自旋轨道转矩型磁化旋转元件制造技术

该自旋轨道转矩型磁化旋转元件具备沿着第一方向延伸的自旋轨道转矩配线和层叠于所述自旋轨道转矩配线的第一铁磁性层，所述自旋轨道转矩配线包含化学计量组成中以

【技术实现步骤摘要】
自旋轨道转矩型磁化旋转元件、自旋轨道转矩型磁阻效应元件及磁存储器
[0001]本申请是申请日为
2018
年
10
月
30
日
、
申请号为
201880004343.1、
专利技术名称为自旋轨道转矩型磁化旋转元件
、
自旋轨道转矩型磁阻效应元件及磁存储器的专利申请的分案申请
。


[0002]本专利技术涉及一种自旋轨道转矩型磁化旋转元件
、
自旋轨道转矩型磁阻效应元件及磁存储器
。
[0003]本申请基于
2018
年2月
22
日在日本申请的日本特愿
2018
‑
029737
号主张优先权，并在此引用其内容
。

技术介绍

[0004]作为磁阻效应元件已知有由铁磁性层和非磁性层的多层膜构成的巨磁阻
(GMR)
元件
、
及将绝缘层
(
隧道势垒层
、r/>势垒层
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种自旋轨道转矩型磁化旋转元件，其中，具备：自旋轨道转矩配线，其沿着第一方向延伸；和第一铁磁性层，其层叠于所述自旋轨道转矩配线，所述自旋轨道转矩配线包含化学计量组成中以
XYZ
或
X2YZ
表示的化合物，所述化合物中，对于将
X
元素
、Y
元素及
Z
元素的最外层电子数相加得到的值，在所述化合物的组成为
XYZ
的情况下为
21
以下，在所述化合物的组成为
X2YZ
的情况下为
27
以下
。2.
一种自旋轨道转矩型磁化旋转元件，其中，具备：自旋轨道转矩配线，其沿着第一方向延伸；和第一铁磁性层，其层叠于所述自旋轨道转矩配线，所述自旋轨道转矩配线包含化学计量组成中以
XYZ
或
X2YZ
表示的化合物，所述自旋轨道转矩配线是非磁性体
。3.
根据权利要求1所述的自旋轨道转矩型磁化旋转元件，其中，所述
X
为选自
Fe、Co、Ni、Mn、Re、Ru、Os、Rh、Pd、Ir
及
Pt
中的一种以上的元素，所述
Y
为选自
Ti、V、Cr、Mo、W、Ta、Mn、Re、Os、Zr、Nb、Hf、Ta、Zn、Cu、Ag、Au、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Fe、Ru、Tm、Yb
及
Lu
中的一种以上的与所述
X
不同的元素，所述
Z
为选自
Al、Si、Ga、Ge、In、Sn、Sb、Pb、Mg、Sr
及
Bi
中的一种以上的元素
。4.
根据权利要求2所述的自旋轨道转矩型磁化旋转元件，其中，所述
X
为选自
Fe、Co、Ni、Mn、Re、Ru、Os、Rh、Pd、Ir
及
Pt
中的一种以上的元素，所述
Y
为选自
Ti、V、Cr、Mo、W、Ta、Mn、Re、Os、Zr、Nb、Hf、Ta、Zn、Cu、Ag、Au、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Fe、Ru、Tm、Yb
及
Lu
中的一种以上的与所述
X
不同的元素，所述
Z
为选自
Al、...

【专利技术属性】
技术研发人员：中田胜之，盐川阳平，
申请(专利权)人：TDK，
类型：发明
国别省市：