检测装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够检测检查对象物的比较窄范围内的物性的检测装置

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】检测装置


[0001]本专利技术涉及一种检测装置，特别是涉及一种通过向检查对象物施加磁通来检测检查对象物的物性的检测装置。

技术介绍

[0002]作为检测检查对象物的物性的方法，考虑检测将磁通施加于检查对象物的情况下的磁通的变化的方法。磁通的变化例如能够使用专利文献1所记载的磁传感器来检测。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本专利6610178号公报

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的技术问题
[0007]然而，专利文献1所记载的磁传感器对比较宽范围的磁通具有灵敏度，因此未必适合于检测检查对象物的窄范围内的物性的用途。
[0008]因此，本专利技术的目的在于，提供一种能够检测检查对象物的比较窄范围内的物性的检测装置。
[0009]解决问题的技术手段
[0010]本专利技术的检测装置，具备：第一励磁线圈和第二励磁线圈，其以在内径区域产生的磁通从一个开口端部朝向另一个开口端部的方式卷绕；磁性体，其从第二励磁线圈的另一个开口端部向第一励磁线圈的一个开口端部引导磁通；以及磁检测部，其检测流过磁性体的磁通，通过向检查对象物施加从第一励磁线圈的另一个开口端部流向第二励磁线圈的一个开口端部的磁通，来检测检查对象物的物性。
[0011]根据本专利技术，由于使用产生彼此相反方向的磁通的第一励磁线圈和第二励磁线圈，因此能够使磁通集中于检查对象物的比较窄的范围。由此，能够检测检查对象物的比较窄的范围内的物性。
[0012]在本专利技术中，也可以是：第一励磁线圈和第二励磁线圈串联连接，由此，在第一励磁线圈和第二励磁线圈中流过相同的励磁电流。由此，能够简化电路结构。
[0013]在本专利技术中，也可以是：磁性体包括与第一励磁线圈磁耦合的第一磁性体和与第二励磁线圈磁耦合的第二磁性体，磁检测部检测流过第一磁性体和第二磁性体间的磁通。由此，能够通过磁检测部高灵敏度地检测磁通的变化。在这种情况下，也可以是：第一磁性体的一部分位于第一励磁线圈的内径区域，第二磁性体的一部分位于第二励磁线圈的内径区域。由此，能够进一步提高检测灵敏度。
[0014]在本专利技术中，也可以是：第一励磁线圈和第二励磁线圈的线圈轴均位于第一假想平面上，第一励磁线圈的线圈轴还位于与第一假想平面垂直的第二假想平面上，第二励磁线圈的线圈轴还位于与第二假想平面垂直的第三假想平面上，磁检测部配置在第二假想平
面与第三假想平面之间。由此，能够通过磁检测部高灵敏度地检测磁通的变化。
[0015]本专利技术的检测装置也可以还具备：励磁电路，其基于具有规定的频率的探测信号，使励磁电流流过第一励磁线圈和第二励磁线圈；高通滤波器，其从磁检测部的输出信号中去除低频分量；以及检波电路，其基于探测信号，对高通滤波器的输出信号进行检波。由此，能够排除检查对象物所发出的磁场及环境磁场的影响。
[0016]专利技术的效果
[0017]这样，根据本专利技术，能够提供一种能够检测检查对象物的比较窄范围内的物性的检测装置。
附图说明
[0018]图1是用于说明本专利技术的第一实施方式的检测装置1的构造的示意图，(a)是xz侧视图，(b)是xy俯视图。
[0019]图2是检测装置1的电路框图。
[0020]图3是用于说明本专利技术的第二实施方式的检测装置2的构造的示意性xz侧视图。
[0021]图4是用于说明本专利技术的第三实施方式的检测装置3的构造的示意性xz侧视图。
[0022]图5是用于说明本专利技术的第四实施方式的检测装置4的构造的大致立体图。
[0023]图6是表示将传感器芯片60与磁性体31、32分离的状态的大致分解立体图。
[0024]图7是传感器芯片60的大致俯视图。
[0025]图8是沿着图7的B
‑
B线的大致截面图。
[0026]图9是用于说明本专利技术的第五实施方式的检测装置5的构造的大致立体图。
