一种LED装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及LED装置制造领域，提供了一种LED装置，包括：基板和多颗LED芯片，基板的正面包括多组正极焊盘与负极焊盘组，基板的背面包括多组与正极焊盘与负极焊盘组一一对应的正极端子与负极端子组，正极焊盘与负极焊盘对称设置于所述基板背面两侧；各正极焊盘和负极焊盘分别呈线性间隔排列且等距设置于基板背面两侧，基板正面的正极焊盘通过导电孔与对应的正极端子导通，基板正面的负极焊盘通过导电孔与负极端子导通；各所述LED芯片分别一组正极焊盘和负极焊盘电连接连接。本发明专利技术能够实现对单个LED芯片的控制，并且提高了产品的兼容性与应用范围，方便管理且降低了制造成本。方便管理且降低了制造成本。方便管理且降低了制造成本。

【技术实现步骤摘要】
一种LED装置


[0001]本专利技术属于LED制造
，尤其涉及一种LED装置。

技术介绍

[0002]UV
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LED装置是一种半导体光源，与传统白炽灯光源相比，具有长寿命等特点。在UV
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LED封装行业中，特别是350nm以下的产品，电能转化成热能的比例要远高于转化成光能的比例，如何控制LED芯片的有效出光一直是本行业探索的问题。目前的UV
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LED装置通常包括基板、LED芯片、封装体与透光件，其中所述封装体呈环形设于所述基板的正面，透光件设于封装体的顶部并与所述基板及封装体围合形成收容腔，所述LED芯片则设于所述收容腔。
[0003]目前UV
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LED装置的通用尺寸主要为2525、3535、6060、6565、6868与7070等，其中。2525与3535尺寸的LED装置通常只设置一个LED芯片，且此LED芯片较小，使得LED装置的光功率较低，增大了LED装置使用的局限性，2525(2.5mm*2.5mm)与3535(3.5mm*3.5mm)尺寸的LED装置通常分别在光功率30mW以内、100mW以内的应用场景上使用；而6060、6565、6868与7070尺寸的LED装置通常放置4个4颗LED芯片，相对于4个2525与3535尺寸的LED装置，4芯集成拥有更小的尺寸和更高的光功率密度，通常在光功率100mW以上的应用场景上使用。
[0004]然而，在目前6060、6565、6868与7070尺寸的LED装置中，通常只设置2个焊盘，2个焊盘均与4颗LED芯片连接以实现对4颗LED芯片的控制，从而导致了4颗LED芯片将同时点亮或关闭，用户不能对LED芯片实现单独控制，并且，即便LED装置有多个焊盘，但是基板上的LED芯片的串并联线路通常已经固定好(例如固定为2串2并，或者4串1并，或者4并1串)，不能兼容其他的串并联方案，当需要应用不同的电源方案时，则需要新制做另一种串并联方案的基板，从而造成同尺寸LED装置的种类多，管理困难，制造困难且成本高、时间长，限制了产品的应用范围。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于至少克服上述现有技术的不足之一，提供了一种LED装置，能够控制单个LED芯片并提高了LED产品的兼容性与应用范围，方便管理且降低了制造的难度、时间与成本。
[0006]本专利技术的技术方案是：一种LED装置，包括：基板，具有相对的正面与背面，所述基板的正面设有第一线路层，所述第一线路层包括多组正极焊盘与负极焊盘组，所述基板的背面设有第二线路层，所述第二线路层包括多组与所述正极焊盘与负极焊盘组一一对应的正极端子与负极端子组，一组所述正极端子与负极端子对称设置于所述基板背面相对的两侧；各所述正极端子呈线性间隔排列且等距设置于基板背面的同一侧，各所述负极端子呈线性间隔排列且等距设置于基板背面的另一侧且与各所述正极端子一一相对，且一所述正极焊盘通过贯通于所述基板的正极导电孔与一所述正极端子导通，且一所述负极焊盘通过贯通于所述基板的负极导电孔与一所述负极端子导通；
[0007]多颗LED芯片，各所述LED芯片分别与一组所述正极焊盘和负极焊盘电连接连接。
[0008]作为本技术方案的进一步改进，所述LED芯片为倒装芯片，所述LED芯片的数量为n*n颗，其中n为大于2的自然数，各所述LED芯片呈矩形阵列设置。
[0009]作为本技术方案的进一步改进，所述正极焊盘与负极焊盘在所述基板正面形成呈矩形的电路图案，各所述LED芯片均布于所述电路图案，所述电路图案包括分别位于所述电路图案相对的两侧的第一边缘区域和第二边缘区域，各所述正极导电孔位于所述第一边缘区域；各所述负极导电孔位于所述第二边缘区域，其中，所述第n正极焊盘的一端与对应的第n LED芯片的正极连接，另一端延伸至所述第一边缘区域与一对应的第n正极导电孔连接；所述第n负极焊盘一端与对应的第n LED芯片的负极连接，另一端延伸至第二边缘区域与一对应的第n负极导电孔连接；
