一种金锡焊接无外壳穿心瓷介电容器及其制备方法技术

本发明专利技术涉及电容器技术领域，具体涉及一种金锡焊接无外壳穿心瓷介电容器及其制备方法；包括芯片、内电极、阻焊油墨、引线、镀金层和焊料，芯片的内部设置有内电极，芯片的两侧分别设置有阻焊油墨，芯片具有贯穿槽，引线贯穿芯片，并位于贯穿槽处，芯片的外侧壁设置有镀金层，贯穿槽内设置有焊料；制备过程包括：制备芯片、脱模、烧结、磨圆、制备内电极、电镀、制备阻焊油墨、焊接、成品，通过上述方式，实现避免冲压芯片产生裂纹，影响后续无外壳穿心瓷介电容器的质量。器的质量。器的质量。

【技术实现步骤摘要】
一种金锡焊接无外壳穿心瓷介电容器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及电容器
，尤其涉及一种金锡焊接无外壳穿心瓷介电容器及其制备方法。

技术介绍

[0002]穿心瓷介电容器主要用于旁路和滤波，防止射频干扰，可适用于各种仪器、仪表、电子设备中抑制信号/数据线及直流电源线的高频干扰信号。为了减小穿心滤波器尺寸，降低产品加工难度，穿心瓷介电容器主取消了常规穿心电容器采用有外壳保护的方式进行产品制作，穿心瓷介电容器主要由芯片及引线组成，采用高温锡铅焊锡膏进行焊接，产品具有尺寸小等特点，该产品即为无外壳穿心电容器。
[0003]目前芯片材料为陶瓷介质，无外壳穿心产品芯片经过制备后，采用冲压模式进行脱模，冲压芯片容易产生裂纹，影响后续无外壳穿心瓷介电容器的质量。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种金锡焊接无外壳穿心瓷介电容器及其制备方法，旨在解决现有技术中的冲压芯片容易产生裂纹，影响后续无外壳穿心瓷介电容器的质量的技术问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术采用的一种金锡焊接无外壳穿心瓷介电容器，包括芯片、内电极、阻焊油墨和引线，所述芯片的内部设置有所述内电极，所述芯片的两侧分别设置有所述阻焊油墨，所述芯片具有贯穿槽，所述引线贯穿所述芯片，并位于所述贯穿槽处。
[0006]其中，所述金锡焊接无外壳穿心瓷介电容器还包括镀金层，所述芯片的外侧壁设置有所述镀金层。
[0007]其中，所述金锡焊接无外壳穿心瓷介电容器还包括焊料，所述贯穿槽内设置有所述焊料。
[0008]其中，所述焊料为Au80Sn20。
[0009]本专利技术还提供一种金锡焊接无外壳穿心瓷介电容器的制备方法，包括如下步骤：
[0010]制备所述芯片；
[0011]脱模，采用打孔方式对模具内的所述芯片进行脱模；
[0012]烧结，对所述芯片进行烧结，并形成具有所述贯穿槽的所述芯片；
[0013]磨圆，采用磨床对所述芯片进行磨圆处理，确保所述芯片外的形规整；
[0014]制备所述内电极，在所述芯片的内部对所述内电极进行制备；
[0015]电镀，在所述芯片的表面进行镀金处理，得到所述镀金层；
[0016]制备所述阻焊油墨，在所述芯片的表面印刷所述阻焊油墨；
[0017]焊接，采用所述焊料，将所述引线与所述芯片进行焊接处理，得到金锡焊接无外壳穿心瓷介电容器；
[0018]成品，将金锡焊接无外壳穿心瓷介电容器进行检验，对检验合格的成品进行存储。
[0019]其中，在制备所述芯片的步骤中：
[0020]通过配料、流延、印叠得到所述芯片。
[0021]其中，在通过配料、流延、印叠得到所述芯片的步骤中：
[0022]配料，配比金锡焊接无外壳穿心瓷介电容器的制备原料；
[0023]流延，将原料塑化熔融；
[0024]印叠，使用模具将熔融的原料进行冷却降温定型得到所述芯片
[0025]本专利技术的一种金锡焊接无外壳穿心瓷介电容器及其制备方法，通过在所述芯片进行脱模时，采用打孔方式，经过烧结形成所述芯片后，再采用磨床进行磨圆处理，确保所述芯片外形规整，实现了避免冲压芯片产生裂纹，影响后续无外壳穿心瓷介电容器的质量。
附图说明
[0026]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0027]图1是本专利技术的金锡焊接无外壳穿心瓷介电容器的焊接前的结构示意图。
[0028]图2是本专利技术的金锡焊接无外壳穿心瓷介电容器的焊接前的结构剖视图。
