一种中高介电常数微波陶瓷材料及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种中高介电常数微波陶瓷材料及其制备方法和应用，涉及电子陶瓷材料及其制造技术领域，中高介电常数微波陶瓷材料按质量百分含量计，包括94.0％～96.5％的Zr<subgt;0.8</subgt;Sn<subgt;0.2</subgt;TiO<subgt;4</subgt;烧块、0％～0.3％二氧化锰、0.1％～0.5％二氧化硅、1％～5％氧化锌、0％～5％三氧化二钕。通过加入二氧化锰、二氧化硅、二氧化锌、三氧化二钕，能够降低Zr<subgt;0.8</subgt;Sn<subgt;0.2</subgt;TiO<subgt;4</subgt;的烧结温度，促进烧结进行，不会影响Zr<supgt;4+</supgt;、Sn<supgt;4+</supgt;、Ti<supgt;4+</supgt;阳离子有序生长，并在晶界形成钉扎作用，在不影响内在损耗的条件下进一步降低外在损耗，从而进一步降低陶瓷材料介质损耗，提高介质陶瓷材料的Qf值，并获得近零容量温度系数。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子陶瓷材料及其制造，具体涉及一种中高介电常数微波陶瓷材料及其制备方法和应用。

技术介绍

1、介质陶瓷基片是用来生产薄膜集成电路、单层电容器等微波元器件产品的关键材料，随着后5g时代的到来，对介质陶瓷基片微波高频介质损耗提出了更高的要求。其中，具有中高介电常数特征的超低损耗介质陶瓷基片材料既可以满足器件小型化需求，又可以满足微波应用环境，在陶瓷基片市场中占有相当份额。

2、具有中高介电常数并满足c0g特性的超低损耗介质陶瓷材料体系的材料有：bati4o9、ba2ti9o3、catio3、ba6-3xln8+2xti18o54等体系，其中bati4o9、ba2ti9o20微波介质陶瓷体系最早得到工程化应用，但当频率由4ghz升到10ghz时，其q值下降，导致bati4o9、ba2ti9o20瓷在x波段的应用受到限制，而zrtio4基微波介质陶瓷高频下品质因数高(qf值可达40000以上)、温度稳定性好，可解决窄带的频率漂移问题，满足微波器件应用需求。

3、但是，目前的zr0.8sn0.2tio4(zst)存在烧结温度高达本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种中高介电常数微波陶瓷材料，其特征在于，按质量百分含量计，包括94.0％～96.5％的Zr0.8Sn0.2TiO4烧块、0％～0.3％二氧化锰、0.1％～0.5％二氧化硅、1％～5％氧化锌、0％～5％三氧化二钕。

2.根据权利要求1所述的一种中高介电常数微波陶瓷材料，其特征在于，制备所述Zr0.8Sn0.2TiO4烧块的原料，按质量百分含量计为：47.26％的二氧化锆、38.29％的二氧化钛和14.45％的二氧化锡。

3.根据权利要求2所述的一种中高介电常数微波陶瓷材料，其特征在于，所述Zr0.8Sn0.2TiO4烧块的制备方法为：>

4.根据权利...

【技术特征摘要】

1.一种中高介电常数微波陶瓷材料，其特征在于，按质量百分含量计，包括94.0％～96.5％的zr0.8sn0.2tio4烧块、0％～0.3％二氧化锰、0.1％～0.5％二氧化硅、1％～5％氧化锌、0％～5％三氧化二钕。

2.根据权利要求1所述的一种中高介电常数微波陶瓷材料，其特征在于，制备所述zr0.8sn0.2tio4烧块的原料，按质量百分含量计为：47.26％的二氧化锆、38.29％的二氧化钛和14.45％的二氧化锡。

3.根据权利要求2所述的一种中高介电常数微波陶瓷材料，其特征在于，所述zr0.8sn0.2tio4烧块的制备方法为：

4.根据权利要求3所述的一种中高介电常数微波陶瓷材料，其特征在于，步骤2)中研磨时，混合料：二氧化锆球：水的重量比为1：(5～6)：(1.4～1.6)；研磨时间为5～8小时。

5.一种权利要求1～4任意一项所述的中高介电常数微波陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：...

【专利技术属性】
技术研发人员：江俊俊，林晓云，王江，黎志刚，李在映，
申请(专利权)人：成都宏科电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：