【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电子元件，尤其涉及一种过温保护的瞬态电压抑制二极管。
技术介绍
1、瞬态电压抑制器(transient voltage suppressor，简称tvs)是一种基于二极管形式的高性能保护器件，用来保护系统免于遭受各种形式的瞬态高压和浪涌的冲击。当电路中存在静电释放(electro-static discharge，简称esd)或其他形式的浪涌冲击时，tvs二极管能实时导通为产生的瞬态高电流提供一个低阻抗通路，使瞬态电流与能量通过tvs二极管被引开，从而起到对电子器件的保护作用。
2、由于集成电路中的tvs二极管除去esd可能导致的损坏外，在tvs二极管温度过高时也容易导致tvs二极管损坏。但是现有的tvs二极管不具备过温保护功能，从而使得tvs二极管在长时间使用时，容易由于高温使得tvs二极管的内部产生损坏，从而使得现有的tvs二极管的实用性降低。
3、上述内容仅用于辅助理解本技术的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。
技术实现思路
1、本技术的主要目的在于提供一种过温保护的瞬态电压抑制二极管，旨在解决现有技术中tvs二极管在长时间使用时，容易由于高温使得tvs二极管的内部产生损坏，从而使得现有的tvs二极管的实用性降低的技术问题。
2、为实现上述目的，本技术提出一种过温保护的瞬态电压抑制二极管，所述过温保护的瞬态电压抑制二极管包括：
3、壳体，所述壳体的底部开口形成第一空腔；
4、导热层，所述导热层设置在
5、tvs芯片，所述tvs芯片设置在所述第二空腔内，所述tvs芯片与所述导热层通过至少一个第二导热柱连接。
6、可选地，所述壳体的内侧壁设置有与所述第一导热柱端口对应的第一卡槽，所述第一卡槽的数量与所述第一导热柱的数量相同，所述第一导热柱的第一端插入对应的第一卡槽中。
7、可选地，所述导热层的外侧壁设置有与所述第一导热柱端口对应的第二卡槽，所述第二卡槽的数量与所述第一导热柱的数量相同，所述第一导热柱的第二端插入对应的第二卡槽中。
8、可选地，所述导热层的内侧壁设置有与所述第二导热柱端口对应的第三卡槽，所述第三卡槽的数量与所述第二导热柱的数量相同，所述第二导热柱的一端插入对应的第三卡槽中。
9、可选地，所述tvs芯片的信号输入端焊接有第一连接部，所述第一连接部的第一端与所述tvs芯片的信号输入端连接，所述第一连接部的第二端穿过所述导热层并与所述壳体连接。
10、可选地，所述tvs芯片的信号输出端焊接有第二连接部，所述第二连接部的第一端与所述tvs芯片的信号输出端连接，所述第二连接部的第二端穿过所述导热层并与所述壳体连接。
11、可选地，所述导热层的下壁设置有第一通孔和第二通孔，所述第一通孔的位置与所述第一连接部对应，所述第二通孔的位置与所述第二连接部对应；
12、所述第一连接部通过对应的所述第一通孔后，向所述壳体方向延伸，所述第一连接部第二端连接所述壳体，所述第一连接部的下侧与所述壳体的底面齐平；
13、所述第二连接部通过对应的所述第二通孔后，向所述壳体方向延伸，所述第二连接部第二端连接所述壳体，所述第二连接部的下侧与所述壳体的底面齐平。
14、可选地，所述壳体的侧壁底部设置有：第一开口和第二开口，所述第一开口和第二开口的下侧与所述壳体的底面齐平；
15、所述第一连接部的第二端与所述第一开口连接；
16、所述第二连接部的第二端与所述第二开口连接。
17、可选地，所述过温保护的瞬态电压抑制二极管还包括：第一引脚和第二引脚；
18、所述第一引脚设置在所述第一开口内部，所述第一引脚的一端与所述第一连接部的第二端连接，另一端向所述壳体的外侧延伸；
19、所述第二引脚设置在所述第二开口内部，所述第二引脚的一端与所述第二连接部的第二端连接，另一端向所述壳体的外侧延伸。
20、可选地，所述过温保护的瞬态电压抑制二极管还包括：设置在导热层下方的绝缘层；
21、所述绝缘层在所述第一连接部和所述第二连接部之间，所述绝缘层的上侧与所述导热层的底面齐平，所述绝缘层的下侧与所述壳体的底面齐平。