[0029]图3是本专利技术的金锡焊接无外壳穿心瓷介电容器的焊接后的结构示意图。
[0030]图4是本专利技术的金锡焊接无外壳穿心瓷介电容器的焊接后的结构剖视图。
[0031]图5是本专利技术的金锡焊接无外壳穿心瓷介电容器制备方法的步骤流程图。
[0032]10
‑
芯片、20
‑
内电极、30
‑
镀金层、40
‑
阻焊油墨、50
‑
引线、60
‑
焊料、70
‑
贯穿槽。
具体实施方式
[0033]请参阅图1～图4，其中图1是金锡焊接无外壳穿心瓷介电容器的焊接前的结构示意图，图2是金锡焊接无外壳穿心瓷介电容器的焊接前的结构剖视图，图3是金锡焊接无外壳穿心瓷介电容器的焊接后的结构示意图，图4是金锡焊接无外壳穿心瓷介电容器的焊接后的结构剖视图。
[0034]本专利技术提供了一种金锡焊接无外壳穿心瓷介电容器，包括芯片10、内电极20、阻焊油墨40和引线50，所述芯片10的内部设置有所述内电极20，所述芯片10的两侧分别设置有所述阻焊油墨40，所述芯片10具有贯穿槽70，所述引线50贯穿所述芯片10，并位于所述贯穿槽70处。
[0035]在本实施方式中，在所述芯片10进行脱模时，采用打孔方式，经过烧结形成所述芯片10后，再采用磨床进行磨圆处理，确保所述芯片10外形规整，实现了避免冲压所述芯片10产生裂纹，影响后续无外壳穿心瓷介电容器的质量。
[0036]进一步地，所述金锡焊接无外壳穿心瓷介电容器还包括镀金层30，所述芯片10的外侧壁设置有所述镀金层30。
[0037]进一步地，所述金锡焊接无外壳穿心瓷介电容器还包括焊料60，所述贯穿槽70内设置有所述焊料60。
[0038]进一步地，所述焊料60为Au80Sn20。
[0039]在本实施方式中，在所述芯片10进行脱模时，采用打孔方式，经过烧结形成所述芯片10后，再采用磨床进行磨圆处理，确保所述芯片10外形规整；所述芯片10表面镀金处理，能够有效防止产品出现氧化等问题，提高产品可焊性；在焊接之前，需要在所述芯片10表面印刷所述阻焊油墨40，降低焊接时出现焊料60多余物的风险；焊接时，采用所述焊料60代替焊锡膏，减少由于焊锡膏不团聚或者团聚不完整导致的多余物；采用金锡焊料进行焊接，所述焊料60成分为Au80Sn20，为共晶成分，共晶成分焊料无固液相点，所述焊料60熔融凝固后可有效防止出现焊料孔洞问题，实现了避免冲压所述芯片产生裂纹，影响后续无外壳穿心瓷介电容器的质量。
[0040]请参阅图5，其中图5是金锡焊接无外壳穿心瓷介电容器制备方法的步骤流程图。
[0041]本专利技术还提供了一种金锡焊接无外壳穿心瓷介电容器制备方法，包括如下步骤：
[0042]S1：配料，配比金锡焊接无外壳穿心瓷介电容器的制备原料；
[0043]S2：流延，将原料塑化熔融；
[0044]S3：印叠，使用模具将熔融的原料进行冷却降温定型得到所述芯片10；
[0045]S4：脱模，采用打孔方式对模具内的所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金锡焊接无外壳穿心瓷介电容器，其特征在于，包括芯片、内电极、阻焊油墨和引线，所述芯片的内部设置有所述内电极，所述芯片的两侧分别设置有所述阻焊油墨，所述芯片具有贯穿槽，所述引线贯穿所述芯片，并位于所述贯穿槽处。2.如权利要求1所述的金锡焊接无外壳穿心瓷介电容器，其特征在于，所述金锡焊接无外壳穿心瓷介电容器还包括镀金层，所述芯片的外侧壁设置有所述镀金层。3.如权利要求2所述的金锡焊接无外壳穿心瓷介电容器，其特征在于，所述金锡焊接无外壳穿心瓷介电容器还包括焊料，所述贯穿槽内设置有所述焊料。4.如权利要求3所述的金锡焊接无外壳穿心瓷介电容器，其特征在于，所述焊料为Au80Sn20。5.一种金锡焊接无外壳穿心瓷介电容器制备方法，制备如权利要求3所述的金锡焊接无外壳穿心瓷介电容器，其特征在于，包括如下步骤：制备所述芯片；脱模，采用打孔方式对模具内的所述芯片进行脱模；烧结，对所述芯片进行烧结，...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐强，张亚梅，常乐，黄俭帮，林广，舒钞，杨航，
申请(专利权)人：成都宏科电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：