磁传感器及磁检测方法技术

磁传感器具备波导

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】磁传感器及磁检测方法


[0001]本公开涉及磁传感器及磁检测方法
。

技术介绍

[0002]对各种磁传感器进行了研究
。
在专利文献1中，作为磁传感器而记载了
SQUID(Superconducting Quantum Interference Device
：超导量子干涉仪
)。
磁传感器的另一例是霍尔元件传感器
。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开
2000
－
275312
号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的课题
[0007]本公开的目的是提供小型且灵敏度好的磁传感器
。
[0008]用来解决课题的手段
[0009]本公开的磁传感器具备：波导，依次排列有第1位置
、
检测位置及第2位置；第1电极，激励从上述第1位置向上述检测位置传播的第1自旋波；第2电极，激励从上述第2位置向上述检测位置传播的第2自旋波；以及检测电极，从上述检测位置取出信号
。
[0010]专利技术效果
[0011]本公开提供小型且灵敏度好的磁传感器
。
附图说明
[0012]图
1A
是示意地表示第1实施方式的磁传感器的俯视图
。
[0013]图
1B
是示意地表示第1实施方式的磁传感器的剖视图
。
[0014]图
1C
是第1实施方式的波导的第1位置
、
第2位置及检测位置的说明图
。
[0015]图
2A
是第1自旋波及第2自旋波的说明图
。
[0016]图
2B
是测定对象的外部磁场为零时的第1自旋波
、
第2自旋波及干涉波的说明图
。
[0017]图
2C
是测定对象的外部磁场为非零时的第1自旋波
、
第2自旋波及干涉波的说明图
。
[0018]图
3A
是示意地表示第1变形例的磁传感器的俯视图
。
[0019]图
3B
是第1变形例的波导的第1位置
、
第2位置及检测位置的说明图
。
[0020]图
4A
是示意地表示第2变形例的磁传感器的俯视图
。
[0021]图
4B
是第2变形例的波导的第1位置
、
第2位置及检测位置的说明图
。
[0022]图
5A
是示意地表示第2实施方式的磁传感器的俯视图
。
[0023]图
5B
是示意地表示第2实施方式的磁传感器的剖视图
。
[0024]图
5C
是第2实施方式的波导的第1位置
、
第2位置及检测位置的说明图
。
[0025]图
6A
是示意地表示第3实施方式的磁传感器的俯视图
。
[0026]图
6B
是示意地表示第3实施方式的磁传感器的剖视图
。
[0027]图
6C
是第3实施方式的波导的第1位置
、
第2位置及检测位置的说明图
。
[0028]图7是示意地表示第4实施方式的磁传感器的立体图
。
[0029]图8是追加的部件的示意性的说明图
。
[0030]图9是示意地表示第5实施方式的磁传感器的立体图
。
[0031]图
10
是示意地表示实施例1的磁传感器的立体图
。
[0032]图
11
是表示从第2电磁铁施加的磁场的大小与由检测电极得到的检测电压的振幅的关系的曲线图
。
[0033]图
12A
是表示有关参考形态的磁传感器的立体图
。
[0034]图
12B
是表示使用第1实施方式到第5实施方式的波导的磁传感器的立体图
。
具体实施方式
[0035](
作为本公开的基础的认识
)
[0036]已知在磁性体内相邻的自旋的相位错开而自旋进行岁差运动的现象
。
岁差运动的相位信息在磁性体中作为波传播
。
该波被称作自旋波
。
自旋波能够在铁磁性体及反铁磁性体中传播
。
根据本专利技术人的研究，通过利用自旋波的物理特性根据磁场而变化的性质，能够实现小型且灵敏度好的磁传感器
。
[0037](
有关本公开的一技术方案的概要
)
[0038]有关本公开的第1技术方案的磁传感器具备：波导，依次排列有第1位置
、
检测位置及第2位置；第1电极，激励从上述第1位置向上述检测位置传播的第1自旋波；第2电极，激励从上述第2位置向上述检测位置传播的第2自旋波；以及检测电极，从上述检测位置取出信号
。
[0039]根据第1技术方案，能够提供小型且灵敏度好的磁传感器
。
[0040]在本公开的第2技术方案中，例如在有关第1技术方案的磁传感器中，从上述第1位置到上述检测位置的距离也可以是第1距离；从上述第2位置到上述检测位置的距离也可以是第2距离；上述第1距离及上述第2距离也可以互不相同
。
[0041]根据第2技术方案，容易用小的偏置磁场进行磁检测
。
[0042]在本公开的第3技术方案中，例如在有关第1技术方案或第2技术方案的磁传感器中，上述第1位置
、
上述第2位置及上述检测位置也可以在直线上排列
。
[0043]根据第3技术方案，容易用小的偏置磁场进行磁检测
。
[0044]在本公开的第4技术方案中，例如有关第1至第3技术方案的任一项的磁传感器也可以还具备与上述第1电极及上述第2电极连接的至少1个交流电源
。
[0045]根据第4技术方案的至少1个交流电源，能够激励第1自旋波及第2自旋波
。
[0046]在本公开的第5技术方案中，例如有关第1至第4技术方案的任一项的磁传感器也可以还具备与上述检测电极连接的检测器
。
[0047]根据第5技术方案的检测器，能够检测信号
。
[0048]在本公开的第6技术方案中，例如有关第1至第5技术方案的任一项的磁传感器也可以还具备对上述波导施加偏置磁场的磁场源
。
[0049]根据第6技术方案的磁场源，能够对波导施加偏置磁场
。
[0050]在本公开的第7技术方案中，例如在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种磁传感器，其中，具备：波导，依次排列有第1位置
、
检测位置及第2位置；第1电极，激励从上述第1位置向上述检测位置传播的第1自旋波；第2电极，激励从上述第2位置向上述检测位置传播的第2自旋波；以及检测电极，从上述检测位置取出信号
。2.
如权利要求1所述的磁传感器，其中，从上述第1位置到上述检测位置的距离是第1距离；从上述第2位置到上述检测位置的距离是第2距离；上述第1距离及上述第2距离互不相同
。3.
如权利要求1或2所述的磁传感器，其中，上述第1位置
、
上述第2位置及上述检测位置在直线上排列
。4.
如权利要求1～3中任一项所述的磁传感器，其中，还具备与上述第1电极及上述第2电极连接的至少1个交流电源
。5.
如权利要求1～4中任一项所述的磁传感器，其中，还具备与上述检测电极连接的检测器
。6.
如权利要求1～5中任一项所述的磁传感器，其中，还具备对上述波导施加偏置磁场的磁场源
。7.
如权利要求6所述的磁传感器，其中，上述波导具有膜形状；上述磁场源在与上述膜形状的厚度方向交叉的交叉方向上施加上述偏置磁场
。8.
如权利要求7所述的磁传感器，其中，上述交...

【专利技术属性】
技术研发人员：西谷雄，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：