22、本技术提供了一种过温保护的瞬态电压抑制二极管，该过温保护的瞬态电压抑制二极管包括：壳体，所述壳体的底部开口形成第一空腔；导热层，所述导热层设置在所述壳体的第一空腔内，所述导热层与所述壳体通过至少一个第一导热柱连接，所述导热层内还包括第二空腔；tvs芯片，所述tvs芯片设置在所述第二空腔内，所述tvs芯片与所述导热层通过至少一个第二导热柱连接。在本技术中，通过在壳体内设置导热层、第一导热柱和第二导热柱，导热柱汇集tvs芯片工作时产生的热量，并将热量传递至导热层和外壳，加快热量散失的速度，解决了tvs芯片在长时间使用时，容易由于高温使得tvs芯片的内部产生损坏的问题。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种过温保护的瞬态电压抑制二极管，其特征在于，所述过温保护的瞬态电压抑制二极管包括：
2.如权利要求1所述的过温保护的瞬态电压抑制二极管，其特征在于，所述壳体的内侧壁设置有与所述第一导热柱端口对应的第一卡槽，所述第一卡槽的数量与所述第一导热柱的数量相同，所述第一导热柱的第一端插入对应的第一卡槽中。
3.如权利要求2所述的过温保护的瞬态电压抑制二极管，其特征在于，所述导热层的外侧壁设置有与所述第一导热柱端口对应的第二卡槽，所述第二卡槽的数量与所述第一导热柱的数量相同，所述第一导热柱的第二端插入对应的第二卡槽中。
4.如权利要求3所述的过温保护的瞬态电压抑制二极管，其特征在于，所述导热层的内侧壁设置有与所述第二导热柱端口对应的第三卡槽，所述第三卡槽的数量与所述第二导热柱的数量相同，所述第二导热柱的一端插入对应的第三卡槽中。
5.如权利要求1所述的过温保护的瞬态电压抑制二极管，其特征在于，所述TVS芯片的信号输入端焊接有第一连接部，所述第一连接部的第一端与所述TVS芯片的信号输入端连接，所述第一连接部的第二端穿过所述导热层并与所述壳体
6.如权利要求5所述的过温保护的瞬态电压抑制二极管，其特征在于，所述TVS芯片的信号输出端焊接有第二连接部，所述第二连接部的第一端与所述TVS芯片的信号输出端连接，所述第二连接部的第二端穿过所述导热层并与所述壳体连接。
7.如权利要求6所述的过温保护的瞬态电压抑制二极管，其特征在于，所述导热层的下壁设置有第一通孔和第二通孔，所述第一通孔的位置与所述第一连接部对应，所述第二通孔的位置与所述第二连接部对应；
8.如权利要求7所述的过温保护的瞬态电压抑制二极管，其特征在于，所述壳体的侧壁底部设置有第一开口和第二开口，所述第一开口和第二开口的下侧与所述壳体的底面齐平；
9.如权利要求8所述的过温保护的瞬态电压抑制二极管，其特征在于，所述过温保护的瞬态电压抑制二极管还包括：第一引脚和第二引脚；
10.如权利要求9所述的过温保护的瞬态电压抑制二极管，其特征在于，所述过温保护的瞬态电压抑制二极管还包括：设置在导热层下方的绝缘层；
...【技术特征摘要】
1.一种过温保护的瞬态电压抑制二极管，其特征在于，所述过温保护的瞬态电压抑制二极管包括：
2.如权利要求1所述的过温保护的瞬态电压抑制二极管，其特征在于，所述壳体的内侧壁设置有与所述第一导热柱端口对应的第一卡槽，所述第一卡槽的数量与所述第一导热柱的数量相同，所述第一导热柱的第一端插入对应的第一卡槽中。
3.如权利要求2所述的过温保护的瞬态电压抑制二极管，其特征在于，所述导热层的外侧壁设置有与所述第一导热柱端口对应的第二卡槽，所述第二卡槽的数量与所述第一导热柱的数量相同，所述第一导热柱的第二端插入对应的第二卡槽中。
4.如权利要求3所述的过温保护的瞬态电压抑制二极管，其特征在于，所述导热层的内侧壁设置有与所述第二导热柱端口对应的第三卡槽，所述第三卡槽的数量与所述第二导热柱的数量相同，所述第二导热柱的一端插入对应的第三卡槽中。
5.如权利要求1所述的过温保护的瞬态电压抑制二极管，其特征在于，所述tvs芯片的信号输入端焊接有第一连接部，所述第一连接部的第一端与所述tvs芯片的信号输入端连接...
【专利技术属性】
技术研发人员：涂振坤，邓觊骥，
申请(专利权)人：深圳力堃科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。