[0010]各所述正极焊盘在所述基板背面的投影与各自对应的正极端子至少有部分重合区；各所述负极焊盘在所述基板背面的投影与各自对应的负极端子至少有部分重合区，各所述正极导电孔和负极导电孔分别位于各所述重合区。
[0011]作为本技术方案的进一步改进，所述电路图案设有间隔各所述基板正面的正极焊盘和负极焊盘的间隙，所述间隙至少大于0.2mm；各正极导电孔呈线性排列；各负极导电孔呈线性排列，且各正极导电孔与负极导电孔一一对应对称设置。
[0012]作为本技术方案的进一步改进，所述LED装置还包括设于所述基板正面的封装体与设于所述封装体的上的透光件，所述封装体呈环形且包围各所述LED芯片与各组正极焊盘与负极焊盘，所述透光件覆盖于所述LED芯片的上方。
[0013]作为本技术方案的进一步改进，所述封装体设有开设于所述封装体内侧壁并贯穿所述封装体顶部的安装槽，所述透光件的底面通过助焊材料焊接在所述安装槽上；所述基板为陶瓷基板。
[0014]作为本技术方案的进一步改进，所述基板的背面的中间区域还设有散热层，多个所述正极端子相邻间隔设置于所述散热层的一侧，多个所述负极端子相邻间隔设置于所述散热层的另一侧。
[0015]作为本技术方案的进一步改进，所述电路图案以其几何中心为对称点旋转对称；所述电路图案设有第一定位标识。
[0016]作为本技术方案的进一步改进，各所述LED芯片均并联一倒装结构的齐纳芯片，每一所述齐纳芯片与一组所述正极焊盘和负极焊盘电连接。
[0017]作为本技术方案的进一步改进，其特征在于，所述第一线路层和/或第二线路层包括层叠设置的第一铜金属层、第一镍金属层与第一金金属层，所述第一镍金属层的厚度大于3微米，所述第一金金属层的厚度大于0.05微米。
[0018]本专利技术所提供的一种LED装置包括：基板与多个LED芯片。所述基板具有相对的正面与背面，所述基板的正面设有第一线路层，所述第一线路层包括多组正极焊盘与负极焊盘，所述基板的背面设有第二线路层，所述第二线路层包括多组正极端子与第二负极端子，一所述正极端子对应一所述正极焊盘设置，且一所述正极端子与一所述正极焊盘导通，一所述负极端子对应一所述负极焊盘设置，且一所述负极端子与一所述负极焊盘导通。并且至少一所述LED芯片与一组所述正极焊盘及负极焊盘连接。各LED芯片的电连接关系均相互独立，操作人员即可单独控制与一组所述正极焊盘及负极焊盘连接的单个LED芯片单独点亮或关闭，或者通过与LED装置匹配的PCB板上的电路实现对各LED芯片之间的串并联关系
的重新确定从而对多个LED芯片进行控制。本专利技术通过一组正极焊盘与负极焊盘连接至少一个LED芯片不仅使LED装置可以封装不同电压、不同波长的LED芯片，还使用户实现了对其中单个LED芯片或者多个LED芯片的单独控制，让用户能够根据使用情况控制任意一个LED芯片有效出光，并且，现有技术中的多个LED芯片之间通常采用固定线路连接，LED芯片串并本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED装置，其特征在于，包括：基板，具有相对的正面与背面，所述基板的正面设有第一线路层，所述第一线路层包括多组正极焊盘与负极焊盘组，所述基板的背面设有第二线路层，所述第二线路层包括多组与所述正极焊盘与负极焊盘组一一对应的正极端子与负极端子组，一组所述正极端子与负极端子对称设置于所述基板背面相对的两侧；各所述正极端子呈线性间隔排列且等距设置于基板背面的同一侧，各所述负极端子呈线性间隔排列且等距设置于基板背面的另一侧且与各所述正极端子一一相对，且一所述正极焊盘通过贯通于所述基板的正极导电孔与一所述正极端子导通，且一所述负极焊盘通过贯通于所述基板的负极导电孔与一所述负极端子导通；多颗LED芯片，各所述LED芯片分别与一组所述正极焊盘和负极焊盘电连接连接。2.根据权利要求1所述的LED装置，其特征在于，所述LED芯片为倒装芯片，所述LED芯片的数量为n*n颗，其中n为大于2的自然数，各所述LED芯片呈矩形阵列设置。3.根据权利要求2所述的LED装置，其特征在于，所述正极焊盘与负极焊盘在所述基板正面形成呈矩形的电路图案，各所述LED芯片均布于所述电路图案，所述电路图案包括分别位于所述电路图案相对的两侧的第一边缘区域和第二边缘区域，各所述正极导电孔位于所述第一边缘区域；各所述负极导电孔位于所述第二边缘区域，其中，所述第n正极焊盘的一端与对应的第n LED芯片的正极连接，另一端延伸至所述第一边缘区域与一对应的第n正极导电孔连接；所述第n负极焊盘一端与对应的第n LED芯片的负极连接，另一端延伸至第二边缘区域与一对应的第n负极导电孔连接；各所述正极焊盘在所述基板背面的投影与各自对应的正极端子至少有部分重合区；各所述负极焊盘在所述基板背面的投影与...

【专利技术属性】
技术研发人员：成鹏，黎健任，黄明，邢美正，
申请(专利权)人：惠州市聚飞光电有限公司，
类型：发明
国别省市：