD保护电路结构的硅栅MOS集成电路，其特征在于，所述硅栅MOS集成电路包括：内部集成模块和静电保护模块；所述静电保护模块设置于所述内部集成模块和外接设备之间；所述静电保护模块，用于在检测到所述外接设备输送的电信号的电压值大于或等于保护触发电压的电压值时，导通所述外接设备与所述硅栅MOS集成电路的接地端之间的连通回路。2.如权利要求1所述的具有ESD保护电路结构的硅栅MOS集成电路，其特征在于，所述静电保护模块包括：通路控制子模块和静电释放子模块，所述保护触发电压包括：第一保护触发电压；所述通路控制子模块分别与所述静电释放子模块、所述内部集成模块和所述外接设备连接，所述静电释放子模块分别与所述内部集成模块和所述外接设备连接；所述通路控制子模块，用于在检测到所述外接设备输送的电信号的电压值大于或等于切换电压的电压值时，输送第一通路信号至所述静电释放子模块；所述静电释放子模块，用于在接收到所述第一通路信号，且检测到所述外接设备输送的电信号的电压值大于或等于所述第一保护触发电压的电压值时，导通所述外接设备与所述硅栅MOS集成电路的接地端之间的连通回路。3.如权利要求2所述的具有ESD保护电路结构的硅栅MOS集成电路，其特征在于，所述保护触发电压还包括：第二保护触发电压；所述通路控制子模块，还用于在检测到所述外接设备输送的电信号的电压值小于所述切换电压的电压值时，输送第二通路信号至所述静电释放子模块；所述静电释放子模块，用于在接收到所述第二通路信号，且检测到所述外接设备输送的电信号的电压值大于或等于所述第二保护触发电压的电压值时，导通所述外接设备与所述硅栅MOS集成电路的接地端之间的连通回路。4.如权利要求3所述的具有ESD保护电路结构的硅栅MOS集成电路，其特征在于，所述静电释放子模块包括：电压控制单元和静电保护单元；所述电压控制单元分别与所述通路控制子模块和所述静电保护单元连接，所述静电保护单元与所述外接设备连接；所述电压控制单元，用于在接收到所述第一通路信号时，导通所述静电保护单元与所述接地端的第一栅极接地回路；所述静电保护单元，用于在所述第一栅极接地回路导通，且检测到所述外接设备输送的电信号的电压值大于或等于所述第一保护触发电压的电压值时，导通所述外...

【专利技术属性】
技术研发人员：涂振坤，邓觊骥，
申请(专利权)人：深圳力堃科技有限公司，
类型：新型
国别省市：