[0027]图10是用于说明本专利技术的第六实施方式的检测装置6的构造的大致立体图。
[0028]图11是用于说明本专利技术的第七实施方式的检测装置7的构造的大致立体图。
[0029]图12是用于说明本专利技术的第八实施方式的检测装置8的构造的大致立体图。
具体实施方式
[0030]以下，参照附图，对本专利技术的优选的实施方式进行详细的说明。
[0031]＜第一实施方式＞
[0032]图1是用于说明本专利技术的第一实施方式的检测装置1的构造的示意图，(a)是xz侧视图，(b)是xy俯视图。
[0033]如图1所示，第一实施方式的检测装置1检测检查对象物A的物性，具备：以z方向为轴向的励磁线圈10、20；分别配置于与励磁线圈10、20的线圈轴重叠的位置的磁性体31、32；以及配置于磁性体31与磁性体32之间的磁检测部40。励磁线圈10、20串联连接，并且绕组以彼此相反方向卷绕。由此，若使励磁电流I流过励磁线圈10、20，则在励磁线圈10的内径区域产生+z方向的磁通φ1，在励磁线圈20的内径区域产生
‑
z方向的磁通φ2。其结果，在励磁线圈10的内径区域中，磁通φ1从一个开口端部11朝向另一个开口端部12流动，在励磁线圈20的内径区域中，磁通φ2从一个开口端部21朝向另一个开口端部22流动。
[0034]这里，由于励磁线圈10、20在x方向上接近地配置，因此磁通从励磁线圈10的开口端部12经由比较窄的空间流向励磁线圈20的开口端部21，磁通从励磁线圈20的开口端部22经由比较窄的空间流向励磁线圈10的开口端部11。
[0035]磁性体31、32由铁氧体等高磁导率材料构成。如图1所示，由于磁性体31、32分别配置于与励磁线圈10、20的线圈轴重叠的位置，因此励磁线圈10与磁性体31磁耦合，励磁线圈20与磁性体32磁耦合。因此，从励磁线圈20的开口端部22出来的磁通被磁性体31、32引导而流向励磁线圈10的开口端部11。此外，由于在磁性体31与磁性体32之间配置有磁检测部40，因此在磁性体31、32间流动的磁通由磁检测部40检测。
[0036]关于磁检测部40的位置，只要能够检测在磁性体31、32间流动的磁通就没有特别限制，但是，如图1的(b)所示，在将励磁线圈10、20的线圈轴分别设为C1、C2的情况下，将线圈轴C1、C2双方所位于的假想平面设为P1，将线圈轴C1所位于且与假想平面P1垂直的假想平面设为P2，将线圈轴C2所位于且与假想平面P1垂直的假想平面设为P3的情况下，优选磁检测部40配置在假想平面P2与假想平面P3之间。如果在该范围内配置磁检测部40，则能够通过磁检测部40高灵敏度地检测由励磁线圈10、20产生的磁通。
[0037]本实施方式的检测装置1通过将检查对象物A配置在励磁线圈10、20的z方向上的前端、即励磁线圈10的开口端部12和励磁线圈20的开口端部21的附近，能够检测检查对象物A的物性。即，将从励磁线圈10的开口本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种检测装置，其特征在于，具备：第一励磁线圈和第二励磁线圈，其以在内径区域产生的磁通从一个开口端部朝向另一个开口端部的方式卷绕；磁性体，其从所述第二励磁线圈的所述另一个开口端部向所述第一励磁线圈的所述一个开口端部引导磁通；和磁检测部，其检测流过所述磁性体的磁通，通过向检查对象物施加从所述第一励磁线圈的所述另一个开口端部流向所述第二励磁线圈的所述一个开口端部的磁通，来检测所述检查对象物的物性。2.根据权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述第一励磁线圈和所述第二励磁线圈串联连接，由此，在所述第一励磁线圈和所述第二励磁线圈中流过相同的励磁电流。3.根据权利要求1或2所述的检测装置，其特征在于，所述磁性体包括与所述第一励磁线圈磁耦合的第一磁性体和与所述第二励磁线圈磁耦合的第二磁性体，所述磁检测部检测流过所述第一磁性体和所述第二磁性体间的磁通。4.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：福井崇人，恶七泰树，
申请(专利权)人：TDK，
类型：发明
国别省市：